【技术实现步骤摘要】
本专利技术的背景1.本专利技术的领域本专利技术涉及电流-激发发光元件。另外，本专利技术涉及分别具有发光元件的发光装置和电子装置。2.相关技术的描述近年来，已经积极研究和开发使用发光有机化合物的发光元件。该发光元件的基本结构通过将包含发光有机化合物层插入一对电极之间而形成。通过向该元件施加电压，电子和空穴被分开地从所述电极对注入包含发光有机化合物层，和电流流动。然后，这些载体(电子和空穴)的复合造成发光有机化合物处于激发态和在激发态返回至基态时发光。由于这种机理，如上所述的发光元件称作电流-激发发光元件。应该注意，通过有机化合物形成的激发态可以是单重峰激发态或三重峰激发态。单重峰激发态的光发射称作荧光，和三重峰激发态的光发射称作磷光。这种发光元件的一个大的优点在于，发光元件可被制成薄和重量轻的，因为发光元件由厚度，例如，约0.1μm的有机薄膜形成。另外，非常高的响应速度是另一优点，因为载体注射和光发射之间的时间是约1μsec或更低。这些特性被认为适用于平板显示元件。这种发光元件成型为膜形状。因此，平面发射可容易地通过形成大面积元件而得到。该特性在以白炽灯或LE...
【技术保护点】
一种发光元件，包括： 第一电极； 第二电极；和 包含设置在第一电极和第二电极之间的发光物质的第一层， 其中第一层包含： 发光层； 包含第一有机化合物的第二层；和 包含第二有机化合物的第三层，其中第一电极具有光传导性能， 其中第二层和第三层设置在第二电极和发光层之间，和 其中第一有机化合物的颜色和第二有机化合物的颜色是互补的。
【技术特征摘要】
JP 2006-3-8 2006-0619691.一种发光元件，包括第一电极；第二电极；和包含设置在第一电极和第二电极之间的发光物质的第一层，其中第一层包含发光层；包含第一有机化合物的第二层；和包含第二有机化合物的第三层，其中第一电极具有光传导性能，其中第二层和第三层设置在第二电极和发光层之间，和其中第一有机化合物的颜色和第二有机化合物的颜色是互补的。2.一种发光元件，包括第一电极；第二电极；和包含设置在第一电极和第二电极之间的发光物质的第一层，其中第一层包括发光层；包含第一有机化合物的第二层；和包含第二有机化合物的第三层，其中第一电极具有光传导性能，其中第二层和第三层设置在第二电极和发光层之间，和其中第一有机化合物具有在大于或等于380nm和低于540nm的波长区域内的吸收峰，和第二有机化合物具有在大于或等于540nm和低于或等于760nm的波长区域内的吸收峰。3.一种发光元件，包括第一电极；第二电极；和包含设置在第一电极和第二电极之间的发光物质的第一层，其中第一层包含发光层；包含第一有机化合物的第二层；和包含第二有机化合物的第三层，其中第一电极具有光传导性能，其中第二层和第三层设置在第二电极和发光层之间，其中第一有机化合物是3，4，9，10-苝四羧酸衍生物，1，4，5，8，-萘四羧酸衍生物，并四苯衍生物，或镍配合物中的任何物质，和其中第二有机化合物是酞菁衍生物，并五苯衍生物，3，4，9，10-苝四羧酸-二-苯并咪唑衍生物，或紫蒽酮衍生物中的任何物质。4.根据权利要求1的发光元件，进一步包括在第二层和第三层之间的第四层，其中第四层包含导电材料。5.根据权利要求4的发光元件，其中导电材料选自氧化锡铟，包含硅或氧化硅的氧化锡铟，氧化锌铟，和包含氧化钨和氧化锌的氧化锡铟的一种。6.根据权利要求1的发光元件，进一步包括在第二层和第三层之间的第四层，其中第四层包含半导体材料。7.根据权利要求6的发光元件，其中半导体材料是选自氧化钛，氧化钒，氧化铌，氧化钼，氧化钨，氧化铼，氧化钌，氧化钴，氧化镍，氧化锌，氧化铜，氧化锡，硫化锌，氮化镓，和氮化铝镓的一种。8.根据权利要求2的发光元件，进一步包括在第二层和第三层之间的第四层，其中第四层包含导电材料。9.根据权利要求8的发光元件，其中导电材料是选自氧化锡铟，包含硅或氧化硅的氧化锡铟，氧化锌铟，和包含氧化钨和氧化锌的氧化锡铟的一种。10.根据权利要求2的发光元件，进一步包括在第二层和第三层之间的第四层，其中第四层包含半导体材料。11.根据权利要求10的发光元件，其中半导体材料是选自氧化钛，氧化钒，氧化铌，氧化钼，氧化钨，氧化铼，氧化钌，氧化钴，氧化镍，氧化锌，氧化铜，氧化锡，硫化锌，氮化镓，和氮化铝镓的一种。12.根据权利要求3的发光元件，进一步包括在第二层和第三层之间的第四层，其中第四层包含导电材料。13.根据权利要求12的发光元件，其中导电材料是选自氧化锡铟，包含硅或氧化硅的氧化锡铟，氧化锌铟，和包含氧化钨和氧化锌的氧化锡铟的一种。14.根据权利要求3的发光元件，进一步包括在第二层和第三层之间的第四层，其中第四层包含半导体材料。15.根据权利要求14的发光元件，其中半导体材料是选自氧化钛，氧化钒，氧化铌，氧化钼，氧化钨，氧化铼，氧化钌，氧化钴，氧化镍，氧化锌，氧化铜，氧化锡，硫化锌，氮化镓，和氮化铝镓的一种。16.一种发光元件，包括第一电极；第二电极；和包含设置在第一电极和第二电极之间的发光物质的第一层，其中第一层包含发光层；第一半导体层；和第二半导体层，其中第一电极，发光层，第一半导体层，第二半导体层，和第二电极按照该顺序形成，其中第一电极具有光传导性能，其中第一半导体层的颜色和第二半导体层的颜色是互补的，和其中第一半导体层和第二半导体层之一是N-型半导体层和另一第一半导体层和第二半导体层是P-型半导体层。17.一种发光元件，包括第一电极；第二电极；和包含设置在第一电极和第二电极之间的发光物质的第一层，其中第一层包含发光层；第一半导体层；和第二半导体层，其中第一电极，发光层，第一半导体层，第二半导体层，和第二电极按照该顺序形成，其中第一电极具有光传导性能，其中第一半导体层和第二半导体层之一是N-型半导体层和另一第一半导体层和第二半导体层是P-型半导体层，和其中N-型半导体层在大于或等于380nm和低于540nm的波长区域具有吸收峰，和P-型半导体层在大于或等于540nm和低于或等于760nm的波长区域具有吸收峰。18.一种发光元件，包括包含以下的一层第一电极；第二电极；和包含设置在第一电极和第二电极之间的发光物质的第一层，其中第一层包含发光层；第一半导体层；和第二半导体层，其中第一电极，发光层，第一半导体层，第二半导体层，和第二电极按照该顺序形成，其中第一电极具有光传导性能，其中第一半导体层和第二半导体层之一是N-型半导体层和另一第一半导体层和第二半导体层是P-型半导体层，其中N-型半导体层包含3，4，9，10-苝四羧酸二酸酐，3，4，9，10-苝四羧酸二酰亚胺，N，N′-二甲基-3，4，9，10-苝四羧酸二酰亚胺，1，4，5，8-萘四羧酸二酸酐，或1，4，5，8-萘四羧酸二酰亚胺中的任何物质，和其中P-型半导体层包含酞菁，铜酞菁，锌酞菁，氧钒基酞菁，钛氧基酞菁，镍酞菁，并五苯，或6，13-二苯基并五苯中的任何物质。19.一种发光元件，包括第一电极；第二电极；和包含设置在第一电极和第二电极之间的发光物质的第一层，其中第一层包含发光层；第一半导体层；和第二半导体层，其中第一电极，发光层，第一半导体层，第二半导体层，和第二电极按照该顺序形成，其中第一电极具有光传导性能，其中第一半导体层和第二半导体层之一是N-型半导体层和另一第一半导体层和第二半导体层是P-型半导体层，其中N-型半导体层在大于或等于540nm和低于760nm的波长区域具有吸收峰，和P-型半导体层在大于或等于380nm和低于或等于540nm的波长区域具有吸收峰。20.一种发光元件，包括第一电极；第二电极；和设置在第一电极和第二电极之间的包含发光物质的第一层，其中第一层包含发光层；第一半导体层；和第二半导体层，其中第一电极，发光层，第一半导体层，第二半导体层，和第二电极按照该顺序形成，其中第一电极具有光传导性能，其中第一半导体层和第二半导体层之一是N-型半导体层且第一半导体层和第二半导体层中的另一层是P-型半导体层，其中N-型半导体层包含(1，2，3，4，8，9，10，11，15，16，17，18，22，23，24，25-十六氟酞菁根合)铜，(1，2，3，4，8，9，10，11，15，16，17，18，22，23，24，25-十六氟酞菁根合)锌，全氟并五苯，或3，4，9，10-苝四羧酸-二-苯并咪唑中的任何物质，和其中P-型半导体层包含并四苯，5，12-二苯基并四苯，或红荧烯中的任何物质。21.根据权利要求16的发光元件，进一步包括第一半导体层和第二半导体层之间的第二层，和其中第二层包含导电材料。22.根据权利要求21的发光元件，其中导电材料是选自氧化锡铟，包含硅或氧化硅的氧化锡铟，氧化锌铟，和包含氧化钨和氧化锌的氧化锡铟的一种。23.根据权利要求16的发光元件，进一步包括第一半导体层和第二半导体层之间的第二层，其中第二层包含半导体材料。24.根据权利要求23的发光元件，其中半导体材料是选自氧化钛，氧化钒，氧化铌，氧化钼，氧化钨，氧化铼，氧化钌，氧化钴，氧化镍，氧化锌，氧化铜，氧化锡，硫化锌，氮化镓，和氮化铝镓的一种。25.根据权利要求16的发光元件，其中P-型半导体层进一步包含受体材料。26.根据权利要求25的发光元件，其中受体材料是7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷，或氯醌。27.根据权利要求25的发光元件，其中受体材料是过渡金属氧化物。28.根据权利要求25的发光元件，其中受体材料是选自氧化钒，氧化铌，氧化钽，氧化铬，氧化钼...
【专利技术属性】
技术研发人员：大泽信晴，瀬尾哲史，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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