显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种显示装置。该显示装置可以包括：基板；阻挡层，设置在基板上，并且具有沟槽；有源图案，设置在阻挡层上，由氧化物半导体形成，并且包括沿着沟槽的轮廓向下突出的沟道区以及分别设置在沟道区的各端处的源区和漏区；栅电极，设置在有源图案上，并且与沟道区重叠；源电极，设置在栅电极上，并且与源区电连接；以及漏电极，设置在栅电极上，并且与漏区电连接。连接。连接。

【技术实现步骤摘要】
显示装置


[0001]本公开涉及显示装置。更具体地，本公开涉及包括具有改善的电特性的多个晶体管的显示装置。

技术介绍

[0002]显示装置的重要性已经随着多媒体的发展而增长。因此，诸如液晶显示器(LCD)和有机发光显示器(OLED)的各种类型的显示装置被广泛地用于包括诸如智能电话、智能手表或智能平板的便携式装置的不同类型的电子装置。通常，显示装置可以包括像素和用于驱动像素的驱动器。像素和驱动器中的每一个可以包括多个晶体管。
[0003]随着显示装置的分辨率增大并且显示装置的死区减小，其中设置晶体管的区域可减小。因此，设置在相对小区域中的晶体管的电特性可能劣化。因此，需要开发具有不会劣化电特性的多个晶体管的新颖的显示装置。

技术实现思路

[0004]实施例提供了包括具有改善的电特性的多个晶体管的显示装置。
[0005]根据实施例的显示装置可以包括：基板；阻挡层，设置在基板上，并且具有沟槽；有源图案，设置在阻挡层上，由氧化物半导体形成，并且包括沿着沟槽的轮廓向下突出的沟道区以及分别设置在沟道区的两端处的源区和漏区；栅电极，设置在有源图案上，并且与沟道区重叠；源电极，设置在栅电极上，并且与源区电连接；以及漏电极，设置在栅电极上，并且与漏区电连接。
[0006]在实施例中，显示装置可以进一步包括：缓冲层，设置在阻挡层与有源图案之间，并且沿着沟槽的轮廓形成；以及层间绝缘层，设置在栅电极上，源电极和漏电极设置在层间绝缘层上。
[0007]在实施例中，显示装置可以进一步包括：下导电图案，设置在阻挡层与缓冲层之间，沿着沟槽的轮廓形成，并且具有均匀的厚度。
[0008]在实施例中，下导电图案可以与栅电极或源电极电连接。
[0009]在实施例中，下导电图案可以具有100nm或更小的厚度。
[0010]在实施例中，显示装置可以进一步包括：蚀刻停止层，设置在基板与阻挡层之间，并且具有比阻挡层的蚀刻速率低的蚀刻速率。
[0011]在实施例中，蚀刻停止层可以包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。
[0012]在实施例中，蚀刻停止层可以包括铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、锡(Sn)、铪(Hf)、钛(Ti)和锆(Zr)中的至少一种。
[0013]在实施例中，显示装置可以进一步包括：栅绝缘图案，设置在有源图案与栅电极之间，与沟道区重叠，并且沿着沟道区的轮廓形成。
[0014]在实施例中，阻挡层可以包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。
[0015]根据实施例的显示装置可以包括：基板；阻挡层，设置在基板上，并且具有柱状的
图案；有源图案，设置在阻挡层上，由氧化物半导体形成，并且包括沿着图案的轮廓向上突出的沟道区以及分别设置在沟道区的两端处的源区和漏区；栅电极，设置在有源图案上，并且与沟道区重叠；源电极，设置在栅电极上，并且与源区电连接；以及漏电极，设置在栅电极上，并且与漏区电连接。
[0016]在实施例中，显示装置可以进一步包括：缓冲层，设置在阻挡层与有源图案之间，并且沿着图案的轮廓形成；以及层间绝缘层，设置在栅电极上，源电极和漏电极设置在层间绝缘层上。
[0017]在实施例中，显示装置可以进一步包括：下导电图案，设置在阻挡层与缓冲层之间，沿着图案的轮廓形成，并且具有均匀的厚度。
[0018]在实施例中，下导电图案可以与栅电极或源电极电连接。
[0019]在实施例中，下导电图案可以具有100nm或更小的厚度。
[0020]在实施例中，显示装置可以进一步包括：蚀刻停止层，设置在基板与阻挡层之间，并且具有比阻挡层的蚀刻速率低的蚀刻速率。
[0021]在实施例中，蚀刻停止层可以包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。
[0022]在实施例中，蚀刻停止层可以包括铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、锡(Sn)、铪(Hf)、钛(Ti)和锆(Zr)中的至少一种。
[0023]在实施例中，显示装置可以进一步包括：栅绝缘图案，设置在有源图案与栅电极之间，与沟道区重叠，并且沿着沟道区的轮廓形成。
[0024]在实施例中，阻挡层可以包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。
[0025]在根据实施例的显示装置中，有源图案可以包括沿着阻挡层的沟槽的轮廓向下突出或者沿着阻挡层的具有柱状的图案的轮廓向上突出的沟道区，使得有源图案可以包括在狭小的区域中具有相对大的长度的沟道区。因此，可以实现显示装置的高分辨率，并且可以改善晶体管的电特性。
附图说明
[0026]从结合附图的以下详细描述将更清楚地理解说明性的非限制性实施例。
[0027]图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的平面图。
[0028]图2是示出图1中所示的显示装置的像素PX的电路图。
[0029]图3是示出图2的像素PX的剖视图。
[0030]图4是示出根据本公开的实施例的显示装置的剖视图。
[0031]图5是示出根据本公开的实施例的显示装置的剖视图。
[0032]图6是示出根据本公开的实施例的显示装置的剖视图。
[0033]图7是示出根据本公开的实施例的显示装置的剖视图。
[0034]图8是示出根据本公开的实施例的显示装置的剖视图。
具体实施方式
[0035]下文中，将参照附图详细解释根据实施例的显示装置。
[0036]图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的平面图。
[0037]参照图1，显示装置可以包括设置在显示区域DA中的像素PX、设置在外围区域PA中
的扫描驱动器SD、驱动芯片IC和柔性印刷电路FPC。
[0038]像素PX可以在第一方向DR1和与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上布置在显示区域DA中。每个像素PX可以与扫描线SL、数据线DL和驱动电压线PL连接。扫描线SL可以在第一方向DR1上延伸以向像素PX提供扫描信号。数据线DL可以在第二方向DR2上延伸以向像素PX提供数据电压。驱动电压线PL可以平行于数据线DL延伸以向像素PX提供驱动电压。显示区域DA可以通过从像素PX中的每一个发光来显示图像。
[0039]外围区域PA可以与显示区域DA邻近。在实施例中，外围区域PA可以围绕显示区域DA。
[0040]扫描驱动器SD可以设置在显示区域DA的第一侧并且可以与扫描线SL连接。扫描驱动器SD可以通过扫描线SL向像素PX提供扫描信号。扫描驱动器SD可以包括多个晶体管。
[0041]驱动芯片IC可以设置在显示区域DA的第二侧并且可以与数据线DL连接。驱动芯片IC可以包括用于产生数据电压的数据驱动器。数据驱动器可以通过数据线DL向像素PX提供数据电压。
[0042]柔性印刷电路FPC可以设置在显示区域DA的第二侧，其中驱动芯片IC介于柔性印刷电路FPC和显示区域DA之间，并且柔性印刷电路FPC可以与驱动电压线PL连接。柔性印刷电路FPC可以包括产生驱动电压的电源。电源可以通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：基板；阻挡层，设置在所述基板上，并且具有沟槽；有源图案，设置在所述阻挡层上，由氧化物半导体形成，并且包括沿着所述沟槽的轮廓向下突出的沟道区以及分别设置在所述沟道区的各端处的源区和漏区；栅电极，设置在所述有源图案上，并且与所述沟道区重叠；源电极，设置在所述栅电极上，并且通过第一接触孔与所述源区电连接；以及漏电极，设置在所述栅电极上，并且通过第二接触孔与所述漏区电连接。2.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：缓冲层，设置在所述阻挡层与所述有源图案之间，并且沿着所述沟槽的所述轮廓形成；以及层间绝缘层，设置在所述栅电极上，其中，所述源电极和所述漏电极设置在所述层间绝缘层上。3.根据权利要求2所述的显示装置，进一步包括：下导电图案，设置在所述阻挡层与所述缓冲层之间，沿着所述沟槽的所述轮廓形成，并且具有均匀的厚度。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述下导电图案通过第三接触孔与所述栅电极或所述源电极电连接。5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述下导电图案具有100nm或更小的厚度。6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示装置，进一步包括：蚀刻停止层，设置在所述基板与所述阻挡层之间，并且具有比所述阻挡层的蚀刻速率低的蚀刻速率。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述蚀刻停止层包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述蚀刻停止层包括铟、镓、锌、锡、铪、钛和锆中的至少一种。9.根据权利要求1至5中任一项所述的显示装置，进一步包括：栅绝缘图案，设置在所述有源图案与所述栅电极之间，与所述沟道区重叠，并且沿着所述沟道区的轮廓形成。10.根据权利要求1至5中任一项所述的显示装置，其中，所述阻挡层包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。11.一种显示装置，包括：基板；阻挡层...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴晙晳，塞伦特，
申请(专利权)人：汉阳大学校ERICA产学协力团，
类型：发明
国别省市：