迷走神经刺激来处理神经退行性障碍制造技术

描述了使用迷走神经刺激来处理脱髓鞘障碍和/或血脑屏障的障碍的系统、器件和方法。本文所述的迷走神经刺激疗法被配置为减少或防止脱髓鞘和/或促进髓鞘再生，从而处理与脱髓鞘有关的各种障碍，例如多发性硬化症。可以使用具有相对较短的导通时间和相对较长的关断时间的低占空比的刺激方案。时间的低占空比的刺激方案。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】迷走神经刺激来处理神经退行性障碍
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年4月12日提交的题为“VAGUS NERVE STIMULATION TO TREAT NEURODEGENERATIVE DISORDERS”的美国临时专利申请第62/833,631号的优先权，该申请通过引用以其整体并入本文。
[0003]本专利申请可能与2018年10月11日提交的题为“VAGUS NERVE STIMULATION TO TREAT NEURODEGENERATIVE DISORDERS”的美国专利申请第16/158,222号相关，要求于2017年10月13日提交的题为“VAGUS NERVE STIMULATION TO TREAT NEURODEGENERATIVE DISORDERS”的美国临时专利申请第62/572,374号、以及于2017年10月24日提交的题为“VAGUS NERVE STIMULATION TO TREAT NEURODEGENERATIVE DISORDERS”的美国临时专利申请第62/576,547号的优先权，这些申请的每一件都通过引用以其整体并入本文。
[0004]引用并入
[0005]本说明书中所提及的所有出版物和专利申请均通过引用并入本文，其程度如同每个单独的出版物或专利申请被具体和单独地指示通过引用并入。


[0006]本专利技术的实施例一般涉及用于通过迷走神经刺激来处理神经退行性和神经炎性障碍的装置(例如，器件、系统)和方法，更具体地说，用于刺激迷走神经来减少脱髓鞘(例如，通过防止免疫细胞浸润到CNS中)和/或促进髓鞘再生来处理各种神经退行性和神经炎性障碍，例如多发性硬化症的装置和方法。

技术介绍

[0007]多种中枢神经系统(CNS)脱髓鞘障碍，包括多发性硬化症、急性播散性脑脊髓炎和视神经脊髓炎谱系障碍，难以得到有效治疗。例如，多发性硬化症(MS)是一种神经退行性和神经炎性疾病，其特征在于中枢神经系统中的神经的脱髓鞘。尽管脱髓鞘的根本原因尚不清楚，但它通常与髓鞘病变和炎症的形成有关。目前，没有已知的MS治愈方法。目前的处理取得了一定的成功，主要针对处理急性发作和减少疾病复发
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缓解亚型的发作频率或处理症状。然而，目前的疗法充其量只能减缓疾病的进展，并且迄今为止还没有任何疗法证明能够使神经髓鞘再生。
[0008]因此，将需要提供可以独立使用或与其他疗法结合使用以降低脱髓鞘的速率或量的额外疗法和系统。此外，将希望提供一种使神经髓鞘再生并且逆转脱髓鞘进展的疗法。

技术实现思路

[0009]本专利技术总体上涉及迷走神经刺激来处理神经退行性和神经炎性障碍，并且更具体地说，涉及通过迷走神经刺激来减少脱髓鞘和/或促进髓鞘再生来处理各种神经退行性和神经炎性障碍，例如多发性硬化症。
[0010]例如，本文描述了用于通过刺激迷走神经来减少脱髓鞘和/或增加髓鞘再生的装
置(例如，器件和/或系统)。这些装置可以是植入物或被植入患者体内。这些装置中的任何一个可以包括：生物传感器，其配置为检测一个或多个生物标志物；刺激器，其配置为对迷走神经施加刺激；和耦合到生物传感器和刺激器的控制器，其配置为当生物传感器检测到指示脱髓鞘的生物标志物时，从刺激器向迷走神经施加足以在患者体内减少脱髓鞘和/或增加神经的髓鞘再生的刺激。在一些变体中，这些装置包括植入物，该植入物包括刺激器(例如，波形和/或脉冲发生器、振荡器、电源和/或功率调节电路等)，刺激施加器(例如，一个或多个电极、机械换能器等)和控制器。控制器可以被配置为微控制器，并且可以与刺激器电通信以便控制刺激器的操作。控制器可包括一个或多个处理器、存储器和/或定时器。刺激器和/或控制器可以与一个或多个刺激施加器电通信。在一些变体中，控制器可以包括无线通信电路或与无线通信电路通信，用于与一个或多个远程处理器进行无线通信。远程处理器可以是手持器件(例如，智能手机、可穿戴电子设备等)。控制器可以任选地与一个或多个生物传感器通信，这些生物传感器可包括在植入物中或者可以远离植入物(例如，可以是可穿戴的、一次性使用的等)。在一些变体中，生物传感器与装置无线连接。
[0011]在一些变体中，该装置可以在没有生物传感器的情况下使用。例如，该装置可以被配置为周期性地和/或根据需要施加VNS处理来防止或减少脱髓鞘。该装置可以被配置为每天多次(例如，1天1次、1天2次、1天3次、1天4次、1天5次、1天6次)或每隔一天或每3天等施加一次VNS处理剂量。在一些变体中，该装置可以被配置为在预定的和/或可调整的预定时间上自动施加VNS处理剂量，以及基于来自用户(例如，患者、医生等，包括“按需”剂量)的输入和/或基于检测到指示脱髓鞘的实际或潜在增加的生物标志物来提供VNS处理剂量。
[0012]在这些变体中的任何一个中，生物传感器可以被配置为检测来自患者身体(包括来自患者的血液和/或脑脊液)的一个或多个标志物(例如，生物标志物)。生物标志物的示例可以在本文中找到。生物传感器可以是植入装置的一部分，或者它可以通过有线或无线通信连接到装置(例如，控制器)。生物传感器可以被配置为检测任何生物标志物，包括化学标志物(例如，蛋白质、核苷酸，例如，RNA、DNA、微RNA等，脂质、碳水化合物等)，以及功能标志物(神经传导等)、体温等。例如，在一些变体中，生物传感器被配置为检测温度。
[0013]一般而言，本文所述的装置可被配置为被插入或植入体内。例如，该装置可以被配置为被植入。该装置可以包括可以是机械的和/或电的刺激器的刺激施加器(也简称为刺激器或VNS处理刺激器)。机械刺激器可以是压电驱动器，其可以以VNS处理参数振动和/或向组织(包括迷走神经)施加压力，例如以1
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2kHz之间的机械刺激迷走神经持续一段处理时间(例如，1毫秒和5分钟之间，例如10毫秒
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10秒等)。可替代地或附加地，刺激施加器可以是电刺激施加器并且可以包括一个或多个(例如，两个或更多个)被配置为向迷走神经施加电刺激的电极。例如，以约1Hz和约2kHz之间(例如，约1
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100Hz之间)的频率，约0.1mA至10mA(例如，1mA
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5mA之间)的电刺激，其中所施加的脉冲具有约(50
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500usec，例如约100
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300usec)之间的脉冲宽度。控制器可以配置为在约10分钟和12小时之间(例如，约2小时和10小时之间、约3小时和6小时之间、至少2小时、至少3小时、至少4小时、至少5小时、至少6小时等)的VNS处理剂量后强制执行“关断时间”。例如，刺激器可包括配置为向迷走神经施加电能的电极。
[0014]在一些变体中，该装置被配置为向患者施加VNS处理，其中VNS处理是电刺激。例如，VNS处理可包括在约1
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100Hz之间(例如，约1
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50Hz之间、约1
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20Hz本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于通过刺激迷走神经来减少脱髓鞘和/或增加髓鞘再生的系统，所述系统包括：迷走神经刺激器，被配置为被植入迷走神经上方或附近；所述迷走神经刺激器上的一个或多个电极，被配置为对所述迷走神经施加电刺激；以及控制器，被耦合到所述迷走神经刺激器并且被配置为从所述一个或多个电极向所述迷走神经施加电刺激，其中所述控制器被限制为每天施加2.5nC与7.5mC之间的电荷以在患者体内减少脱髓鞘和/或增加髓鞘再生。2.根据权利要求1所述的系统，还包括被配置为接收一个或多个标志物水平指标的输入，其中所述控制器被配置为基于所述一个或多个标志物水平指标调整所施加的所述电荷。3.根据权利要求2所述的系统，还包括生物传感器，所述生物传感器被配置为从所述患者的血液和/或脑脊液检测标志物并且确定标志物水平指标。4.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器被配置为在一个或多个5分钟或更少分钟的剂量阶段期间输送所述电刺激。5.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器被配置为以1与20Hz之间的频率每天施加该电荷。6.根据权利要求5所述的系统，其中所述控制器被配置为以1与12Hz之间的频率按日期施加所述电荷。7.根据权利要求1所述的系统，其中所述系统被配置为被植入。8.根据权利要求1所述的系统，还包括被配置为将所述迷走神经刺激器固定到所述迷走神经的神经管套。9.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器被配置为以1与20Hz之间的两个不同频率每天施加所述电荷。10.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器被配置为以1与20Hz之间的第一频率施加第一剂量的电刺激来减少脱髓鞘，并且以高于所述第一频率的第二频率施加第二剂量的电刺激来增加所述患者体内的髓鞘再生。11.根据权利要求10所述的系统，其中所述第一剂量的电刺激具有小于10Hz的频率，并且所述第二剂量的电刺激具有范围从10Hz到30Hz的频率。12.根据权利要求10所述的系统，其中所述第一剂量的电刺激具有范围从1Hz到5Hz的频率，并且所述第二剂量的电刺激具有范围从5Hz到30Hz的频率。13.一种增加对患者体内的髓鞘碎片的清除的方法，所述患者被诊断患有涉及脱髓鞘神经的障碍或具有患有涉及脱髓鞘神经的障碍的风险，所述方法包括对所述患者施加每天2.5nC至7.5mC之间的迷走神经刺激。14.根据权利要求13所述的方法，其中施加包括向所述迷走神经施加0.1与20Hz之间的所述迷走神经刺激。15.根据权利要求13所述的方法，其中施加包括每天施加少于10分钟的所述迷走神经刺激。16.根据权利要求13所述的方法，其中施加包括从附接至所述迷走神经或邻近所述迷
走神经的植入神经刺激器向所述迷走神经施加刺激。17.根据权利要求13所述的方法，还包括基于标志物的水平调整所施加的所述迷走神经刺激。18.根据权利要求17的方法，还包括检测血液、痰或脑脊液样本中针对脱髓鞘的标志物。19.一种用于通过刺激迷走神经来减少脱髓鞘和/或增加髓鞘再生的系统，所述系统包括：迷走神经刺激器，被配置为被植入迷走神经上方或附近；所述迷走神经刺激器上的一个或多个电极，被配置为对所述迷走神经施加电刺激；以及控制器，被耦合到所述迷走神经刺激器并且被配置为从所述一个或多个电极向所述迷走神经施加电刺激，其中所述控制器被限制为施加低占空比的电刺激，每天持续时间在1秒与5分钟之间，所述电刺激包括用于减少脱髓鞘的处于1与20Hz之间的第一频率的第一剂量的电刺激，...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：赛博恩特医疗器械公司，
类型：发明
国别省市：