同时控制孔径不同开口的孔径差的方法与蚀刻工艺技术

一种同时控制孔径不同开口的孔径差的方法。此孔径不同开口的工艺是先于目标材料层上形成抗反射层及图案化的光致抗蚀剂层，此光致抗蚀剂层具有孔径不同的第一、第二开口图案。接着以光致抗蚀剂层为掩模依序蚀刻抗反射层与材料层，以于对应第一、第二开口图案的材料层中形成第一、第二开口，其中所采用的蚀刻配方使得第一开口的孔径小于第一开口图案，而形成第一孔径差；并使得第二开口的孔径小于第二开口图案，而形成第二孔径差，其与第一孔径差之间的差值称相对孔径差。本方法的特征在于：在蚀刻抗反射层时，将影响前述相对孔径差的一项蚀刻参数设定为第一数值；且在蚀刻材料层时，将此蚀刻参数设定为第二数值，此第二数值异于第一数值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及蚀刻方面的技术，特别是涉及一种同时控制孔径不同开口的显影后-蚀刻后孔径差的方法，以及应用此方法的蚀刻工艺。本专利技术中显影后-蚀刻后孔径差的定义为显影后检查关键尺寸(ADI CD)与蚀刻后检查关键尺寸(AEI CD)两者之间的差值，下文中有时简称为孔径差或孔径缩小幅度。
技术介绍
随着集成电路的集成度要求愈来愈高，电路图案的尺寸也愈来愈小。在集成电路工艺中，缩小图案尺寸的方法大多利用高分辨率的光刻工艺。但是，高分辨率光刻工艺有光学上的限制，故其技术甚为困难、成本十分昂贵。尤其是对开口图案的工艺而言，其仅与光刻工艺相关的显影后检查关键尺寸特别难以缩小。因此，一般会以调整蚀刻配方的方式得到较小的蚀刻后检查关键尺寸，此即实际形成在目标材料层中的开口的孔径。然而，以此方式同时缩小尺寸不同开口的孔径时，仍有缩小幅度难以适当控制的问题。例如，在同时形成与源/漏极接触的方形接触窗(square contact)以及与栅极和源/漏极接触的共享接触窗(share contact)的工艺中，如缩小方形接触窗开口的孔径，则孔径较大的共享接触窗开口的孔径会被缩小更多。当共享接触窗开口的孔径本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种同时控制孔径不同开口的孔径差的方法，其中该方法包括：于目标的材料层上形成抗反射层与图案化的光致抗蚀剂层，此光致抗蚀剂层具有孔径不同的第一开口图案与第二开口图案；以及以此光致抗蚀剂层为掩模依序蚀刻前述抗反射层与材料层，以于 对应第一、第二开口图案的材料层中形成第一、第二开口，其中所采用的蚀刻配方使得第一开口的孔径小于第一开口图案的孔径，而形成第一孔径差；并使得第二开口的孔径小于第二开口图案的孔径，而形成第二孔径差，此第二孔径差与第一孔径差之间的差值称为相对孔径差，此方法的特征在于：在蚀刻前述抗反射层时，将影响前述相对孔径差的一项蚀刻参数设定为第一数值；且在蚀刻前...

【技术特征摘要】
1.一种同时控制孔径不同开口的孔径差的方法，其中该方法包括于目标的材料层上形成抗反射层与图案化的光致抗蚀剂层，此光致抗蚀剂层具有孔径不同的第一开口图案与第二开口图案；以及以此光致抗蚀剂层为掩模依序蚀刻前述抗反射层与材料层，以于对应第一、第二开口图案的材料层中形成第一、第二开口，其中所采用的蚀刻配方使得第一开口的孔径小于第一开口图案的孔径，而形成第一孔径差；并使得第二开口的孔径小于第二开口图案的孔径，而形成第二孔径差，此第二孔径差与第一孔径差之间的差值称为相对孔径差，此方法的特征在于在蚀刻前述抗反射层时，将影响前述相对孔径差的一项蚀刻参数设定为第一数值；且在蚀刻前述材料层时，将此蚀刻参数设定为第二数值，此第二数值异于第一数值。2.如权利要求1所述的同时控制孔径不同开口的孔径差的方法，其特征在于前述蚀刻参数为温度、蚀刻用气体的流量，或是压力。3.如权利要求1所述的同时控制孔径不同开口的孔径差的方法，其特征在于前述第一开口图案的孔径大于第二开口图案的孔径。4.如权利要求3所述的同时控制孔径不同开口的孔径差的方法，其特征在于前述第一孔径差大于第二孔径差。5.如权利要求4所述的同时控制孔径不同开口的孔径差的方法，其特征在于前述第一开口为共享接触窗开口，且第二开口为方形接触窗开口。6.如权利要求1所述的同时控制孔径不同开口的孔径差的方法，其特征在于前述相对孔径差与前述蚀刻参数的第一数值成负相关。7.如权利要求6所述的同时控制孔径不同开口的孔径差的方法，其特征在于前述第一数值小于第二数值。8.如权利要求7所述的同时控制孔径不同开口的孔径差的方法，其特征在于前述蚀刻参数为温度。9.如权利要求1所述的同时控制孔径不同开口的孔径差的方法，其特征在于前述抗反射层的蚀刻与前述材料层的蚀刻在同一反应室中进行。10.如权利要求1所述的同时控制孔径不同开口的孔径差的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：周珮玉，廖俊雄，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]