显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种显示装置。该显示装置可以包括：基板；阻挡层，设置在基板上，并且具有沟槽；有源图案，设置在阻挡层上，由氧化物半导体形成，并且包括沿着沟槽的轮廓向下突出的沟道区以及分别设置在沟道区的各端处的源区和漏区；栅电极，设置在有源图案上，并且与沟道区重叠；源电极，设置在栅电极上，并且与源区电连接；以及漏电极，设置在栅电极上，并且与漏区电连接。连接。连接。

【技术实现步骤摘要】
显示装置


[0001]本公开涉及显示装置。更具体地，本公开涉及包括具有改善的电特性的多个晶体管的显示装置。

技术介绍

[0002]显示装置的重要性已经随着多媒体的发展而增长。因此，诸如液晶显示器(LCD)和有机发光显示器(OLED)的各种类型的显示装置被广泛地用于包括诸如智能电话、智能手表或智能平板的便携式装置的不同类型的电子装置。通常，显示装置可以包括像素和用于驱动像素的驱动器。像素和驱动器中的每一个可以包括多个晶体管。
[0003]随着显示装置的分辨率增大并且显示装置的死区减小，其中设置晶体管的区域可减小。因此，设置在相对小区域中的晶体管的电特性可能劣化。因此，需要开发具有不会劣化电特性的多个晶体管的新颖的显示装置。

技术实现思路

[0004]实施例提供了包括具有改善的电特性的多个晶体管的显示装置。
[0005]根据实施例的显示装置可以包括：基板；阻挡层，设置在基板上，并且具有沟槽；有源图案，设置在阻挡层上，由氧化物半导体形成，并且包括沿着沟槽的轮廓向下突出的沟道区以及分别设置在沟道区的两端处的源区和漏区；栅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：基板；阻挡层，设置在所述基板上，并且具有沟槽；有源图案，设置在所述阻挡层上，由氧化物半导体形成，并且包括沿着所述沟槽的轮廓向下突出的沟道区以及分别设置在所述沟道区的各端处的源区和漏区；栅电极，设置在所述有源图案上，并且与所述沟道区重叠；源电极，设置在所述栅电极上，并且通过第一接触孔与所述源区电连接；以及漏电极，设置在所述栅电极上，并且通过第二接触孔与所述漏区电连接。2.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：缓冲层，设置在所述阻挡层与所述有源图案之间，并且沿着所述沟槽的所述轮廓形成；以及层间绝缘层，设置在所述栅电极上，其中，所述源电极和所述漏电极设置在所述层间绝缘层上。3.根据权利要求2所述的显示装置，进一步包括：下导电图案，设置在所述阻挡层与所述缓冲层之间，沿着所述沟槽的所述轮廓形成，并且具有均匀的厚度。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述下导电图案通过第三接触孔与所述栅电极或所述源电极电连接。5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述下导电图案具有100nm或更小的厚度。6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示装置，进一步包括：蚀刻停止层，设置在所述基板与所述阻挡层之间，并且具有比所述阻挡层的蚀刻速率低的蚀刻速率。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述蚀刻停止层包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述蚀刻停止层包括铟、镓、锌、锡、铪、钛和锆中的至少一种。9.根据权利要求1至5中任一项所述的显示装置，进一步包括：栅绝缘图案，设置在所述有源图案与所述栅电极之间，与所述沟道区重叠，并且沿着所述沟道区的轮廓形成。10.根据权利要求1至5中任一项所述的显示装置，其中，所述阻挡层包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。11.一种显示装置，包括：基板；阻挡层...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴晙晳，塞伦特，
申请(专利权)人：汉阳大学校ERICA产学协力团，
类型：发明
国别省市：