一种信号控制电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种信号控制电路，包括单片机、第二电容、第三电容、第一二极管、第二二极管、第一三极管、第二三极管和电阻，单片机的型号为STM8S003，单片机的GPIO端通过电阻分别与第一三极管和第二三极管的基极连接，第一三极管的发射极外接电源，第二三极管的发射极接地，第一三极管的集电极和第二三极管的集电极均与第二电容的正极连接，第二电容的负极分别与第一二极管的阴极和第二二极管的阳极连接，第一二极管和第二二极管形成的串联回路与第三电容并联，第三电容的负极与第一二极管的阳极连接，该信号控制电路通过互补三极管来实现扩流，从而增大负电压电路的输出电流，适用于较大电流的负载供电，电路结构简单，针对性强。针对性强。针对性强。

【技术实现步骤摘要】
一种信号控制电路


[0001]本技术特别涉及一种信号控制电路。

技术介绍

[0002]现有技术中，利用单片机的PWM信号产生负电压的电路一般比较复杂，针对性不强，制作成本较高。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的技术问题是：为了克服现有技术的不足，提供一种信号控制电路。
[0004]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种信号控制电路，包括单片机、第二电容、第三电容、第一二极管、第二二极管、第一三极管、第二三极管和电阻，所述单片机的型号为STM8S003，所述单片机的GPIO端通过电阻分别与第一三极管和第二三极管的基极连接，所述第一三极管的发射极外接电源，所述第二三极管的发射极接地，所述第一三极管的集电极和第二三极管的集电极均与第二电容的正极连接，所述第二电容的负极分别与第一二极管的阴极和第二二极管的阳极连接，所述第一二极管和第二二极管形成的串联回路与第三电容并联，所述第三电容的正极与第二二极管的阴极连接后接地，所述第三电容的负极与第一二极管的阳极连接，所述第一三极管为PNP型三极管，所述第二三极管为NPN型三极管，所述第三电容的两端连接有两个输出端。
[0005]作为优选，所述第一二极管和第二二极管的型号均为1N5817。
[0006]作为优选，所述第二电容的电容大小为110微安，所述第三电容的电容大小为110微安，所述电源的电压为+5V，所述电阻的阻值为6.5K。
[0007]本技术的有益效果是，该信号控制电路通过互补三极管来实现扩流，从而增大负电压电路的输出电流，适用于较大电流的负载供电，电路结构简单，针对性强。
附图说明
[0008]下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。
[0009]图1是本技术的信号控制电路的电路原理图。
具体实施方式
[0010]现在结合附图对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成。
[0011]如图1所示，一种信号控制电路，包括单片机、第二电容C2、第三电容C3、第一二极管VD1、第二二极管VD2、第一三极管VT1、第二三极管VT2和电阻R，所述单片机的型号为STM8S003，所述单片机的GPIO端通过电阻R分别与第一三极管VT1和第二三极管VT2的基极连接，所述第一三极管VT1的发射极外接电源，所述第二三极管VT2的发射极接地，所述第一
三极管VT1的集电极和第二三极管VT2的集电极均与第二电容C2的正极连接，所述第二电容C2的负极分别与第一二极管VD1的阴极和第二二极管VD2的阳极连接，所述第一二极管VD1和第二二极管VD2形成的串联回路与第三电容C3并联，所述第三电容C3的正极与第二二极管VD2的阴极连接后接地，所述第三电容C3的负极与第一二极管VD1的阳极连接，所述第一三极管VT1为PNP型三极管，所述第二三极管VT2为NPN型三极管，所述第三电容C3的两端连接有两个输出端。
[0012]作为优选，所述第一二极管VD1和第二二极管VD2的型号均为1N5817。
[0013]作为优选，所述第二电容C2的电容大小为110微安，所述第三电容C3的电容大小为110微安，所述电源的电压为+5V，所述电阻R的阻值为6.5K。
[0014]单片机的GPIO端的输出电流通过两个互补的三极管实现扩流输出，当GPIO端输出为高电平时，第二二极管VD2导通，GPIO端通过第二二极管VD2对第二电容C2充电，充满后第二电容C2两端的电压约等于电源电压，当GPIO端输出低电平时，第一二极管VD1导通，此时第二电容C2两端的电压通过第一二极管VD1对第三电容C3充电，这样在C3两端获得“上负下正”的负电压，在输出端为空载时，该负电压约等于第二电容C2两端的电压。
[0015]与现有技术相比，该信号控制电路通过互补三极管来实现扩流，从而增大负电压电路的输出电流，适用于较大电流的负载供电，电路结构简单，针对性强。
[0016]以上述依据本技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项技术的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种信号控制电路，其特征在于，包括单片机、第二电容、第三电容、第一二极管、第二二极管、第一三极管、第二三极管和电阻，所述单片机的型号为STM8S003，所述单片机的GPIO端通过电阻分别与第一三极管和第二三极管的基极连接，所述第一三极管的发射极外接电源，所述第二三极管的发射极接地，所述第一三极管的集电极和第二三极管的集电极均与第二电容的正极连接，所述第二电容的负极分别与第一二极管的阴极和第二二极管的阳极连接，所述第一二极管和第二二极管形成的串联回路与第三电容并联，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭涛，
申请(专利权)人：深圳市灵芯微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：