【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置的测量技术,特别涉及一种用于集成电路中的RF装置性能的生产测量的地-信号-地(GSG)测试结构。最好利用地-信号-地(GSG)构造对半导体装置进行RF和微波特征的两端口s参数测量,这典型的如附图说明图1所示。这需要六个焊盘,这些焊盘组成2行、每行3个焊盘的矩阵。如图1所示,信号焊盘S1被设置在两个接地焊盘G1a和G1b之间,并且所有这三个焊盘通过RF探头11连接到一个端口。同样,信号焊盘S2被设置在两个接地焊盘G2a和G2b之间,并且所有这三个焊盘通过RF探头12连接到另一个端口。每个焊盘被设置在形成于金属层13之上的正方形开口中。待测装置(DUT)14被设置在两信号焊盘S1和S2之间。如图1所示的GSG测试结构通常被设置在生产硅晶片的集成电路管芯区之间的特别放大的锯齿通道(saw lane)内,以便测量半导体产品的RF装置性能。然而,这种测试结构的最小宽度为300-400um。当锯齿通道很窄(有时小于100um)时,这就不合适了。因此,一般必须采用特别放大的锯齿通道。已经考虑几个可选择的方案来解决该问题。一种解决方案是不将GSG测试 ...
【技术保护点】
一种用于集成电路中的RF装置性能的生产测量的地-信号-地(GSG)测试结构,包括一对信号焊盘(S1,S2)和两对接地焊盘(G1a,G2a;G1b,G2b),其中所有所述的六个焊盘(G1a,G2a,S1,S2,G1b,G2b)线性排列。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-12-1 60/526,0111.一种用于集成电路中的RF装置性能的生产测量的地-信号-地(GSG)测试结构,包括一对信号焊盘(S1,S2)和两对接地焊盘(G1a,G2a;G1b,G2b),其中所有所述的六个焊盘(G1a,G2a,S1,S2,G1b,G2b)线性排列。2.如权利要求1的测试结构,其中每个所述焊盘对(G1a,G2a;S1,S2;G1b,G2b)包括连接到第一RF探头(11)的第一焊盘(G1a,S1,G1b)以及连接到第二RF探头(12)的第二焊盘(G2a,S2,G2b)。3.如权利要求2的测试结构,其中所有的所述第一RF探头(11)连接到第一端口,而所有的所述第二RF探头(12)连接到第二端口。4.如权利要求3的测试结构,其中所述信号焊盘对(S1,S2)位于所述两对接地焊盘(G1a,G1b;G2a,G2b)之间。5.如权利要求4的测试结构,其中所述各第一焊盘(G1a,S1,G1b)和所述各第二焊盘(G2a,S2,G2b)的位置是交替的。6.如权利要求5的测试结构,其中待测装置(DUT)(14)位于所述信号焊盘对(S1,S2)之间。7.如权利要求6的测试结构,其中所述信号焊盘对(S1,S2)被设置在上金属层(13)之上,并且所述两对接地焊盘(G1a,G1b;G...
【专利技术属性】
技术研发人员:DM斯米德,
申请(专利权)人:皇家飞利浦电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。