一种沟棒及硅片舟及硅片舟制作方法技术

本发明专利技术公开了一种沟棒，所述的沟棒包括沟棒基体和垂直设置在沟棒基体上的若干接触体，相邻接触体与接触体之间形成沟槽，所述的沟棒基体上均布有若干下沉孔，所述的接触体插设在下沉孔内部，所述的接触体与下沉孔之间形成微小空隙，所述的微小空隙内部注有硅溶胶，所述的接触体与下沉孔内部的硅溶胶经精烧后粘结为一体。还公开了一种硅片舟及其制作方法。由此形成的沟棒支撑面上没有刀痕，实现了沟棒高精度、低粗糙度（降低崩边率）要求，提升了沟棒的生产效率，降低了沟棒的制造成本。该硅片舟，采用点接触或短线接触，减少硅片接触面积，方便硅片插入，提高硅片的装载量，降低硅片划伤、崩边风险和热传递不均造成的背封膜厚不均。崩边风险和热传递不均造成的背封膜厚不均。崩边风险和热传递不均造成的背封膜厚不均。

【技术实现步骤摘要】
一种沟棒及硅片舟及硅片舟制作方法


[0001]本专利技术本涉及半导体制备装置领域，具体涉及到一种能方便硅片插入、提高硅片热处理质量、降低制造成本的沟棒及硅片舟及硅片舟的制作方法。

技术介绍

[0002]硅片是现代超大规模集成电路的主要衬底材料，一般通过拉晶、切片、倒角、磨片、腐蚀、背封、抛光、清洗等工艺过程做成的集成电路级半导体硅片。硅片热处理（背封）是硅器件衬底加工过程中一个重要的工序，热处理可以使硅片中的氧形成沉积，从而稳定硅片的电阻率，对集成电路制备性能有着极为重要的影响。这时候就需要一种能装载半导体芯片的载体,将半导体芯片放在载体上，再放入热处理炉进行处理,这种载体就是硅片舟。现在市面上普遍用于承载硅片的硅片舟是采用高纯度石英、多晶硅、碳化硅制造。
[0003]作为硅片舟的主要部品沟棒是唯一与硅片直接接触的部品，其设计尤为重要。传统的沟棒大多是圆形棒，圆形棒上设置多个等距且相互平行的矩形槽，矩形槽与硅片的接触是面接触，接触面积大，不仅对硅片热处理（如扩散、沉积等）造成不均匀现象，而且也给硅片插入造成困难，造成划伤，甚至因热处理粘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟棒，其特征在于：所述的沟棒（1）包括沟棒基体（2）和垂直设置在沟棒基体（2）上的若干接触体（3），相邻接触体与接触体之间形成沟槽（4），所述的沟棒基体上均布有若干下沉孔（6），所述的接触体（3）插设在下沉孔内部，所述的接触体（3）与下沉孔之间形成微小空隙，所述的微小空隙内部注有硅溶胶（12），所述的接触体（3）与下沉孔（6）内部的硅溶胶（12）经精烧后粘结为一体。2.根据权利要求1所述的一种沟棒，其特征在于：所述的沟棒基体（2）上设置有通过平磨精烧形成的支撑面（5），所述的若干下沉孔（6）均布在支撑面（5）上。3.根据权利要求1所述的一种沟棒，其特征在于：所述的接触体（3）为表面喷砂粗化表面。4.根据权利要求1至3任意一项所述的一种沟棒，其特征在于：所述的接触体（3）为点接触体或短线接触体，所述的接触体（3）的外形尺寸自底部向顶部依次递减设置。5.根据权利要求1至3任意一项所述的一种沟棒，其特征在于：所述的硅溶胶（12）为高纯电子级无机硅溶胶；无机硅溶胶的配比以重量份计：纳米SiO2为30～40，纯水为20～40，分散剂为20～50，其中分散剂为甲醇，纳米SiO2的粒度为10～50纳米粒度。6.一种硅片舟，其特征在于：所述的硅片舟包括权利要求1至5任意一项所述的沟棒（1）。7.根据权利要求6所述的硅片舟，其特征在于：所述的硅片舟包括法兰（7）、天板（8）和设置于法兰（7）和天板（8）之间的若干沟棒（1），所述的沟棒（1）垂直法...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴青锋，吴然红，杨军，
申请(专利权)人：杭州大和热磁电子有限公司，
类型：发明
国别省市：