基于灵敏度的抗蚀剂组合物评价方法技术

一种用于包括浸渍曝光步骤的抗蚀剂图案形成方法中的正性抗蚀剂组合物的适用性评价方法，如果当使用波长为１９３ｎｍ的光源通过通常的曝光光刻法形成１３０ｎｍ的１∶１线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为Ｘ１，并且当使用波长为１９３ｎｍ的光源通过模拟浸渍光刻法形成相同的１３０ｎｍ的１∶１线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为Ｘ２，并且如果［（Ｘ２／Ｘ１）－１］×１００的绝对值不超过８．０，那么该抗蚀剂组合物被断定为是适用的，在所述模拟浸渍光刻法中，在常规曝光光刻法的选择性曝光步骤和曝光后烘焙（ＰＥＢ）步骤之间插入有使用于所述浸渍光刻的溶剂与所述抗蚀剂膜接触的步骤。还提供了负性抗蚀剂组合物的适用性评价方法。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及正性或负性抗蚀剂组合物以及使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法，所述组合物在包括浸渍光刻技术(浸渍曝光)步骤的抗蚀剂图案形成方法中使用。
技术介绍
光刻技术广泛用于在各种电子设备如半导体设备和液晶设备中制备微观结构，而这些设备结构发展地小型化引起了人们对于在这些光刻法中使用的抗蚀剂图案进一步小型化的需求。对于当前的光刻技术，使用最新的ArF准分子激光，可以形成线宽约为90nm的精细抗蚀剂图案，但是，将来需要形成更精细的图案。为了能够形成小于90nm的超细图案，首要需求是发展合适的曝光仪器和相应的抗蚀剂。在曝光仪器方面，普通的仪器是带有更短波长光源的仪器如F2激光、EUV(远紫外线)、电子束和X-射线，或者具有更大透镜数值孔径(NA)的仪器。然而，光源波长的减小需要新的并且昂贵的曝光仪器，而且如果NA值增加，则由于分辨率和焦距之间存在平衡关系，因此即使分辩率提高，焦距也会减小。针对该背景，报道了一种被称为浸渍光刻技术的方法(例如，参见非专利文献1、非专利文献2、非专利文献3)。在曝光过程中，透镜和安置于晶片之上的抗蚀剂层之间的区域通常填充有空气或惰性气体如氮气，然而在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗蚀剂组合物的适用性的评价方法，所述抗蚀剂组合物作为用于包括浸渍曝光步骤的抗蚀剂图案形成方法中的正性抗蚀剂组合物，其中如果当使用波长为１９３ｎｍ的光源通过通常的曝光光刻法形成１３０ｎｍ的１∶１线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为Ｘ１，并且当使用波长为１９３ｎｍ的光源通过模拟浸渍光刻法形成相同的１３０ｎｍ的１∶１线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为Ｘ２，并且如果［（Ｘ２／Ｘ１）－１］×１００的绝对值不超过８．０，那么该抗蚀剂组合物被断定为是适用的，在所述模拟浸渍光刻法中，在常规曝光光刻法的选择性曝光步骤和曝光后烘焙（ＰＥＢ）步骤之间插入有使用于所述浸渍光刻的溶剂与所述抗蚀剂膜接触的步骤。

【技术特征摘要】
JP 2003-1-31 2003-25152;JP 2003-2-21 2003-45000;JP1.一种抗蚀剂组合物的适用性的评价方法，所述抗蚀剂组合物作为用于包括浸渍曝光步骤的抗蚀剂图案形成方法中的正性抗蚀剂组合物，其中如果当使用波长为193nm的光源通过通常的曝光光刻法形成130nm的1∶1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X1，并且当使用波长为193nm的光源通过模拟浸渍光刻法形成相同的130nm的1∶1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X2，并且如果[(X2/X1)-1]×100的绝对值不超过8.0，那么该抗蚀剂组合物被断定为是适用的，在所述模拟浸渍光刻法中，在常规曝光光刻法的选择性曝光步骤和曝光后烘焙(PEB)步骤之间插入有使用于所述浸渍光刻的溶剂与所述抗蚀剂膜接触的步骤。2.一种抗蚀剂组合物的适用性的评价方法，所述抗蚀剂组合...

【专利技术属性】
技术研发人员：平山拓，羽田英夫，藤村悟史，岩井武，佐藤充，高须亮一，立川俊和，岩下淳，石塚启太，山田知孝，高山寿一，吉田正昭，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]