优化用于消炎刺激的电极放置的装置和方法制造方法及图纸

在此描述了用于选择刺激电极的最优位置的方法、装置和系统，尤其是用于优化用于刺激炎性反射并从而抑制炎症的刺激电极的位置的方法、装置和系统。此处描述的方法、装置和系统可以一般包括在施加刺激脉冲之后产生的一个或多个伪迹模态的分析。这些伪迹模态（例如ＥＭＧ、ＥＣＧ等）中的一个或多个可以被检测并被用于产生电极的位置相对于目标的适合度的可比较的指示，该目标诸如类似于迷走神经的炎性反射的一部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
１．一种关于受试者的炎性反射优化电极位置的方法，包括：植入电极，所述电极与迷走神经、脾神经、肝神经或三叉神经中任一电连通，从而使得可以激励所述电极以抑制炎症；向电极施加电刺激；检测刺激伪迹；确定刺激伪迹的功率的指示；基于所述刺激伪迹的功率的指示来调整刺激电极的位置的位置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·A·法尔蒂斯，
申请(专利权)人：赛博恩特医疗器械公司，
类型：发明
国别省市：US