【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制作结的方法以及采用所述方法形成的已加工材料,具体来讲,涉及一种制作用于在半导体衬底上形成电子器件的结的方法,以及一种制作用于在衬底上形成电子器件的结的方法,用于形成液晶屏,在所述衬底的绝缘衬底表面上形成半导体薄膜。
技术介绍
例如,在半导体衬底内形成器件区域的过程中,用到了大量的pn结。通过绝缘膜在衬底表面上形成的具有硅薄膜的SOI(绝缘体上硅)已经在诸如DRAM的几种半导体器件中得到了广泛应用。此外,通过在半导体薄膜中集成包含薄膜晶体管(TFT)的液晶驱动电路,尝试液晶的微型化和高速化,使得在衬底表面上形成半导体薄膜的玻璃衬底引起了广泛注意。如上所述,在形成各种半导体器件的过程中,采用pn结。传统上,为了形成这些pn结,采用了一种方法,在这种方法中,在通过离子注入在n型Si衬底中引入诸如硼的p型杂质之后,通过卤素灯对其进行电激活。例如,除了离子注入外,作为一种引入p型杂质硼的方法,等离子体掺杂预计将成为能够以非常低的能量有效引入粒子的下一代方法。作为一种用于对硼离子等注入离子进行电子激活的方法,采用除了已经得到了研究和发展的卤素灯光照之外的氙闪光灯光照、全固体激光器光照或准分子激光器光照。所有的氙闪光灯光照、固体激光器光照和准分子激光器光照的强度峰值所在的波长均比卤素灯光照的强度峰值所在的波长短。例如,常规的卤素灯光照在1000-1100nm处具有强度峰值,而氙灯光照则在400-500nm的波长处具有强度峰值,准分子激光器光照则在400或更低的波长处具有强度峰值。由于它们的峰值位于较短波长处,所以能够在硅(Si)中得到有效的吸收( ...
【技术保护点】
一种制作结的方法,其包括:在半导体衬底的表面上形成薄膜,所述薄膜含有能够在半导体衬底内部被电激活的元素;以及在所述半导体衬底上施加在大于375nm(包括)的波长处具有强度峰值的光,从而对所述薄膜进行有选择地激励,由此对所述薄 膜内部的所述元素进行电激活。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-10-9 350368/20031.一种制作结的方法,其包括在半导体衬底的表面上形成薄膜,所述薄膜含有能够在半导体衬底内部被电激活的元素;以及在所述半导体衬底上施加在大于375nm(包括)的波长处具有强度峰值的光,从而对所述薄膜进行有选择地激励,由此对所述薄膜内部的所述元素进行电激活。2.如权利要求1所述的制作结的方法,其中,所述光施加步骤满足与所述薄膜的光吸收相关的至少一个条件,假设波长为λ(nm),吸收为A(%),在从375nm(包括)到500nm的波长范围内,A>7E32λ-12.316;在从500nm(包括)到600nm的波长范围内,A>2E19λ-7.278;在从600nm(包括)到700nm的波长范围内,A>4E14λ-5.5849;在从700nm(包括)到800nm的波长范围内,A>2E12λ-4.7773。3.如权利要求1所述的制作结的方法,其中,所述光施加步骤满足与所述薄膜的光吸收系数相关的至少一个条件,假设波长为λ(nm),吸收系数为α(cm-1),在从375nm(包括)到500nm的波长范围内,α>1E38λ-12.505;在从500nm(包括)到600nm的波长范围内,α>1E24λ-7.2684;在从600nm(包括)到700nm的波长范围内,α>2E19λ-5.5873;在从700nm(包括)到800nm的波长范围内,α>1E17λ-4.7782。4.如权利要求1到3中的任意一项所述的制作结的方法,其特征在于所述半导体衬底为N型硅(Si)衬底,且所述杂质为提供至所述Si衬底表面的硼。5.如权利要求1到4中的任意一项所述的制作结的方法,其特征在于在从375nm(包括)到800nm(包括)的波长范围内具有强度峰值的所述光为氙闪光灯光。6.如权利要求1到5中的任意一项所述的制作结的方法,其包括的步骤有通过等离子体掺杂,在n-Si(100)衬底和平面具有几度倾斜的n-Si(100)衬底中引入硼作为杂质;以及向所述引入了硼的n-Si(100)衬底施加从375nm(包括)到800nm(包括)的激光,从而对硼进行电激活,其特征在于所述引入硼的n-Si(100)衬底对波长从375nm(包括)到800nm(包括)的光具有A>1E19λ-6.833的光吸收。7.如权利要求1到6中的任意一项所述的制作结...
【专利技术属性】
技术研发人员:佐佐木雄一朗,金成国,水野文二,
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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