显示装置及其制造方法制造方法及图纸

一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括：薄膜晶体管，形成在第一绝缘基板上；像素电极，电连接到薄膜晶体管；有机层，形成在像素电极上；共电极，形成在有机层上；导电层，形成在共电极上；透明电极层，形成在导电层上；透明电极，施加有共电压；以及第二绝缘基板，位于透明电极层上。因而，本发明专利技术提供了一种有效施加共电压的显示装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种被有效施加共电压的。
技术介绍
由于与其他平板显示器相比，有机发光二极管(“OLED”)显示装置具有诸如低电压驱动、重量轻、薄、广视角、和快速反应等很多有利的优点，所以它正获得广泛普及。可以将OLED显示器分类为无源矩阵型或有源矩阵型。无源矩阵型结构简单，但随着显示面积和分辨率的增加，功耗也会快速增加。因此，无源矩阵型OLED显示器主要是应用于小尺寸的应用中。相反，虽然有源矩阵型显示器具有制造过程复杂的缺点，但它却具有能够实现宽屏幕和高分辨率的优点。在有源矩阵型OLED中，薄膜晶体管(“TFT”)与每个像素区相连接并且它们控制着每个各自的像素区的有机发光层的发光。像素电极也位于每个像素区中，其中每个都与其他相邻像素电极电隔离，以用于单独驱动。另外，位于比像素电极更高的堤槽(bank)形成在像素区之间，并用于防止在像素电极之间的短路并且进一步充当了像素区之间的绝缘体。空穴注入层和有机发光层顺序形成在用于分隔像素区的堤槽之间的像素电极上。接下来，共电极形成在有机发光层上。根据从有机发光层产生的光的方向，可以将OLED显示器进一步分类成底部发射型和顶部发射型。底部发射型的OLED显示器将来自有机发光层的光指向朝向TFT的方向。底部发射型的制造工艺很好建立，但是它有一个固有的问题，即由于TFT和布线要求，它的孔径比会被减小。特别是，由于使用了非晶硅的TFT的电子迁移率较低，所以为了提供充分的从源极到漏极的电流，TFT通常较大，并且通常使用两个或多个TFT的这样的OLED的孔径比也会被进一步减小。顶部发射型OLED显示器将来自有机发光层的光通过共电极指向外部。因此，顶部发射型可以被构造为具有较大的孔径比。在顶部发射型中，共电极应该是透明的。目前，透明的共电极是通过使用诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的材料的薄金属层沉积方法(例如，溅射)制成的。然而，当建造大尺寸显示器时，目前的制造方法会产生具有非常大阻抗的共电极。这已经成为制造更大显示器的障碍。
技术实现思路
因此，本专利技术的一个方面是提供一种能有效施加共电压的显示装置。可以通过显示装置的示例性实施例来实现本专利技术以上和/或其他方面，该显示装置包括薄膜晶体管，形成在第一绝缘基板上；像素电极，电连接到薄膜晶体管；有机层，形成在像素电极上；共电极，形成在有机层上；导电层，形成在共电极上；透明电极层，形成在导电层上；以及第二绝缘基板，位于透明电极层上。根据本专利技术的示例性实施例，导电层可以包括导电聚合物。根据本专利技术的示例性实施例，导电层可以包括从由聚吡咯、聚苯胺和聚噻吩所构成的组中选择的至少一种。根据本专利技术的示例性实施例，导电层可以包括导电粒子。根据本专利技术的示例性实施例，导电粒子可以包括Ag或Ni。根据本专利技术的示例性实施例，有机层上的导电层被除去。根据本专利技术的示例性实施例，导电层的上面可以基本上是平的。根据本专利技术的示例性实施例，共电极可以包括Mg和Ag。根据本专利技术的示例性实施例，共电极可以包括Ca和Ag。根据本专利技术的示例性实施例，共电极的厚度是大约50到大约200。根据本专利技术的示例性实施例，透明电极层可以包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。根据本专利技术的示例性实施例，从有机层产生的光通过第二绝缘基板指向外部。根据本专利技术的示例性实施例，可以在第一绝缘基板上设置显示区域和限定在显示区域周围的非显示区域，并且非显示区域可以使用非导电的密封剂形成，用于使第一绝缘基板和第二绝缘基板相连。根据本专利技术的示例性实施例，非导电密封剂与透明电极层接触。根据本专利技术的示例性实施例，可以在第一绝缘基板上设置显示区域和限定在显示区域周围的非显示区域，并且透明电极层对应于显示区域。根据本专利技术的示例性实施例，可以在第一绝缘基板上设置显示区域和限定在显示区域周围的非显示区域，并且在非显示区域和导电层之间形成绝缘层。根据本专利技术的示例性实施例，可以在第一绝缘基板上设置显示区域和限定在显示区域周围的非显示区域，并且非显示区域可以形成有向透明电极层施加共电压的短路棒。根据本专利技术的示例性实施例，显示装置可以进一步包括环绕有机层的堤槽。根据本专利技术的示例性实施例，有机层可以包括顺序堆叠在其上的空穴注入层和发光层。根据本专利技术的示例性实施例，空穴注入层可以包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)和聚苯乙烯磺酸。根据本专利技术的示例性实施例，发光层可以包括聚合物。本专利技术的以上和/或其他方面可以通过制造显示装置的方法的示例性实施例来实现，该方法包括在第一绝缘基板上形成薄膜晶体管；形成电连接到薄膜晶体管的像素电极；在像素电极上形成有机层；在有机层上形成共电极；在共电极上形成导电层；在第二绝缘基板上形成用于施加共电压的透明电极层；以及在导电层上形成第二绝缘基板，透明电极层与导电层接触。附图说明本专利技术的上述和其他方面和优点将会从以下结合附图对示例性实施例的详细描述而更加明显并易于理解，在附图中图1是根据本专利技术的显示装置的示例性实施例的等效电路示意图；图2是根据本专利技术的图1中所示的显示装置的示例性实施例的部分截面图；图3是根据本专利技术的图1和图2中所示的显示装置的示例性实施例的完整截面图；图4是根据本专利技术的显示装置的另一个示例性实施例的部分截面图；图5是根据本专利技术的显示装置的又一个示例性实施例的部分截面图；图6是根据本专利技术的显示装置的再一个示例性实施例的部分截面图；以及图7是根据本专利技术的又一另外示例性实施例的显示装置的完整截面图。具体实施例方式下面将参照附图更加全面地描述本专利技术，在附图中示出了本专利技术的实施例。然而，本专利技术可以多种不同的方式来实现而不局限于在此描述的实施例。相反地，所提供的这些实施例，对本领域的技术人员来说，使得本专利技术充分公开并且完全覆盖本专利技术的范围。在整个说明书附图中，相同的附图标号表示相同的元件。应当理解，当提到元件“位于”另一个元件上时，是指其直接位于另一个元件上，或者也可能存在介于其间的元件。相反，当某个元件被提到“直接位于”另一个元件上时，意味着不存在介于其间的元件。正如在此所应用的，术语“和/或”包括任何的以及所有的一个或多个相关所列术语的结合。应当理解，尽管在此可能使用术语第一、第二、第三等来描述不同的元件、部件、区域、层、和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层、和/或部分并不局限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层、或部分与另一个元件、部件、区域、层、或部分相区分。因此，在不背离本专利技术宗旨的情况下，下文所述的第一元件、组件、区域、层、或部分可以称为第二元件、组件、区域、层、或部分。在此使用的术语仅用于描述特定实施例而不是限制本专利技术。正如在此使用的，单数形式的“一个”、“这个”也包括复数形式，除非文中有其它明确指示。应当进一步理解，当在本申请文件中使用术语“包括”和/或“包含”时，是指存在所声称的特征、区域、整数、步骤、操作、元件、和/或部件，但是并不排除还存在或附加一个或多个其它的特征、区域、整数、步骤、操作、元件、部件、和/或其组合。为了便于说明，在此可能使用诸如“在…之下”、“在…下面”、“下面的”、“在…上面”、以及“上面的”等的空间关系术语，以描述如图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。应当理解，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，包括：薄膜晶体管，形成在第一绝缘基板上；像素电极，电连接到所述薄膜晶体管；有机层，形成在所述像素电极上；共电极，形成在所述有机层上；导电层，形成在所述共电极上；透明电极层，形成在 所述导电层上，用于施加共电压；以及第二绝缘基板，位于所述透明电极层上。

【技术特征摘要】
KR 2005-10-8 10-2005-00946661.一种显示装置，包括薄膜晶体管，形成在第一绝缘基板上；像素电极，电连接到所述薄膜晶体管；有机层，形成在所述像素电极上；共电极，形成在所述有机层上；导电层，形成在所述共电极上；透明电极层，形成在所述导电层上，用于施加共电压；以及第二绝缘基板，位于所述透明电极层上。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电层包括导电聚合物。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述导电层包括从由聚吡咯、聚苯胺和聚噻吩所构成的组中选择的至少一种。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电层包括导电粒子。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述导电粒子包括Ag或Ni。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机层上的所述导电层被除去。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电层的上面基本上是平的。8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述共电极包括Mg和Ag。9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述共电极包括Ca和Ag。10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述共电极的厚度是大约50到大约200。11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述透明电极层包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，从所述有机层产生的光通过所述第二绝缘基板指向外部。13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述第一绝缘基板上设置有显示区域和限定在所述显示区域周围的非显示区域，并且所述非显示区...

【专利技术属性】
技术研发人员：成沄澈，金勋，李相必，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]