1－卤－2－氟乙烯的制造方法技术

本发明专利技术提供一种高效地得到反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和/或顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的方法。上述反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和/或顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的制造方法包括：向反应器中供给含有反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和/或顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的组合物，在光敏化剂的存在下，通过光照射，在液相中进行反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)与顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)之间的异构化反应的工序。构化反应的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】1－卤－2－氟乙烯的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种1－卤－2－氟乙烯的制造方法。

技术介绍

[0002]在非专利文献1和2中公开了在气相中使用作为光敏化剂的二氧化硫，进行光照射，使反式－1,2－二氟乙烯(HFO－1132(E))和顺式－1,2－二氟乙烯(HFO－1132(Z))异构化的方法。
[0003]现有技术文献
[0004]非专利文献
[0005]非专利文献1：International Journal of Chemical Kinetics 1976,8,511
‑
517.
[0006]非专利文献2：International Journal of Chemical Kinetics 1976,8,519
‑
528.

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的技术问题
[0008]本专利技术的技术问题在于：提供一种高效地得到反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和/或顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的方法。
[0009]用于解决技术问题的技术方案
[0010]项1.一种反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和/或顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的制造方法，其包括：
[0011]向反应器中供给含有反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和/或顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的组合物，在光敏化剂的存在下，通过光照射，在液相中进行反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)与顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)之间的异构化反应的工序。
[0012]项2.如上述项1所述的制造方法，其包括制造反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)的工序，
[0013]在该工序中，向反应器中供给顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)或含有反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的组合物，在光敏化剂的存在下，通过进行光照射，在液相中进行反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)与顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)之间的异构化反应。
[0014]项3.如上述项1所述的制造方法，其包括制造顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的工序，
[0015]在该工序中，向反应器中供给反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)或含有反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的组合物，在光敏化剂的存在下，通过进行光照射，在液相中进行反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)与顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)之间的异构化反应。
[0016]项4.如上述项1～3中任一项所述的制造方法，其中，通过照射具有200nm以上450nm以下的波长的光来进行上述光照射。
[0017]项5.如上述项1～4中任一项所述的制造方法，其包括在上述异构化反应后，通过蒸馏，分离成反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的工序。
[0018]项6.如上述项5所述的制造方法，其为制造反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)的方法，包括在上述分离的工序之后，使顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)重返上述异构化反应，再次供于异构化反应的工序。
[0019]项7.如上述项5所述的制造方法，其为制造顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的方法，包括在上述分离的工序之后，使反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)重返上述异构化反应，再次供于异构化反应的工序
[0020]项8.如上述项1、2或4所述的制造方法，其中，上述反应器利用蒸馏塔的蒸馏室(still)部，同时实施上述异构化反应以及利用蒸馏进行的反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)与顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的分离。
[0021]专利技术效果
[0022]利用本专利技术，能够高效地得到反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和/或顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)。
附图说明
[0023]图1是示意地表示本专利技术的反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和/或顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的制造方法的图。
[0024]图2是示意地表示在本专利技术的反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和/或顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的制造方法中高效地得到反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)的方法的图。
[0025]图3是在本专利技术的反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和/或顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的制造方法中从顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)高效地生产反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)的制造设备的概略图。
[0026]图4是在本专利技术的反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和/或顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的制造方法中从反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)高效地生产顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的制造设备的概略图。
[0027]图5是表示本专利技术的反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和/或顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的制造方法中的实施例的光照射前和光照射9小时后的样品的
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F－NMR谱的图。
具体实施方式
[0028]在现有的使用二氧化硫作为敏化剂并在气相中进行光异构化反应的方法中，反应的效率低，相对于原料的1－卤－2－氟乙烯，需要大量过剩的二氧化硫。另外，在现有的光异构化反应中，反应后回收或再利用二氧化硫时，1－卤－2－氟乙烯与二氧化硫(沸点：－10℃)的沸点接近，异构化反应后，分离成1－卤－2－氟乙烯的E体和Z体，进而分离二氧化硫，非常繁琐。本专利技术的专利技术人在这样的现有的光异构化反应中发现了损害生产时的经济性的技术问题。
[0029]本专利技术的专利技术人还发现如下的技术问题：例如在将1,1,2－三氟乙烷(HFC－143)等三卤代乙烷作为原料并在催化剂存在下进行脱氟化氢反应而得到HFO－1132的现有的方法中，由于同时生产作为异构体的HFO－1132(E)和HFO－1132(Z)，因此在只希望得到任意种异构体的情况下，另一种异构体是不需要的，这在成本方面是低效的。
[0030]因此，本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种解决该技术问题的方案。具体而言，本专利技术所要解决的技术问题在于，提供如下的方法：在得到1－卤－2－氟乙烯的方法中，在同时生产反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的情况下，更高效地得到反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和/或顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)。
[0031]为了解决上述技术问题，本专利技术的专利技术人进行精心研究后发现，在含有1－卤－2－氟乙烯的反应组合物中，在光敏化剂的存在下，通过光照射，在液相中能够异构化。还发现通过将进行异构化反应的工序和分离所希望的异构体的工序组合，能够解决上述的技术问题。本专利技术是基于这样的见解进一步进行研究而完成的专利技术，包括以下的方式。
[0032]1.异构化反应
[0033]本专利技术的制造方法是反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和/或顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的制造方法，包括如下的工序：向反应器中供给含有反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和/或顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和/或顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的制造方法，其特征在于包括：向反应器中供给含有反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和/或顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的组合物，在光敏化剂的存在下，通过光照射，在液相中进行反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)与顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)之间的异构化反应的工序。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于包括：制造反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)的工序，在该工序中，向反应器中供给顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)或含有反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的组合物，在光敏化剂的存在下，通过进行光照射，在液相中进行反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)与顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)之间的异构化反应。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于包括：制造顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的工序，在该工序中，向反应器中供给反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)或含有反式－1－卤－2－氟乙烯(E体)和顺式－1－卤－2－氟乙烯(Z体)的组合物，在光敏化剂的存在下，通过进行光照射，在液相中进行反式－1...

【专利技术属性】
技术研发人员：大塚朋生，仲上翼，高桥一博，
申请(专利权)人：大金工业株式会社，
类型：发明
国别省市：