等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种等离子体处理装置，包括：处理室（１０）、设置在处理室（１０）内且相互对峙着设置的第一电极部（５）和第二电极部（１１）、设置在第一电极部（５）的靠近第二电极部（１１）的一侧且保护第一电极部（５）的石英板（１３），借助在第一电极部（５）和第二电极部（１１）之间产生等离子体，激发处理室（１０）内的反应气体，来对设置在第二电极部（１１）的靠近第一电极部（５）一侧的被处理物进行等离子体处理。石英板（１３）的靠近第二电极部（１１）一侧的表面形成为粗糙面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种等离子体处理装置。
技术介绍
在液晶显示器、半导体器件那样的电子器件的制造工艺中，干蚀刻技术是被广泛地用来形成细微加工图案的方法。在该干蚀刻技术下，既要求以高纵横比、高蚀刻速率以及高选择比进行蚀刻且均匀性很高，同时还要求抑制粒子(微粒子的污染物质)的产生。所述纵横比是通过蚀刻形成在衬底上的图案的深度和宽度之比。所述选择比是被蚀刻材料的蚀刻速率、蚀刻掩模材料以及底材料的蚀刻速率之比。例如，在蚀刻均匀性很低的情况下，在通过蚀刻形成在衬底上的图案中，由于蚀刻速率的不同而发生过蚀刻和蚀刻不足，这就有可能对这之后的制造工艺造成很大的影响。在利用蚀刻形成相互平行延伸的多个布线图案的情况下，若所述粒子存在于各个布线图案之间，就会成为短路的原因，而有导致产品的制造合格率下降之虞。干蚀刻装置是等离子体处理装置中之一，根据其结构可做到借助将反应气体导入到处理室内，以高频、微波等激发该反应气体而产生等离子体，生成化学活度高的原子、分子(反应种)。而且，该干蚀刻装置中的干蚀刻是这样进行的，让由等离子体生成的反应种和被蚀刻材料起反应，使该反应生成物成为挥发性气体，再通过真空排气系统将该挥发性气体排出到外部。近年来，包括在高真空状态下产生高密度等离子体的等离子体源部件的干蚀刻装置得以广泛应用。很多等离子体源部件都是这样构成的，即该等离子体源从外部通过石英部件将电磁波导入到处理室内。在通过石英部件导入电磁波这样的结构的干蚀刻装置中，因为在石英部件的表面会附着反应生成物，所以便有由于该反应生成物落下来而产生污染处理室内的粒子之虞。专利文献1中公开了粒子的产生被减少的半导体制造装置。图4是专利文献1所公开的半导体制造装置130的概略结构图。该半导体制造装置130是一种高密度等离子体蚀刻装置，将在TCP(Transformer Coupled Plasma)电极122产生的电磁波通过石英天板113导入到处理室110内，激发从气体供给部124供来的反应气体而使等离子体起反应，对晶片112进行处理。而且，在该结构的半导体制造装置130中，石英天板113上方布置有远赤外线加热器123，利用该远赤外线加热器123的辐射热来加热石英天板113。专利文献1特开2000-164565号公报
技术实现思路
—专利技术要解决的问题— 但是，因为上述现有的半导体制造装置130是要加热石英天板113的结构，所以便认为反应生成物难以附着到石英天板113上。但有必要设置远赤外线加热器123来作为加热石英天板113的加热手段。近年来，在液晶显示装置这一领域，玻璃基板的大型化在急速地发展，这就要求提高基板内的蚀刻均匀性即等离子体处理的均匀性。本专利技术正是为了解决上述问题而研究开发出来的，其目的在于在等离子体处理装置中，既容易地抑制粒子的产生，同时又均匀地进行等离子体处理。用以解决问题的技术方案 本专利技术，在具有第一电极部和第二电极部的等离子体处理装置中，使保护第一电极部的保护板的靠近第二电极部一侧的表面形成为粗糙面。本专利技术所涉及的等离子体处理装置，包括处理室、设置在所述处理室内且相互对峙着设置的第一电极部和第二电极部、设置在所述第一电极部的靠近所述第二电极部的一侧且保护所述第一电极部的保护板。借助在所述第一电极部和第二电极部之间产生等离子体，激发所述处理室内的反应气体，来对设置在所述第二电极部的靠近第一电极部的一侧的被处理物进行等离子体处理。所述保护板的靠近所述第二电极部一侧的表面形成为粗糙面。根据所述结构，因为保护板的靠近第二电极部一侧的表面形成为粗糙面，所以保护板的吸热率提高。这样一来，保护板就容易被加热，在保护板周围，蚀刻被处理物之际所产生的反应生成物容易挥发，所以反应生成物难以附着在保护板上。同样，因为保护板的靠近第二电极部一侧的表面形成为粗糙面，所以保护板的靠近第二电极部一侧的表面积增加。因此，即使万一附着上反应生成物，也会因为所可能附着的该反应生成物的量增加而抑制由于反应生成物落下来所引起的粒子的产生。同样，因为保护板的靠近第二电极部一侧的表面形成为粗糙面，所以由于等离子体而生成的反应气体的分子，碰撞到保护板的形成为粗糙面的表面后，再分散到各个角度而反弹回来。因此，由于在处理室内反应气体的分布变得均匀，所以等离子体处理就变得很均匀。这样一来，就既容易抑制粒子的产生，同时又均匀地进行等离子体处理。需提一下，专利文献1中是这样记载的，如图4所示，石英天板113的靠近远赤外线加热器123一侧，也就是对应于本专利技术的等离子体处理装置的第一电极部的TCP电极122一侧的表面被施加了喷砂处理，和本专利技术一样，石英天板113的吸热率提高，能够降低粒子的产生。然而，在本专利技术的等离子体处理装置中，因为使保护板的靠近第二电极部一侧的表面形成为粗糙面，所以粒子的产生得以抑制，等离子体处理变得均匀。所述保护板可以由石英或者陶瓷制成。根据以上结构，第一电极部由石英板或者陶瓷板加以保护。这里，因为石英板以及陶瓷板是抗等离子体性很高的材质，所以第一电极部被石英板或者陶瓷板加以有效的保护。所述第一电极部可以包括由导电材料制成的上部电极和设置在该上部电极和所述保护板之间的介电体。根据所述结构，因为由保护板保护构成第一电极部的介电体，所以抑制了由于蚀刻时所产生的等离子体造成的恶化。因此，使介电体的电磁波均匀地扩散的效果得到维持。所述保护板的靠近所述第二电极部一侧的表面可以是通过喷砂处理形成的。根据以上结构，保护板的表面很容易形成为粗糙面。所述等离子体处理可以是干蚀刻处理。根据所述结构，干蚀刻处理变得很均匀。专利技术的效果 本专利技术的等离子体处理装置中，保护第一电极部的保护板的靠近第二电极部一侧的表面形成为粗糙面。因此，保护板的吸热率提高，反应生成物也就难以附着在保护板上；保护板的靠近第二电极部一侧的表面积增加，可能附着的反应生成物的量增加，所以难以出现反应生成物落下来而产生粒子的情况；由等离子体生成的反应气体的分子分散到各个角度而反弹回来，所以等离子体处理变得均匀。这样一来，就既能够容易地抑制粒子的产生，同时又能够均匀地进行等离子体处理。附图的简单说明 附图说明图1是本专利技术的实施例所涉及的干蚀刻装置30的概略构成图。图2是显示表面形成为镜面的石英板13a中的分子活动情况的模式图。图3是显示表面形成为粗糙面的石英板13b中的分子活动情况的模式图。图4是现有的干蚀刻装置130的概略构成图。符号说明 5-第一电极部；10-处理室；11-第二电极部；12-处理基板(被处理物)；13、13a、13b-石英板(保护板)；14-介电体；15-上部电极；25-等离子体；30-干蚀刻装置(等离子体处理装置)。具体实施例方式下面，参照附图详细说明本专利技术的实施例。在以下各个实施例中，以ICP(Ion Coupled Plasma)模式的干蚀刻装置作为等离子体处理装置之例进行说明。但是，本专利技术并不限于以下的实施例，对ICP模式以外的其他干蚀刻模式也适用。而且，本专利技术不仅对干蚀刻装置适用，对进行等离子体处理的溅射装置、CVD(ChemicalVapor Deposition)装置等也适用。下面，参考图1说明本专利技术的实施例所涉及的干蚀刻装置30。这里，图1是本专利技术的干蚀刻装置30的概略构成图。该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，包括：处理室、设置在所述处理室内且相互对峙着设置的第一电极部和第二电极部、设置在所述第一电极部的靠近所述第二电极部的一侧且保护所述第一电极部的保护板，借助在所述第一电极部和第二电极部之间产生等离子体，激发所述处理室内的反应气体，来对设置在所述第二电极部靠近第一电极部的一侧的被处理物进行等离子体处理，其特征在于：所述保护板的靠近所述第二电极部一侧的表面形成为粗糙面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-7-20 212084/20041.一种等离子体处理装置，包括处理室、设置在所述处理室内且相互对峙着设置的第一电极部和第二电极部、设置在所述第一电极部的靠近所述第二电极部的一侧且保护所述第一电极部的保护板，借助在所述第一电极部和第二电极部之间产生等离子体，激发所述处理室内的反应气体，来对设置在所述第二电极部靠近第一电极部的一侧的被处理物进行等离子体处理，其特征在于所述保护板的靠近所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：菅田胜，井谷晶，矶部昭仁，正村谦一，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]