固态白光发射器及使用其的显示器制造技术

技术编号:3192000 阅读:182 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种光发射器件,其包括可连接电源的固态器件,所述电源被构造和设置以给所述固态器件提供能量以从所述固态器件中发射。一系列稀土掺杂硅和/或碳化硅的纳米微晶体,所述纳米微晶体或被结合在单层中或在独立层中,所述层产生需要的红、绿和蓝(RGB)光发射以形成白光。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及固态光发射器件,尤其涉及产生白光的固态光发射器件。
技术介绍
诸如发光二极管之类的固态发光器件是非常有用的,因为它们比常规白炽灯和荧光灯具有较低的制造成本和长持续时间的优点。由于它们的长工作(燃烧)时间和低功率消耗,即使当它们初始成本大于常规灯的初始成本时,固态发光器件也常常具有一种功能性成本收益。然而,因为可采用大规模半导体制造技术,所以可以以极低的成本大量生产固态灯。一个这种器件的例子为固态发光二极管(LED),所述固态发光二极管(LED)具有低制造成本、长工作寿命和低维护成本。发光二极管(LED)及类似构造的超发光二极管和半导体二极管激光器均是可以买到的,并且已经开发出了多种设计和制造技术。除了诸如家用和消费装置、自动视觉装备、通信器件及汽车仪表标记的指示灯的应用之外,这种LED被相当多地用于室内和室外信息显示。直到近来,LED仅仅产生红、绿、黄(amber)范围内的光,而且LED一般还不适合在多种显示应用中代替例如通常发白光的白炽灯泡。尽管,亮蓝色LED的最新引入,通过提供一种实用的装置来获得全色和白光照明,使白光LED系统被实现并且从而具有打开LED的显示市本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光发射器件,其包括:至少一个单晶片半导体发光器件,所述发光器件可连接电源以发射可见光,所述发光器件包括掺杂稀土元素的Ⅳ族纳米微晶体材料(REGIVN)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-9-8 60/500,6861.一种光发射器件,其包括至少一个单晶片半导体发光器件,所述发光器件可连接电源以发射可见光,所述发光器件包括掺杂稀土元素的IV族纳米微晶体材料(REGIVN)。2.如权利要求1所述的光发射器件,包括基片;至少一层包含掺杂稀土元素的IV族纳米微晶体材料的层,所述至少一层当被激励时共同发射可见光输出。3.如权利要求1所述的光发射器件,其特征在于所述可见光是白光。4.如权利要求1所述的光发射器件,其特征在于所述REGIVN是硅或碳化硅纳米微晶体材料。5.如权利要求2所述的光发射器件,其特征在于所述至少一层包括单层,所述单层包括用于红光、蓝光和绿光中每一个的各自稀土掺杂剂。6.如权利要求2所述的光发射器件,其特征在于所述至少一层包括三层,每层包含用于红光、蓝光和绿光中之一的各自稀土掺杂剂。7.如权利要求2所述的光发射器件,其特征在于所述至少一层包括三层,每层包含各自的稀土掺杂剂。8.如权利要求6所述的光发射器件,其特征在于所述三层被叠加堆积。9.如权利要求6所述的光发射器件,其特征在于所述三层被互相相邻布置。10.如权利要求2所述的光发射器件,其特征在于所述至少一层包括第一层,其使用IV族掺杂剂掺杂以提供绿光,所述IV族掺杂剂从包括铒、铽和钇的组中选择;第二层,其使用IV族掺杂剂掺杂以提供蓝光,所述IV族掺杂剂从包括铥和铈的组中选择;第三层,其使用IV族掺杂剂掺杂以提供红光,所述IV族掺杂剂从包括铕和镨(prasodymium)的组中选择。11.如权利要求2所述的光发射器件,其特征在于所述至少一层包括单独层,所述单独层掺杂第一IV族掺杂剂以提供绿光,所述第一IV族掺杂剂从包括铒、铽和钇的组中选择,所述单独层掺杂第二IV族掺杂剂以提供蓝光,所述第二IV族掺杂剂从包括铥和铈的组中选择,所述单独层还掺杂IV族掺杂剂以提供红光,所述IV族掺杂剂从包括铕和镨的组中选择。12.如权利要求2所述的光发射器件,其特征在于所述至少一层包括第一层,其使用铒掺杂以提供绿和蓝光;硅纳米微晶体材料的第二未掺杂层,以提供红光。13.如权利要求2所述的光发射器件,其特征在于所述至少一层包括第一层,其使用铒掺杂以提供绿和蓝光;第二层,其使用IV族掺杂剂掺杂以提供红光,所述IV族掺杂剂从包括铕和镨的组中选择。14.如权利要求1所述的光发射器件,进一步包括第一电极和第二透明电极,电源信号被施加在所述第一电极和所述第二透明电极之间以激励所述光发射器件。15.如权利要求14所述的光发射器件,其特征在于所述第一电极是透明导电氧化物电极或半透明金属电极。16.如权利要求2所述的光发射器件,其特征在于所述基片是导电基片。17.如权利要求16所述的光发射器件,其特征在于所述基片由包括SiC、GaN和ZnO的组中选择的材料制造。18.如权利要求2所述的光发射器件,其特征在于所述基片为实质上不导电的基片。19.如权利要求18所述的光发射器件,其特征在于所述基片由从包括蓝宝石、二氧化硅、熔融石英和氮化铝(AlN)的组中选择的材料制造。20.如权利要求1所述的光发射器件,进一步包括外壳部件,所述外壳部件由透光材料形成,所述外壳部件在其内限定内部容积。21.如权利要求20所述的光发射器件,进一步包括延伸通过所述外壳部件且可连接至电源的第一和第二电接触,所述电源被构造和设置用于将电压施加在所述发光器件上,以引起所述白光的发射。22.一种如权利要求1所述的光发射器件的阵列,以及一种用于选择性的使所述发光器件中特定器件发光的用户响应控制器。23.如权利要求1所述的光发射器件,进一步包括II-VI族或III-V族纳米微晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员:史蒂文E希尔
申请(专利权)人:第四族半导体有限公司
类型:发明
国别省市:CA[加拿大]

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