一种LVDS低压差分信号接口的保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种LVDS低压差分信号接口的保护电路，涉及电路保护技术领域。本实用新型专利技术包括LVDS信号发送端、LVDS信号接收端、LVDS传输线、匹配电阻；LVDS信号发送端的正信号输出端、负信号输出端与地之间分别连接有第一发射端静电防护器件、第二发射端静电防护器件；LVDS信号接收端的正信号输入端、负信号输入端与地之间分别连接有第一接收端静电防护器件、第二接收端静电防护器件。本实用新型专利技术利用静电保护器件的低电容值及快速过电压抑制的静电防护能力，提高了产品的可靠性，有效防止LVDS信号传输线及电源线引入的静电干扰，保护LVDS发送和接收解码芯片，使得LVDS的图像通信和接口电路得到很好保护。信和接口电路得到很好保护。信和接口电路得到很好保护。

【技术实现步骤摘要】
一种LVDS低压差分信号接口的保护电路


[0001]本技术属于电路保护
，特别是涉及一种LVDS低压差分信号接口的保护电路。

技术介绍

[0002]近年来，随着集成电路的发展，降低供电电压以及追求更高数据速率成为了技术趋势，降低供电电压可以减少了高密度集成电路的功率消耗，有助于提高芯片集成度。但是随着电压的降低，给信号的高速传输带来新的挑战。LVDS具体为Low Voltage Differential Signaling，其是一种低电压摆幅的差分信号技术，LVDS驱动和接收器不依赖于特定的供电电压，LVDS信号能在差分PCB线对或平衡电缆上以几百Mbps的速率传输。因此，LVDS在低压、低功耗的图像数据传输接口，如显示屏上应用广泛。
[0003]LVDS接口的数据收发送端芯片及模块电路，容易受到电源波动、传输线静电等因素的干扰，影响数据的传输速率，甚至损坏芯片等部件。

技术实现思路

[0004]本技术提供了一种LVDS低压差分信号接口的保护电路，解决了以上问题。
[0005]为解决上述技术问题，本技术是通过以下技术方案实现的：
[0006]本技术的一种LVDS低压差分信号接口的保护电路，包括LVDS信号发送端、LVDS信号接收端、连接于LVDS信号发送端和LVDS信号接收端之间的LVDS传输线、连接于LVDS传输线之间的匹配电阻；
[0007]所述LVDS信号发送端的正信号输出端与地之间连接有第一发射端静电防护器件；
[0008]所述LVDS信号发送端的负信号输出端与地之间连接有第二发射端静电防护器件；
[0009]所述LVDS信号接收端的正信号输入端与地之间连接有第一接收端静电防护器件；
[0010]所述LVDS信号接收端的负信号输入端与地之间连接有第二接收端静电防护器件。
[0011]进一步地，所述第一发射端静电防护器件、第二发射端静电防护器件、第一接收端静电防护器件以及第二接收端静电防护器件均采用SOD923封装，电容值小于1pF。
[0012]进一步地，所述匹配电阻连接在LVDS信号接收端的正信号输入端和负信号输入端之间，采用0402封装，阻值在100Ω～120Ω之间。
[0013]本技术相对于现有技术包括有以下有益效果：
[0014]1、本技术的保护电路采用于LVDS信号发送端以及LVDS信号接收端分别与地之间连接两发射端静电防护器件以及接收端静电防护器件，各防护器件均采用SOD923封装，能够最大限度减少PCB面积，缩小用户电路板的布局布线设计；
[0015]2、本技术的静电防护器件，能够双向瞬态抑制，当LVDS传输线被窜入高压静电时，静电防护器件可在ps级时间内形成钳位，让LVDS接口芯片数据接口的电压不超过限定值，保护接口芯片不被损坏，从而提高了产品的可靠性；
[0016]3、本电路的静电防护器件，具有低电容的特性，具体的，电容值小于1pF，能够保障
LVDS图像数据传输速率不受影响；通过本电路，LVDS收发两端的单元电路，都能得到很好保护，产品的整体稳定性得到很好保证。
[0017]当然，实施本技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本技术的一种LVDS低压差分信号接口的保护电路的收发端信号传输原理示意图；
[0020]图2为本技术的LVDS发送端接口保护电路原理图；
[0021]图3为本技术的LVDS接收端接口保护电路原理图。
具体实施方式
[0022]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
[0023]请参阅图1
‑
3所示，本技术的一种LVDS低压差分信号接口的保护电路，包括LVDS信号发送端LVDS_TX、LVDS信号接收端LVDS_RX、连接于LVDS信号发送端LVDS_TX和LVDS信号接收端LVDS_RX之间的LVDS传输线、连接于LVDS传输线之间的匹配电阻R；
[0024]LVDS信号发送端LVDS_TX是指将TTL信号转换成LVDS图像数据并通过传输线发送至接收端的电路；LVDS信号接收端LVDS_RX是指负责接收LVDS信号并解码，送至后级显示的图像解码电路；LVDS数据传输pin脚数量通常为30，其中有3组差分信号线，1组时钟信号线，1组电源线；
[0025]LVDS信号发送端LVDS_TX的正信号输出端TX+与地之间连接有第一发射端静电防护器件ESDTX1；
[0026]LVDS信号发送端LVDS_TX的负信号输出端TX
‑
与地之间连接有第二发射端静电防护器件ESDTX2；
[0027]LVDS信号接收端LVDS_RX的正信号输入端RX+与地之间连接有第一接收端静电防护器件ESDRX1；
[0028]LVDS信号接收端LVDS_RX的负信号输入端RX
‑
与地之间连接有第二接收端静电防护器件ESDRX2。
[0029]其中，第一发射端静电防护器件ESDTX1、第二发射端静电防护器件ESDTX2、第一接收端静电防护器件ESDRX1以及第二接收端静电防护器件ESDRX2均采用SOD923封装，电容值小于1pF，本具体实施例中电容值为0.8pF，该封装的具体尺寸为长宽高：1mm
×
0.6mm
×
0.4mm；第一发射端静电防护器件ESDTX1、第二发射端静电防护器件ESDTX2、第一接收端静电防护器件ESDRX1以及第二接收端静电防护器件的钳位电压为5V及以下，瞬态(8/20us)抑
制功率150W及以上，并且能够双向瞬态抑制；当LVDS传输线被窜入高压静电时，静电防护器件可在ps级时间内形成钳位，让LVDS接口芯片数据接口的电压不超过限定值，保护接口芯片不被损坏，从而提高了产品的可靠性。
[0030]其中，匹配电阻R连接在LVDS信号接收端LVDS_RX的正信号输入端RX+和负信号输入端RX
‑
之间，采用0402封装，阻值在100Ω～120Ω之间；本具体实施例中匹配电阻R的阻值采用100Ω。
[0031]有益效果：
[0032]1、本技术的保护电路采用于LVDS信号发送端以及LVDS信号接收端分别与地之间连接两发射端静电防护器件以及接收端静电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LVDS低压差分信号接口的保护电路，包括LVDS信号发送端、LVDS信号接收端、连接于LVDS信号发送端和LVDS信号接收端之间的LVDS传输线、连接于LVDS传输线之间的匹配电阻，其特征在于：所述LVDS信号发送端的正信号输出端与地之间连接有第一发射端静电防护器件；所述LVDS信号发送端的负信号输出端与地之间连接有第二发射端静电防护器件；所述LVDS信号接收端的正信号输入端与地之间连接有第一接收端静电防护器件；所述LVDS信号接收端的负信号输入端与...

【专利技术属性】
技术研发人员：严新发，肖南海，
申请(专利权)人：上海音特电子有限公司，
类型：新型
国别省市：