一种P型电池及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种P型电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，以简化局部钝化接触结构的制备工艺，提高过程品质可控性，提高产品性能。所述P型电池的制作方法包括：提供一P型硅基底；在P型硅基底的第一面形成硅膜；对硅膜的局部区域进行N型掺杂，获得形成有局部掺杂部的硅膜；对形成有局部掺杂部的硅膜进行刻蚀，以去除局部掺杂部，并保留局部硅膜；对具有局部硅膜的P型硅基底的第一面进行N型掺杂；然后在局部硅膜的上形成第一电极；在P型硅基底的第二面形成第二电极。所述P型电池采用上述制作方法制作。本发明专利技术提供的P型电池的制作方法用于制作晶硅电池。制作晶硅电池。制作晶硅电池。

【技术实现步骤摘要】
一种P型电池及其制作方法


[0001]本专利技术涉及光伏
，尤其涉及一种P型电池及其制作方法。

技术介绍

[0002]太阳能电池是一种利用光生伏打效应将光能转化成电能的装置。当太阳光 照射在太阳能电池上时，太阳电池的半导体层吸收太阳光，并产生电子-空穴对。 电子-空穴对在PN结内建电场的作用下分离。当接通太阳能电池外电路时，光 生载流子(光生电子、光生空穴)可以在外电路迁移，从而使得光能以电能的形 式输出。
[0003]为了避免金属电极与硅基底直接接触造成复合，一般可以采用钝化接触的 方式降低复合速率，该钝化膜整面覆盖在硅基底的表面，对硅基底的表面进行钝 化，并与金属电极对应设置。该钝化膜可以包括隧穿层也可以不包括隧穿层。当 然，也可以选用局域钝化接触结构降低表面复合速率，但是目前局域钝化接触结 构的制备工艺比较复杂，且引入较多热处理和清洗工艺，导致太阳能电池不仅制 备成本高，过程品质也难以控制，从而影响产品性能。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种P型电池及其制作方法，以简化局部钝化接触 结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种P型电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供P型硅基底；所述P型硅基底具有相对的第一面和第二面；在所述P型硅基底的第一面形成硅膜；对所述硅膜的局部区域进行N型掺杂，获得形成有局部掺杂部的硅膜；对形成有局部掺杂部的硅膜进行刻蚀，以去除所述局部掺杂部，并保留局部硅膜；对具有所述局部硅膜的所述P型硅基底的第一面进行N型掺杂；然后在所述局部硅膜的上形成第一电极；在所述P型硅基底的第二面形成第二电极。2.根据权利要求1所述的P型电池的制作方法，其特征在于，所述硅膜为本征硅膜；或，所述硅膜为轻掺杂硅膜，所述轻掺杂硅膜轻掺杂有N型杂质元素或P型杂质元素。3.根据权利要求1所述的P型电池的制作方法，其特征在于，在所述形成有局部掺杂部的硅膜中，所述局部掺杂部含有有效掺杂浓度为10
19
cm-3
～10
22
cm-3
的N型杂质元素，所述硅膜除所述局部掺杂部外的区域含有有效掺杂浓度小于10
19
cm-3
的杂质元素。4.根据权利要求1所述的P型电池的制作方法，其特征在于，所述N型掺杂的工艺为热扩散工艺；其中，所述热扩散工艺的掺杂源形成方式为局部形成方式，所述热扩散工艺的杂质元素驱入方式为以加热设备为热源的驱入方式；或，所述热扩散工艺的掺杂源形成方式为整面形成方式，所述热扩散工艺的杂质元素驱入方式为以激光为热源的局部驱入方式。5.根据权利要求1所述的P型电池的制作方法，其特征在于，所述N型掺杂的工艺为离子注入工艺，所述离子注入工艺的离子注入设备具有掩膜板。6.根据权利要求1所述的P型电池的制作方法，其特征在于，所述刻蚀为湿法刻蚀；所述湿法刻蚀的刻蚀剂为酸性刻蚀剂或碱性刻蚀剂；或，所述刻蚀为干法刻蚀；所述干法刻蚀的刻蚀剂为含卤素元素气体。7.根据权利要求1～6任一项所述的P型电池的制作方法，其特征在于，所述对具有所述局部硅膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李华，靳玉鹏，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：