树脂组合物、光纤的次级被覆材料、光纤以及光纤的制造方法技术

技术编号:31902676 阅读:21 留言:0更新日期:2022-01-15 12:39
本发明专利技术涉及一种光纤被覆用的树脂组合物,包括:含有低聚物、单体以及光聚合引发剂的基础树脂;以及无机氧化物粒子,所述无机氧化物粒子包含具有不同体积平均粒径的多个粒子群,利用X射线小角散射法测定所述体积平均粒径。利用X射线小角散射法测定所述体积平均粒径。利用X射线小角散射法测定所述体积平均粒径。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】树脂组合物、光纤的次级被覆材料、光纤以及光纤的制造方法


[0001]本专利技术涉及树脂组合物、光纤的次级被覆材料、光纤以及光纤的制造方法。本专利申请要求基于2019年6月19日提出的日本专利申请第2019

113482号的优先权,并且援引了该日本专利申请所记载的全部记载内容。

技术介绍

[0002]通常,光纤具有用于保护作为光传输体的玻璃纤维的被覆树脂层。被覆树脂层通常具备初级树脂层和次级树脂层。
[0003]为了减小对光纤施加侧压时发生的微小弯曲所引起的传输损耗的增加,要求光纤具有优异的侧压特性。例如,在专利文献1中,研究了通过使用含有以合成石英为原料的填料的紫外线固化型树脂组合物来形成次级树脂层,从而改善光纤的侧压特性。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2014

219550号公报

技术实现思路

[0007]本专利技术的一个方式涉及的树脂组合物是光纤被覆用的树脂组合物,包括:含有低聚物、单体以及光聚合引发剂的基础树脂;以及无机氧化物粒子,所述无机氧化物粒子包含具有不同体积平均粒径的多个粒子群,利用X射线小角散射法测定所述体积平均粒径。
附图说明
[0008][图1]图1是表示本实施方式涉及的光纤的一个例子的示意性剖面图。
具体实施方式
[0009][本专利技术要解决的课题][0010]向树脂组合物中导入填料是导致树脂组合物的涂布性降低的重要原因。<br/>[0011]本专利技术的目的在于提供一种可以实现次级树脂层所需要的高侧压特性、并且涂布性也优异的树脂组合物。
[0012][本专利技术的效果][0013]根据本专利技术,能够提供一种可以实现次级树脂层所需要的高侧压特性、并且涂布性也优异的树脂组合物。
[0014][本专利技术实施方式的说明][0015]首先,列举本专利技术实施方式的内容并进行说明。本专利技术的一个方式涉及的树脂组合物是一种光纤被覆用的树脂组合物,包括:含有低聚物、单体以及光聚合引发剂的基础树脂;以及无机氧化物粒子,所述无机氧化物粒子包含具有不同体积平均粒径的多个粒子群,利用X射线小角散射法测定所述体积平均粒径。上述树脂组合物优选用作光纤被覆用的紫
外线固化性树脂组合物。
[0016]通过使用具有不同体积平均粒径的多个粒子群作为无机氧化物粒子,能够得到可以实现次级树脂层所需要的高侧压特性、并且涂布性也优异的树脂组合物。另外,所得的光纤的耐油性提高。
[0017]在一个方式中,无机氧化物粒子可以为含有选自由二氧化硅、二氧化锆、氧化铝、氧化镁、氧化钛、氧化锡以及氧化锌构成的组中的至少1种的粒子。这些粒子在树脂组合物中的分散性优异、且容易调节杨氏模量。
[0018]在一个方式中,无机氧化物粒子可以为疏水性。导入了疏水性基团的无机氧化物粒子在树脂组合物中的分散性优异。
[0019]在一个方式中,无机氧化物粒子可以包含选自由体积平均粒径为5nm以上35nm以下的A粒子群、体积平均粒径为超过35nm且70nm以下的B粒子群、以及体积平均粒径为超过70nm且150nm以下的C粒子群构成的组中的至少2种。由此,能够得到可以更容易实现次级树脂层所需要的高侧压特性、并且涂布性更优异的树脂组合物。
[0020]本专利技术的一个方式涉及的光纤的次级被覆材料包含上述树脂组合物。通过使用上述树脂组合物形成次级树脂层,能够得到侧压特性优异的光纤。
[0021]本专利技术的一个方式涉及的光纤具备:含有芯部和包层的玻璃纤维、与玻璃纤维接触并被覆该玻璃纤维的初级树脂层、以及被覆初级树脂层的次级树脂层,次级树脂层由上述树脂组合物的固化产物构成。这样的光纤的侧压特性优异。
[0022]本专利技术的一个方式涉及的光纤具备:含有芯部和包层的玻璃纤维、与玻璃纤维接触并被覆该玻璃纤维的初级树脂层、以及被覆初级树脂层的次级树脂层,次级树脂层含有无机氧化物粒子,无机氧化物粒子包含具有不同体积平均粒径的多个粒子群,利用X射线小角散射法测定体积平均粒径。这样的光纤的侧压特性优异。
[0023]本专利技术的一个方式涉及的光纤的制造方法包括:将上述树脂组合物涂布在由芯部和包层构成的玻璃纤维的外周的涂布工序;以及在涂布工序后通过照射紫外线使树脂组合物固化的固化工序。由此,能够制作出侧压特性优异的光纤。
[0024][本专利技术实施方式的详细说明][0025]根据需要参照附图对本专利技术实施方式涉及的树脂组合物和光纤的具体例子进行说明。需要说明的是,本专利技术不限于这些示例,而是由权利要求书所表示,并且意图包括与权利要求书等同的意义和范围内的所有变化。在下述说明中,在附图的说明中相同的要素标注相同的符号,并且省略重复的说明。
[0026]&lt;树脂组合物&gt;
[0027]本实施方式涉及的树脂组合物包括:含有低聚物、单体以及光聚合引发剂的基础树脂;以及无机氧化物粒子。
[0028](无机氧化物粒子)
[0029]作为无机氧化物粒子,没有特别地限定,但是从在树脂组合物中的分散性优异、并且容易调节杨氏模量的观点来看,该无机氧化物粒子优选为含有选自由二氧化硅(氧化硅)、二氧化锆(氧化锆)、氧化铝(alumina)、氧化镁(magnesia)、氧化钛(titania)、氧化锡以及氧化锌构成的组中的至少1种的粒子。从价格低廉、容易进行表面处理、具有紫外线透过性、容易对树脂层赋予适度的硬度等观点来看,更优选使用氧化硅粒子作为本实施方式
涉及的无机氧化物粒子。
[0030]无机氧化物粒子优选为疏水性。具体而言,优选通过硅烷化合物对无机氧化物粒子的表面进行疏水处理。这里的疏水处理是指在无机氧化物粒子的表面导入疏水性的基团。导入了疏水性的基团的无机氧化物粒子在树脂组合物中的分散性优异。作为疏水性的基团,可以为(甲基)丙烯酰基、乙烯基等紫外线固化性的反应性基团;或者烃基(例如烷基)、芳基(例如苯基)等非反应性基团。在无机氧化物粒子具有反应性基团的情况下,容易形成杨氏模量高的树脂层。
[0031]作为具有反应性基团的硅烷化合物,例如可以列举出:3

甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3

丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3

甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3

丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、8

甲基丙烯酰氧基辛基三甲氧基硅烷、8

丙烯酰氧基辛基三甲氧基硅烷、7

辛烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷以及乙烯基三乙氧基硅烷等硅烷化合物。
[0032]作为具有烷基的硅烷化合物,例如可以列举出:甲基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、丁基三甲氧基硅烷、戊基三甲氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、丙基三乙氧基硅烷、丁基三本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光纤被覆用的树脂组合物,包括:含有低聚物、单体以及光聚合引发剂的基础树脂;以及无机氧化物粒子,所述无机氧化物粒子包含具有不同体积平均粒径的多个粒子群,利用X射线小角散射法测定所述体积平均粒径。2.根据权利要求1所述的树脂组合物,其中,所述无机氧化物粒子为含有选自由二氧化硅、二氧化锆、氧化铝、氧化镁、氧化钛、氧化锡以及氧化锌构成的组中的至少1种的粒子。3.根据权利要求1或权利要求2所述的树脂组合物,其中,所述无机氧化物粒子为疏水性。4.根据权利要求1至权利要求3中任意一项所述的树脂组合物,其中,所述无机氧化物粒子包含选自由体积平均粒径为5nm以上35nm以下的A粒子群、体积平均粒径为超过35nm且70nm以下的B粒子群、以及体积平均粒径为超过70nm且150nm以下的C粒子群构成的组中的至少2种。5.一种光纤的次级被覆材料...

【专利技术属性】
技术研发人员:浜洼胜史德田千明岩口矩章德田一弥
申请(专利权)人:住友电气工业株式会社
类型:发明
国别省市:

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