公开了一种显示装置，其适于一种经济有效的简化制造工艺。所述显示装置包括：绝缘基板；形成于所述绝缘基板上的公共电压线；设置于所述公共电压线上的绝缘层；以及通过所述绝缘层延伸至所述公共电压线的接触孔。淀积阻挡柱接触位于所述接触孔的底部的公共电压线。所述淀积阻挡柱具有根据其与绝缘基板之间的距离而变化的宽度，并且覆盖所述公共电压线。公共电极连接至所述公共电压线。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种显示装置，更具体而言，涉及顶部发射型显示装置。
技术介绍
在市面上不同类型的平板显示器当中，有机发光二极管(OLED)基于其合乎需要的特征近来引起了广泛的注意，例如其驱动电压低、厚度薄、重量轻、视角宽并且响应时间相对较短。在OLED中，在OLED基板上提供多个薄膜晶体管。在薄膜晶体管上提供用于像素的像素电极和用于基准电压的像素电极。在向两个电极施加电压时，空穴和电子在位于所述电极之间的发射层内结合，以形成激子。当激子跃迁回基态时发光。OLED控制光发射，以显示预期图像。根据哪一表面为主要光发射面，将OLED划分为顶部发射型和底部发射型。就顶部发射型OLED而言，光通过淀积在OLED的整个表面上并且用作公共电极的透明导电金属从OLED出射。由于这一通常由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)构成的公共电极具有高电阻，因此，无法向基板充分施加公共电压。因此，OLED包括辅助公共电极，以补偿公共电压的任何不足。就在基板上形成作为辅助公共电极的线路金属层时，需要多个接触孔将辅助公共电极与公共电极连接起来。在OLED中，可以对诸如空穴注入层和电子输运层的有机层应用采用开放掩模(open mask)的整个表面淀积法。发射层是一个例外，其应当根据发光颜色单独淀积。但是，这时将产生这样的问题，即在公共电极和辅助公共电极之间实现连接所需的接触孔内也淀积了有机层。因此，即使在淀积有机层时也需要遮挡掩模(shadow mask)，从而使制造过程复杂化，并且提高了制造成本。
技术实现思路
因此，本专利技术的一个方面在于提供一种能够通过简化的制造过程制造的显示装置。本专利技术包括一种显示装置，其具有绝缘基板；形成于所述绝缘基板上的公共电压线；设置于所述公共电压线上的绝缘层；通过所述绝缘层延伸至所述公共电压线的接触孔；以及位于所述接触孔中与所述公共电压线的一部分发生接触的淀积阻挡柱。所述淀积阻挡柱具有根据其与绝缘基板之间的距离而变化的宽度。公共电极连接至公共电压线。另一方面，本专利技术是一种制造显示装置的方法。所述方法需要在绝缘基板上形成公共电压线；在所述公共电压线上形成绝缘层；形成通过所述绝缘层的接触孔，其中，所述接触孔延伸至所述公共电压线；并且形成与一部分暴露的公共电压线接触的淀积阻挡柱。所述淀积阻挡柱具有根据其与绝缘基板之间的距离而变化的宽度。形成连接至所述公共电压线的公共电极。附图说明通过下文中结合附图对实施例的描述，本专利技术的这些和/或其他方面和优点将变得显而易见，并且更易理解，在附图中图1是根据本专利技术第一实施例的显示装置的平面图；图2是沿图1的II-II′线得到的显示装置的截面图；图3A到图3H示出了根据本专利技术的第一实施例的显示装置的制造过程；图4是根据本专利技术第二实施例的显示装置的截面图；以及图5是根据本专利技术第三实施例的显示装置的截面图。具体实施例方式在下文中，将参考附图描述本专利技术的实施例，其中，类似的附图标记表示类似的元件，并且将根据需要省略重复描述。此外，尽管将OLED作为显示装置的示范性实施例进行描述，但是其并非是对本专利技术的限定。而且，可以将本专利技术应用于各种采用通过开放掩模进行选择性材料淀积的装置。将参考图1到图3H描述根据本专利技术第一实施例的显示装置。图1是根据本专利技术的第一实施例的显示装置的平面图；图2是沿图1的II-II′线得到的显示装置的截面图；图3A到图3H示出了根据本专利技术的第一实施例的显示装置的制造过程。如图所示，显示装置包括栅极线110、数据线120、驱动电压线130和公共电压线140。在栅极线110和数据线120重叠的位置，形成开关晶体管141，并将其与栅极线110和数据线120二者电连接。由栅极线110、数据线120和驱动电压线130界定像素，像素电极160通过接触孔从电和物理的角度与驱动薄膜晶体管150连接。这里，驱动薄膜晶体管150与驱动电压线130连接。此外，显示装置还包括形成于部分暴露公共电压线140的接触孔141内的淀积阻挡柱(deposition preventing column)170。在绝缘基板10上形成相互平行的栅极线110，栅极线110基本垂直于数据线120和驱动电压线130延伸，由此形成像素。可以将形成栅极线110以及驱动和开关晶体管150和151的栅电极G的栅极金属层形成为单层或多层。栅极线110向开关晶体管151施加栅极导通/截止电压。形成平行于栅极线110延伸的公共电压线140，通常在对栅极线110构图的过程中形成公共电压线140。尽管公共电压线140可以由与栅极线110相同的层形成，但是，没有必要采用与栅极线110相同的金属材料形成公共电压线140。在一些实施例中，形成平行于数据线120或驱动电压线130延伸的公共电压线140。在这些实施例中，公共电压线140可以由与数据线120相同的材料构成。此外，即使在公共电压线140平行于栅极线110延伸的情况下，公共电压线140也可以由与数据线120相同的材料构成。在这种情况下，对公共电压线140构图。在接触孔141内形成淀积阻挡柱170，其接触位于接触孔141的底部的公共电压线140。这里，提供淀积阻挡柱170的目的在于防止有机发射层180覆盖暴露的公共电压线140。在利用不具有详细图案的开放掩模形成每一像素的有机层的情况下，暴露公共电压线140的接触孔141有可能被有机发射层填充。我们不希望在接触孔141内淀积有机发射层180，因为其导致与装置的其他导电部分的连接，从而干扰了公共电压线140。因此，采用淀积阻挡柱170防止接触孔141被有机层填充。以包括氮化硅(SiNx)等的栅极绝缘层20覆盖栅极金属层。栅极绝缘层20使栅极金属层与数据金属层电绝缘。数据线120以及包括开关和驱动晶体管151和150的漏电极和源电极D和S的数据金属层与栅极金属层绝缘。通过数据线120，向开关晶体管151施加数据电压。驱动电压线130平行于数据线120延伸，并且基本垂直于栅极线110，由此按矩阵的形式形成像素。通常，驱动电压线130与数据线120一样均由数据金属层形成。驱动电压线130向驱动晶体管150施加具有均匀电平的驱动电压。可以为每一像素提供一条驱动电压线130，但是其对本专利技术不构成限制。在一些实施例中，一条驱动电压线130可以被两个像素共享，因而两个相邻像素可以通过一条驱动电压线130接收驱动电压。在这种结构中，由于减少了驱动电压线，因而简化了制造工艺。此外，由于存在更少的驱动电压线，因而电磁干扰(EMI)也更低。开关晶体管151通过栅电极G接收栅极导通/截止电压。栅电极G从栅极线110分支出来(参见图1)，并将数据线120的数据电压从漏电极D传输至源电极S。这里，开关晶体管151的源电极S通过接触孔电连接到驱动晶体管150的栅电极G。驱动晶体管150基于施加到栅电极G上的数据电压控制漏电极和源电极D和S之间的电流。通过源电极S施加到像素电极160上的电压对应于来自栅电极G的数据电压和来自漏电极D的驱动电压之间的差值。同时，在栅极绝缘层20、像素电极160和公共电压线140上形成钝化层30。钝化层30可以包括氮化硅(SiNx)和/或有机层。此外，钝化层30形成有暴露公共电压线140的接触孔141。像素电极160是与驱动本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示装置，包括：绝缘基板；形成于所述绝缘基板上的公共电压线；设置于所述公共电压线上的绝缘层；通过所述绝缘层延伸至所述公共电压线的接触孔；位于所述接触孔内与所述公共电压线的一部分接触的淀积阻挡柱，其 中，所述淀积阻挡柱的宽度根据其与所述绝缘基板的距离而变化；以及连接至所述公共电压线的公共电极。
【技术特征摘要】
KR 2005-9-22 88157/051.一种显示装置，包括绝缘基板；形成于所述绝缘基板上的公共电压线；设置于所述公共电压线上的绝缘层；通过所述绝缘层延伸至所述公共电压线的接触孔；位于所述接触孔内与所述公共电压线的一部分接触的淀积阻挡柱，其中，所述淀积阻挡柱的宽度根据其与所述绝缘基板的距离而变化；以及连接至所述公共电压线的公共电极。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述淀积阻挡柱的最宽部分宽于位于所述接触孔的底部的所述公共电压线的宽度，所述接触孔由所述淀积阻挡柱覆盖。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述淀积阻挡柱的最宽部分是离所述绝缘基板最远的所述淀积阻挡柱的部分。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述淀积阻挡柱的侧壁与所述公共电压线形成锐角。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述锐角处于大约30°和大约75°之间。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述淀积阻挡柱具有处于大约0.5μm和大约30μm之间的高度。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述淀积阻挡柱包括至少两层。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述淀积阻挡柱包括至少两个具有不同蚀刻速率的绝缘层。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述淀积阻挡柱的所述绝缘层中的至少一个包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)的至少其中之一。10.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述淀积阻挡柱包括两层。11.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述淀积阻挡柱的所述绝缘层中之一包括金属。12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述金属层至少包括钼(Mo)、铬(Cr)、铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)、钼-钨合金(MoW)和铝-钕合金(AlNd)之一。13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述公共电极至少包括氧化铟锡(ITO)、氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：成沄澈，崔凡洛，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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