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一种用于包括浸渍曝光步骤的抗蚀剂图案形成方法中的正性抗蚀剂组合物的适用性评价方法，如果当使用波长为１９３ｎｍ的光源通过通常的曝光光刻法形成１３０ｎｍ的１∶１线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为Ｘ１，并且当使用波长为１９３ｎｍ的光源通过模拟浸渍...
该专利属于东京应化工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京应化工业株式会社授权不得商用。

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