【技术实现步骤摘要】
本申请是2000年6月26日递交的中国专利技术专利申请No.00107857.7的分案申请。本专利技术涉及一种有机抗反射涂布材料(“ARC”)，该涂布材料可稳定地生成适用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的超细图案。更具体地说，本专利技术涉及一种有机抗反射涂布材料，其含有在亚微平版印刷术所用的波长处具有高吸收的发色团。在采用193nm ArF激光光源的亚微平版印刷方法中，所述的抗反射材料层可以防止光从半导体芯片的下层或表面上反射回来，也可消除光刻胶层中的驻波。本专利技术也涉及含有上述材料的抗反射涂料组合物、由该组合物得到的抗反射涂料及其制备方法。在亚微平版印刷方法(一种制备高集成度半导体器件的最重要的方法)中，由于涂覆在晶片上的底层的光学性质以及在其上面的光敏薄膜的厚度变化，将不可避免地产生驻波和波的反射陷波(reflectivenotching)。另外，亚微平版印刷方法通常受到由于从下层衍射和反射的光而引起临界尺寸改变的问题。为了克服这些问题，已有人提议在基材和光敏薄膜之间引入一称为抗反射涂料的薄膜，以防止光从下层反射。根据所用的材料，将抗...
【技术保护点】
由下述通式２表示的聚合物：＊＊＊（通式２）其中，Ｒ↓［ａ］、Ｒ↓［ｂ］、Ｒ↓［ｃ］和Ｒ↓［ｄ］均为氢或甲基；Ｒ↓［１］表示氢、羟基，经取代或未取代的、直链或支链的Ｃ↓［１］－Ｃ↓［５］烷基、环烷基、烷氧基烷基或环烷氧基烷 基；ｘ、ｙ和ｚ均为０．０１－０．９９的摩尔分数；且ｎ↓［１］和ｎ↓［２］均为１－４的整数。
【技术特征摘要】
KR 1999-6-26 24469/19991.由下述通式2表示的聚合物 (通式2)其中，Ra、Rb、Rc和Rd均为氢或甲基；R1表示氢、羟基，经取代或未取代的、直链或支链的C1-C5烷基、环烷基、烷氧基烷基或环烷氧基烷基；x、y和z均为0.01-0.99的摩尔分数；且n1和n2均为1-4的整数。2.如权利要求1所述的聚合物，其中R1表示甲基。3.如权利要求1所述的聚合物，其包含聚(丙烯酸甲苯磺酰基乙酯-丙烯酸羟乙酯-甲基丙烯酸甲酯)，其中丙烯酸甲苯磺酰基乙酯∶丙烯酸羟乙酯∶甲基丙烯酸甲酯的摩尔比为0.3∶0.3∶0.25。4.如权利要求1所述的聚合物，其包含聚(丙烯酸甲苯磺酰基乙酯-甲基丙烯酸羟乙酯-甲基丙烯酸甲酯)，其中丙烯酸甲苯磺酰基乙酯∶甲基丙烯酸羟乙酯∶甲基丙烯酸甲酯的摩尔比为0.33∶0.35∶0.25。5.如权利要求1所述的聚合物，其包含聚(丙烯酸甲苯磺酰基乙酯-丙烯酸羟丙酯-甲基丙烯酸甲酯)，其中丙烯酸甲苯磺酰基乙酯∶丙烯酸羟丙酯∶甲基丙烯酸甲酯的摩尔比为0.3∶0.33∶0.22。6.如权利要求1所述的聚合物，其包含聚(丙烯酸甲苯磺酰基乙酯-甲基丙烯酸羟丙酯-甲基丙烯酸甲酯)，其中丙烯酸甲苯磺酰基乙酯∶甲基丙烯酸羟丙酯∶甲基丙烯酸甲酯的摩尔比为0.3∶0.33∶0.25。7.如权利要求1所述的聚合物，其包含聚(丙烯酸甲苯磺酰基乙酯-丙烯酸羟丁酯-甲基丙烯酸甲酯)，其中丙烯酸甲苯磺酰基乙酯∶丙烯酸羟丁酯∶甲基丙烯酸甲酯的摩尔比为0.3∶0.3∶0.3。8.如权利要求1所述的聚合物，其包含聚(甲基丙烯酸甲苯磺酰基乙酯-丙烯酸羟乙酯-甲基丙烯酸甲酯)，其中丙烯酸甲苯磺酰基乙酯∶丙烯酸羟乙酯∶甲基丙烯酸甲酯的摩尔比为0.3∶0.25∶0.3。9.如权利要求1所述的聚合物，其包含聚(甲基丙烯酸甲苯磺酰基乙酯-甲基丙烯酸羟乙酯-甲基丙烯酸甲酯)，其中甲基丙烯酸甲苯磺酰基乙酯∶甲基丙烯酸羟乙酯∶甲基丙烯酸甲酯的摩尔比为0.3∶0.32∶0.3。10.如权利要求1所述的聚合物，其包含聚(甲基丙烯酸甲苯磺酰基乙酯-丙烯酸羟丙酯-甲基丙烯酸甲酯)，其中丙烯酸甲苯磺酰基乙酯∶丙烯酸羟丙酯∶甲基丙烯酸甲酯的摩尔比为0.3∶0.33∶0.3。11.如权利要求1所述的聚合物，其包...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪圣恩，郑旼镐，白基镐，
申请(专利权)人：现代电子产业株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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