显示基板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:31834796 阅读:19 留言:0更新日期:2022-01-12 13:12
本公开提供一种显示基板及显示装置,属于显示技术领域。本公开的显示基板,其包括:衬底基板;多个子像素和辅助功能结构,设置在所述衬底基板上;所述子像素均包括依次设置在所述衬底基板上的公共电极和像素电极;所述辅助功能结构包括交叉、且电连接的设置的多条第一导电线和多条第二导电线;所述多条第一导电线沿第一方向延伸,所述多条第二导电线沿第二方向延伸;其中,所述第一导电线所在层与所述公共电极所在层之间的距离小于所述第一导电线所在层与所述像素电极所在层之间的距离。在层与所述像素电极所在层之间的距离。在层与所述像素电极所在层之间的距离。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及显示装置
[0001]本申请要求申请日为2021年06月24日、申请号为“PCT/CN2021/102063”、专利技术名称为“显示基板及显示装置”的优先权。


[0002]本公开属于显示
,具体涉及一种显示基板及显示装置。

技术介绍

[0003]近场通讯技术(Near Field Communication,NFC)是一种非接触式识别和互联技术,其采用近场磁场通信方式,具有传输距离近,能耗低,信号不易被干扰等特点,可在移动设备、消费类电子产品间进行近距离无线通信。
[0004]近场通讯技术已普遍应用于电子设备上进行数据交换,要利用NFC通讯技术,需要在设备上安装通讯天线用于收发电磁波信号,而通讯天线需要占据较大的空间。现有的运用NFC通讯技术的电子设备,大多是通过将独立的NFC通讯模块,外置于电子设备的主板上,因此,需要占据较大的空间,不利于设备的轻薄化设计。

技术实现思路

[0005]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种显示基板及显示装置。
[0006]第一方面,本公开实施例提供一种显示基板,其包括:
[0007]衬底基板;
[0008]多个子像素和辅助功能结构,设置在所述衬底基板上;所述子像素均包括依次设置在所述衬底基板上的公共电极和像素电极;所述辅助功能结构包括交叉、且电连接的设置的至少一条第一导电线和至少一条第二导电线;所述第一导电线沿第一方向延伸,所述第二导电线沿第二方向延伸;其中,
[0009]所述第一导电线所在层与所述公共电极所在层之间的距离小于所述第一导电线所在层与所述像素电极所在层之间的距离。
[0010]其中,在所述第一方向并排设置的所述子像素形成第一像素组,在所述第二方向并排设置的所述子像素形成第二像素组;位于同一所述第一像素组中的各所述子像素连接一条栅线,位于同一所述第二像素组中的各所述子像素连接同一条数据线。
[0011]其中,所述第一导电线与所述栅线同层设置且材料相同;和/或,所述第二导电线与所述数据线同层设置且材料相同。
[0012]其中,至少部分所述第一像素组中设置有第一导电线,且在所述第一像素组中,所述第一导电线和该第一像素组所连接的栅线位于该第一像素组在所述第二方向的不同侧。
[0013]其中,至少部分所述第二像素组中设置有第二导电线,且在所述第二像素组中,所述第二导电线和该第二像素组所连接的数据线位于该第二像素组在所述第一方向上的不同侧。
[0014]其中,位于同一所述第二像素组中的各个所述子像素的颜色相同,且沿所述第一方向并排设置的每N个子像素构成一像素单元,N≥2;所述N为整数;沿所述第二方向并排设置的所述像素单元形成一像素单元组;每个像素单元组内设置有一条所述第二导电线。
[0015]其中,所述像素单元中的所述N个子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素;所述第二导电线位于所述红色子像素内。
[0016]其中,任一所述子像素中还包括薄膜晶体管,同一所述第一像素组中的所述薄膜晶体管的栅极连接同一条所述栅线;同一所述第二像素组中的所述薄膜晶体管的源极连接同一条数据线;所述公共电极位于所述薄膜晶体管的源极和漏极背离衬底的一侧,且所在所述公共电极所在层和所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层之间设置有层间绝缘层,在所述公共电极所在层和所述像素电极所在层之间设置有钝化层;所述像素电极通过贯穿所述钝化层和所述层间绝缘层的过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
[0017]其中,任一所述子像素中还包括薄膜晶体管,同一所述第一像素组中的所述薄膜晶体管的栅极连接同一条所述栅线;同一所述第二像素组中的所述薄膜晶体管的源极连接同一条数据线;所述公共电极与所述薄膜晶体管的栅极同层设置;在所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层背离衬底基板的一侧依次设置有层间绝缘层和钝化层;所述像素电极通过贯穿所述钝化层和所述层间绝缘层的过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
[0018]其中,任一所述子像素中还包括薄膜晶体管,同一所述第一像素组中的所述薄膜晶体管的栅极连接同一条所述栅线;同一所述第二像素组中的所述薄膜晶体管的源极连接同一条数据线;所述公共电极与所述薄膜晶体管的栅极同层设置;在所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层背离衬底基板的一侧设置有钝化层;所述像素电极通过贯穿所述钝化层的过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
[0019]其中,所述显示基板还包括设置在衬底基板上的第一信号引入线和第二信号引入线,所述第一信号引入线被配置为向所述公共电极提供公共电压,所述第二信号引入线被配置为向所述辅助结构提供所述公共电压。
[0020]其中,所述辅助功能结构包括近场通信天线的线圈部。
[0021]第二方面,本公开实施例提供一种显示装置,其包括任一所述的显示基板。
[0022]其中,所述显示装置还包括对盒基板,所述对盒基板上设置有黑矩阵,所述辅助功能结构在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影范围之内。
[0023]其中,所述显示装置其具有显示区和环绕显示区的外围区;所述显示区具有功能区和非功能区;所述辅助功能结构位于所述功能区;在所述第一方向上并排设置的黑矩阵为一体结构,形成第一黑矩阵条,在所述第二方向并排设置的黑矩阵为一体结构,且形成第二黑矩阵条,且所述第一黑矩阵条在所述功能区和所述非功能区沿所述第二方向的长度相等,且所述第二黑矩阵条在所述功能区和所述非功能区沿所述第一方向的长度相等。
附图说明
[0024]图1为一种示例性的显示基板的示意图;
[0025]图2为图1所示的显示基板的A

A'的截面图;
[0026]图3为本公开实施例的一种显示基板的示意图;
[0027]图4为本公开实施例的显示基板中的近场通信天线的线圈部的示意图;
[0028]图5为本公开实施例的显示基板的版图;
[0029]图6为图5所示的显示基板的B

B'的一种截面图;
[0030]图7为图5所示的显示基板的C

C'的一种截面图;
[0031]图8为图5所示的显示基板的D

D'的一种截面图;
[0032]图9为图5所示的显示基板的E

E'的截面图;
[0033]图10为图5所示的显示基板的B

B'的另一种截面图;
[0034]图11为图5所示的显示基板的C

C'的另一种截面图;
[0035]图12为图5所示的显示基板的D

D'的另一种截面图;
[0036]图13为图5所示的显示基板的B

B'的再一种截面图;
[0037]图14为图5所示的显示基板的C

C'的再一种截面图;
[0038]图15为图5所示的显示基板的D

D'的再一种截本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板,其包括:衬底基板;多个子像素和辅助功能结构,设置在所述衬底基板上;所述子像素均包括依次设置在所述衬底基板上的公共电极和像素电极;所述辅助功能结构包括交叉、且电连接的设置的至少一条第一导电线和至少一条第二导电线;所述第一导电线沿第一方向延伸,所述第二导电线沿第二方向延伸;其中,所述第一导电线所在层与所述公共电极所在层之间的距离小于所述第一导电线所在层与所述像素电极所在层之间的距离。2.根据权利要求1所述的显示基板,其中,在所述第一方向并排设置的所述子像素形成第一像素组,在所述第二方向并排设置的所述子像素形成第二像素组;位于同一所述第一像素组中的各所述子像素连接一条栅线,位于同一所述第二像素组中的各所述子像素连接同一条数据线。3.根据权利要求2所述的显示基板,其中,所述第一导电线与所述栅线同层设置且材料相同;和/或,所述第二导电线与所述数据线同层设置且材料相同。4.根据权利要求2所述的显示基板,其中,至少部分所述第一像素组中设置有第一导电线,且在所述第一像素组中,所述第一导电线和该第一像素组所连接的栅线位于该第一像素组在所述第二方向的不同侧。5.根据权利要求2所述的显示基板,其中,至少部分所述第二像素组中设置有第二导电线,且在所述第二像素组中,所述第二导电线和该第二像素组所连接的数据线位于该第二像素组在所述第一方向上的不同侧。6.根据权利要求5所述的显示基板,其中,位于同一所述第二像素组中的各个所述子像素的颜色相同,且沿所述第一方向并排设置的每N个子像素构成一像素单元,N≥2;所述N为整数;沿所述第二方向并排设置的所述像素单元形成一像素单元组;每个像素单元组内设置有一条所述第二导电线。7.根据权利要求6所述的显示基板,其中,所述像素单元中的所述N个子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素;所述第二导电线位于所述红色子像素内。8.根据权利要求2

7中任一项所述的显示基板,其中,任一所述子像素中还包括薄膜晶体管,同一所述第一像素组中的所述薄膜晶体管的栅极连接同一条所述栅线;同一所述第二像素组中的所述薄膜晶体管的源极连接同一条数据线;所述公共电极位于所述薄膜晶体管的源极和漏极背离衬底的一侧,且所在所述公共电极所在层和所述薄膜晶体管的源极和漏极所在层之间设置有层间绝缘层,在所述公共电极所在层和所述像素电极所在层之间设置有钝化层;所述像素电极通过贯穿...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘雨杰陈伟陈秀云龙凤白梓璇郭书玮梁达鹏杜景军
申请(专利权)人:北京京东方显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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