芯片去层加工方法及系统技术方案

本申请提供一种芯片去层加工方法及系统，其中，芯片去层加工方法包括步骤将目标芯片进行激光开封，使所述目标芯片露出部分键合引线；将开封后的所述目标芯片进行砂纸打磨，使所述目标芯片被研磨到有机膜层；对所述目标芯片进行抛光，直至所述目标芯片露出完整金属布线。本申请能够实现在对芯片进行去层加工时，使得芯片的边缘的金属布线保留完整，从而便于分析去层后的芯片。分析去层后的芯片。分析去层后的芯片。

【技术实现步骤摘要】
芯片去层加工方法及系统


[0001]本申请涉及芯片领域，具体而言，涉及一种芯片去层加工方法及系统。

技术介绍

[0002]在一些应用场景中，需要对某款芯片进行去层处理，将金属布线逐层平整去除，以研究检测该芯片的内部结构、内部结构的尺寸、材料以及芯片的线路布局等内容。
[0003]然而现在技术是把芯片先进行发烟硝酸90℃进行去除塑封料和金属框架，然后用0.05微米抛光布对裸芯片进行抛光去层，这样会导致一个问题：在加工过程中，芯片的边缘已出现金属布线，中间还未出现金属布线，或者，芯片的中间出现金属布线，但是芯片边缘的金属布线已被研磨掉，进而导致无法得到芯片中的金属布线的完整结构。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的目的在于提供一种芯片去层加工方法及系统，用以对芯片进行去层加工，并使得芯片边缘的金属布线保留完整，从而便于分析去层后的芯片。
[0005]在本申请第一方面中，作为一种可选的实施方式，一种芯片去层加工方法，所述方法包括：
[0006]将目标芯片进行激光开封，使所述目标芯片露出部分键合引线；
[0007]将开封后的所述目标芯片进行砂纸打磨，使所述目标芯片被研磨到有机膜层；
[0008]对所述目标芯片进行抛光，直至所述目标芯片露出完整金属布线。
[0009]与现有技术相比，由于本申请在对目标芯片进行抛光之前，先将目标芯片进行激光开封并露出键合引线，进而通过砂纸打磨使得目标芯片被研磨到有机膜层，这样一来，在对目标芯片进行抛光过程中，抛光布先与目标芯片的有机膜层进行摩擦，进而当抛光布行进到目标芯片的中间位置时，有机膜层刚好被打磨掉，此时目标芯片的边缘与目标芯片处于同步被抛光，进而不会出现目标芯片的边缘已经出现金属布线而目标芯片的中间位置未出现这类情况，或者可以避免出现目标芯片中间位置的金属布线已出现，但目标芯片边缘的金属布线已经被打磨掉这类情况，即可通过保留目标芯片上的塑封材料中的有机膜，保护目标芯片在抛光过程中，其边缘不出现提前研磨。
[0010]在本申请第一方面中，作为一种可选的实施方式，所述对所述目标芯片进行抛光，直至所述目标芯片露出完整金属布线，包括：
[0011]将抛光液涂抹在抛光布上；
[0012]使用抛光布对所述目标芯片进行抛光，直至所述目标芯片露出完整金属布线。
[0013]在本可选的实施方式中，通过将抛光液涂抹在抛光布上，进而能够使用抛光布对所述目标芯片进行抛光，直至所述目标芯片露出完整金属布线。
[0014]在本申请第一方面中，作为一种可选的实施方式，所述抛光液为非结晶胶体二氧化硅抛光悬浮液。
[0015]在本可选的实施方式中，，非结晶胶体二氧化硅抛光悬浮液具有粒度可控、颗粒度
分布集中、软硬度适中、不划伤被抛物面、性好、不易沉淀、使用方便的优点。另一方面，非结晶胶体二氧化硅抛光悬浮液的分散性好、乳液均一，进而可极大提高了抛光效率和精度。在本申请第一方面中，作为一种可选的实施方式，所述抛光布为耐化学腐蚀合成。
[0016]在本可选的实施方式中，选用耐化学腐蚀合成的抛光布，能够提高抛光布的使用寿命。
[0017]在本申请第一方面中，作为一种可选的实施方式，所述抛光布包括若干个通孔。
[0018]在本申请第一方面中，作为一种可选的实施方式，所述将开封后的所述目标芯片进行砂纸打磨，使所述目标芯片被研磨到有机膜层，包括：
[0019]使用砂纸目数在5微米～30微米的砂纸对开封后的所述目标芯片进行砂纸打磨，使所述目标芯片被研磨到有机膜层。
[0020]在本申请第一方面中，作为一种可选的实施方式，所述砂纸目数为6 微米。
[0021]本申请第二方面公开一种芯片去层加工系统，所述系统包括激光开封机、研磨机，其中：
[0022]所述激光开封机用于对目标芯片进行激光开封，使所述目标芯片露出部分键合引线；
[0023]所述研磨机用于将开封后的所述目标芯片进行砂纸打磨，使所述目标芯片被研磨到有机膜层；
[0024]所述研磨机还用于对所述目标芯片进行抛光，直至所述目标芯片露出完整金属布线。
[0025]在本申请第二方面中，作为一种可选的实施方式，所述激光开封机对所述目标芯片加工时的工作电压为30KV。
[0026]在本申请第二方面中，作为一种可选的实施方式，所述研磨机装载有砂纸目数在5微米～30微米的砂纸。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0028]图1为本申请实施例提供的一种芯片去层加工方法的流程示意图；
具体实施方式
[0029]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。
[0030]请参阅图1，图1是本申请实施例公开的一种芯片去层加工方法的流程示意图。如图1所示，本申请实施例的芯片去层加工方法包括步骤：
[0031]101、将目标芯片进行激光开封，使所述目标芯片露出部分键合引线；
[0032]102、将开封后的所述目标芯片进行砂纸打磨，使所述目标芯片被研磨到有机膜层；
[0033]103、对所述目标芯片进行抛光，直至所述目标芯片露出完整金属布线。
[0034]与现有技术相比，由于本申请在对目标芯片进行抛光之前，先将目标芯片进行激光开封并露出金属线，进而通过砂纸打磨使得目标芯片被研磨到有机膜层，这样一来在对目标芯片进行抛光过程中，抛光布先与目标芯片的有机膜层进行摩擦，进而当抛光布行进到目标芯片的中间位置时，有机膜层刚好被打磨掉，此时目标芯片的边缘与目标芯片处于同步被抛光，进而不会出现目标芯片的边缘已经出现金属布线而目标芯片的中间位置未出现这类情况，或者可以避免出现目标芯片中间位置的金属布线已出现，但目标芯片边缘的金属布线已经被打磨掉这类情况，即可通过保留目标芯片上的塑封材料中的有机膜，进而通过有机膜可保护目标芯片在抛光过程中，其边缘不出现提前研磨。
[0035]然而，在现有技术中，现有技术是在温度为90℃条件，用发烟硝酸对目标芯片进行处理，以去除塑封料和金属框架，此过程导致目标芯片的边缘不存在有机膜，其中，有机膜存在于塑封料中，是塑封料中一种注有颗粒和胶水的模结构。另一方面，在用发烟硝酸对目标芯片进行处理后，现有技术用0.05微米抛光布对裸芯片进行抛光处理，其中，在目标芯片抛光过程中，抛光布总是从目标芯片的一个端(开始端)开始与目标芯片进行左右相对运动，并移动到目标芯片的另一端(结束端)，此时目标芯片的开始端(即目标芯片的边缘)总是最先与抛光布进行接触，这样一来，当抛光布行进到目标芯片的中间位置时，抛光布已经对目标芯片的开始端抛光了一段时间，进而当抛光布继续对目标芯片的中间位置进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片去层加工方法，其特征在于，所述方法包括：将目标芯片进行激光开封，使所述目标芯片露出部分键合引线；将开封后的所述目标芯片进行砂纸打磨，使所述目标芯片被研磨到有机膜层；对所述目标芯片进行抛光，直至所述目标芯片露出完整金属布线。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述目标芯片进行抛光，直至所述目标芯片露出完整金属布线，包括：将抛光液涂抹在抛光布上；使用抛光布对所述目标芯片进行抛光，直至所述目标芯片露出完整金属布线。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述抛光液为非结晶胶体二氧化硅抛光悬浮液。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述抛光布为耐化学腐蚀合成。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述抛光布包括若干个通孔。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将开封后的所述目标芯片进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：林晓玲，梁朝辉，熊峰，戴宗倍，高汭，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室，
类型：发明
国别省市：