在显示器的生产中清洁遮罩的方法(变体)及实施所述方法的装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种清洁遮罩的方法及其实施装置。在本发明专利技术方法的第一变体中，其上安置有遮罩的冷却支架安装在真空室中；通过聚焦的带状离子束对朝向离子源的发射表面的接受处理的遮罩表面进行扫描。所选择扫描的切向速度使得在单次离子束通过遮罩表面期间，遮罩表面单元所接收到的能量数额不会超过对应于最大容许过热的热量，氧或其混合物用作形成离子的气体。在所述方法的第二变体中，附加地通过夹紧机构将遮罩压到支架上，以确保冷却支架和不接受处理的遮罩表面之间的热接触。用于实施所述方法的任一变体的装置包括真空室、至少一个安置于真空室中的离子源、遮罩冷却支架。离子源被设计成能够改变离子束与进行处理的遮罩表面之间交会的坐标位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的清洁遮罩的方法(变体)以及实施所述方法的装置用于遮罩的真空清洁领域，其中所述清洁是在OLED(有机发光二极管)显示器的生产中通过使用活性离子束对污染表面进行刻蚀，除去有机及无机材料层。
技术介绍
有一种公知的对表面进行清洁以去除机械污染物的方法，该方法通过喷射压缩的二氧化碳CO2对要清洁的表面进行处理，其中所述压缩的二氧化碳转变为干冰微粒并且通过这些颗粒有效地清洁所述表面以去除机械污染有机混合物〔1〕。该方法的缺点在于这样的事实，即由于其化学特性，二氧化碳自身是一种污染物，此外，二氧化碳还溶解许多有机化合物，包括碳氢化合物，从而以这样的方式大大地加重其特有的污染。因此，通过二氧化碳对表面，例如超大型集成电路，进行清洁时欠缺效率。还有一种公知的使用低温气雾剂的表面清洁方法，依据该专利技术，在该方法中，将板体安置在高清洁度的真空室中，通过剧烈喷射温度接近氩的熔点的液化气体，氩和氮，对板体的表面进行处理。在该实例中，通过液态氮气雾剂以及固体氩微粒处理表面，在进行活性离子束刻蚀之后，所述处理有效地清洁需要处理的表面，以去除机械污染物，包括亚微型颗粒以及聚合体残余物〔2〕。另还有一种公知的表面清洁方法，该方法包括将需要清洁的板体安置在真空室内，通过剧烈喷射低温氮氩气雾剂而对板体的表面进行处理，依据该专利技术，在该方法中，将氧混合物引入到低温氮氩气雾剂内，并且通过波长低于200纳米的UV辐射对接受清洁的表面进行处理，同时，通过低温气雾剂喷射进行处理〔3〕。另外，在该公知的方法中，描述了包括真空室、辐射源以及通过UV辐射处理的板体的装置〔3〕。然而，所述公知方法〔2和3〕以及装置〔3〕具有以下缺点在对物件进行清洁以去除有机污染物时效率低下；当对超薄物件进行清洁时不能消除物件的变形；不能确保高质量清洁；不能解决与清除无机混合物有关的问题；生产率低。依据技术实质，与所提出的专利技术最为接近的是通过离子源对物件进行处理的方法和装置。公知的方法包括通过离子源在真空室中形成离子束；将物件安置在真空室内并位于所述源的发射表面的前面，依据该专利技术，在这种情况下，从物件到离子源发射表面的距离应当超过与再充电过程相关的离子的自由行程。用于实施该方法的装置包括真空室、离子源、以及安置在真空室内并位于离子源发射表面的前面的物件。在这种情况下，从物件到离子源发射表面的距离超过与再充电过程相关的离子的自由长度〔4〕。然而，所述公知的方法和装置既不能确保物件(例如遮罩)的污染表面的清洁质量以及高生产率，在对超薄物件进行处理时，也不能确保物件的几何尺寸偏离其初始几何尺寸。将用在要求保护的专利技术中的物件视为遮罩，其中所述遮罩将用于OLED(有机发光二极管)显示器的生产中。此类遮罩为一片焊接到处于伸张状态的大的金属框架上的薄箔片。此类遮罩的厚度为15到60微米。在其领域中，常规样式具有通孔，其中气化材料即为穿过所述通孔而击中基体。在工作的真空室中，通过上述遮罩将涂料涂敷到基体上。当遮罩使用了若干循环之后，需要对其表面进行清洁以去除有机和无机沉积物。为了进行所述清除，应当将遮罩从工作真空室转移到输送真空室，再从后者将其转移到真空清洁室，其所述真空清洁室中，对遮罩表面进行清洁，从而能够在工作真空室中进一步使用所述遮罩，以将涂料涂敷到基体上。OLED显示器的组装线生产的特殊性要求遮罩在真空室中进行清洁，即，不将遮罩从其内移出。在这方面，真空条件下的离子束刻蚀是最为令人满意的清除遮罩表面以去除各种沉积物的工艺过程。在其内对遮罩表面进行离子束刻蚀的真空清洁室以下将称为真空室。
技术实现思路
所提出的专利技术旨在加速物件的清洁；降低清洁温度；减少清洁物件所需要的时间；提高清洁超薄(15到60微米)物件(遮罩)以去除有机和无机沉积物的质量；保持超薄物件的初始几何结构；消除物件在清洁过程中的损坏和变形； 提高生产率。所产生的问题通过如下要求保护的专利技术(方法的变体及实施所述方法的装置)加以解决依据第一变体，在显示器的生产中对遮罩进行清洁的方法包括通过离子源在真空室中形成离子束，将遮罩安置在所述室中并使其位于离子源的发射表面的前面，依据本专利技术，真空室设置有一个冷却支架，其中遮罩安置在所述支架上，这样，聚焦的带状离子束扫描面对着离子源的发射表面的、需要处理的遮罩表面，以这样的方式选择扫描的切向速度，从而使得在单次离子束通过该表面的期间，遮罩表面单元所接收到的能量数额不会超过对应于最大容许过热的热量，且氧或其混合物将被用作形成离子的气体。此外，氧与下列气体混合Ar、He、Kr、Ne、N2、CxHy、CxFy，且混合物中的氧含量超过10％。依据第二变体，在显示器的生产中对遮罩进行清洁的方法包括通过离子源在真空室中形成离子束，将遮罩安置在所述室中并使其位于离子源的发射表面的前面，依据本专利技术，真空室设置有一个冷却支架，其中遮罩安置在所述支架上；通过加紧机构，使遮罩紧贴支架，以确保冷却支架与不进行处理的遮罩表面之间的热接触而面对着离子源的发射表面的需要处理的遮罩表面则由聚焦的带状离子束扫描，以这样的方式选择扫描的切向速度，从而使得在单次离子束通过该表面的期间，遮罩表面单元所接收到的能量数额不会超过对应于最大容许过热的热量，且氧或其混合物将被用作形成离子的气体。如同在第一变体中，在实施所述方法的第二变体中，氧与下列气体混合Ar、He、Kr、Ne、N2、CxHy、CxFy，而混合物中的氧含量超过10％。此外，所述方法的第二变体通过由磁场源所产生的磁场将遮罩夹持到冷却支架的表面上。用于实施依据两个变体的所述方法的装置同样旨在解决该问题。依据本专利技术，包含有真空室以及安装于其中的至少一个离子源和遮罩的所述装置额外地设置有一个安置在真空室内部的冷却支架以及安置在真空室的上面和/或内部的夹紧机构，其中，所述遮罩经受处理的表面面对着离子源的发射表面，所述夹紧机构是为了使遮罩紧贴冷却支架并确保冷却支架与遮罩不接受处理的表面(无污染表面)之间的热接触；离子源被设计成能够改变离子束与进行处理的遮罩表面之间交会的坐标位置。具有直线型阳极层的加速器可用作离子源，离子源自身相对于冷却支架具有间隙安置在定位部件中。定位部件装配有一个旋转齿轮，所述旋转齿轮使得所述定位部件能够与离子源一同旋转，定位部件被定向成平行于离子源和冷却支架的纵向轴线。在该情况下，离子源连同定位部件的旋转角度由安置在真空室中的源的数量以及遮罩尺寸(面积)确定。此外，所要求保护的装置可包含两个或多个离子源，并且，如果所述离子源安置于其内的定位部件例如是平行的话，则所述离子源位于平行于遮罩平面的相同平面内，如果所述定位部件不平行(例如相互垂直)，则所述离子源位于不同的平面内。在所提出的装置中，将旋转齿轮设计成能够改变定位部件的转动速度。在所述装置的设计中，所使用的夹紧机构为多极磁系统，其安装在与遮罩相反的冷却支架的侧部。磁系统由磁性材料制成的遮罩闭合。在该实例中，多极磁系统为一组永久磁体，并且将其安装成使其能够沿着垂直于将要处理的遮罩表面的平面的方向移动。依据所要求保护的第一变体，在显示器的生产中对遮罩进行清洁的方法如下所述。将受污染的遮罩安置在一个例如输送盒体的固定部件中并安装在置于真空室中的支架上。向冷却支架供应冷水，并且以这样的方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在显示器的生产中清洁遮罩的方法，所述方法包括通过离子源在真空室中形成离子束以及将遮罩安置在所述室中并使其相对于离子源发射表面，其特征在于，将冷却支架连同所安置的遮罩定位在真空室中，从而能够通过聚焦的带状离子束对面对着离子源的发射表面的、接受处理的遮罩表面进行扫描；以这样的方式选择扫描的切向速度，从而使得在单次离子束通过遮罩表面期间，遮罩表面元件所接收到的能量数额不会超过对应于最大容许过热的热量，并且，其中氧或其混合物被用作形成离子的气体。

【技术特征摘要】
EA 2005-6-7 2005010861.一种在显示器的生产中清洁遮罩的方法，所述方法包括通过离子源在真空室中形成离子束以及将遮罩安置在所述室中并使其相对于离子源发射表面，其特征在于，将冷却支架连同所安置的遮罩定位在真空室中，从而能够通过聚焦的带状离子束对面对着离子源的发射表面的、接受处理的遮罩表面进行扫描；以这样的方式选择扫描的切向速度，从而使得在单次离子束通过遮罩表面期间，遮罩表面元件所接收到的能量数额不会超过对应于最大容许过热的热量，并且，其中氧或其混合物被用作形成离子的气体。2.依据权利要求1所述的方法，其特征在于，氧与下列气体混合，即Ar、Xe、Kr、Ne、N2、CxHy、CxFy。3.依据权利要求1和2中的任一项所述的方法，其特征在于，混合物中氧超过10％。4.一种在显示器的生产中清洁遮罩的方法，所述方法包括通过离子源在真空室中形成离子束以及将遮罩安置在所述室中并使其相对于离子源发射表面，其特征在于，将冷却支架连同所安置的遮罩定位在真空室中，通过加紧机构使遮罩紧贴支架，以确保冷却支架和遮罩不进行处理的表面之间的热接触，而面对着离子源的发射表面的遮罩接受处理的表面，则被聚焦的带状离子束扫描；以这样的方式选择扫描的切向速度，从而使得在单次离子束通过遮罩表面期间，遮罩表面单元所接收到的能量数额不会超过对应于最大容许过热的热量，并且，其中氧或其混合物被用作形成离子的气体。5.依据权利要求4所述的方法，其特征在于，氧与下列气体混合，即Ar、Xe、Kr、Ne、N2、CxHy、CxFy。6.依据权利要求4和5中的任一项所述的方法，其特征在于，混合物中氧超过10％。7.依据权利要求4所述的方法，其特征在于，通过由磁场源所产生的磁场使遮罩紧贴冷却支架的表面。8.一种装置，用于实施依据权利要求1、...

【专利技术属性】
技术研发人员：希里波夫弗拉基米尔雅科夫莱维奇，希萨莫夫艾拉特哈米图维奇，马雷舍夫谢尔盖帕夫洛维奇，
申请(专利权)人：希里波夫弗拉基米尔雅科夫莱维奇，希萨莫夫艾拉特哈米图维奇，马雷舍夫谢尔盖帕夫洛维奇，
类型：发明
国别省市：BY[白俄罗斯]