一种半导体器件器件及制作方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及制作方法，该半导体器件包括：晶圆和导通结构，其中，在所述晶圆上设有环状盲孔，在所述环状盲孔中填充有金属导体，形成所述导通结构，所述环状盲孔的宽度与所述金属导体的热膨胀系数相关。该半导体器件极大地减小硅穿孔后的晶圆的残存应力，增加了硅穿孔后的晶圆的厚度，还节省了制作成本，优化了晶圆的硅穿孔结构，提高了硅穿孔后的晶圆的性能。提高了硅穿孔后的晶圆的性能。提高了硅穿孔后的晶圆的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件器件及制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件及制作方法。

技术介绍

[0002]硅穿孔(Through Silicon Via，简称TSV)技术是半导体2.5D/3D集成的核心技术，主要用在高灵敏度的MEMS(Microelectro Mechanical Systems，微机电系统)传感器工艺上。硅穿孔技术多以体硅工艺进行制作，其主要包括通孔刻蚀、通孔薄膜沉积、通孔填充、化学机械抛光(Chemical Mechanical Polish，简称CMP)等关键技术。
[0003]通常，硅穿孔技术的作法是在晶圆上形成通孔，再在通孔中填充金属导体，形成实心金属柱。然而，由于实心金属柱内部的金属热膨胀系数较大于晶圆的热膨胀系数，在高温等环境因素影响下，金属膨胀极易导致晶圆发生碎裂，即金属的热膨胀系数与晶圆的热膨胀系数匹配不佳，从而影响其可靠性及使用性，并且使得制成的晶圆厚度较薄。

技术实现思路

[0004]本申请实施例通过提供一种半导体器件及制作方法，解决了现有技术中基于硅穿孔的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：晶圆和导通结构，其中，在所述晶圆上设有环状盲孔，在所述环状盲孔中填充有金属导体，形成所述导通结构，所述环状盲孔的宽度与所述金属导体的热膨胀系数相关。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，以所述晶圆的热膨胀系数和所述金属导体的热膨胀系数相匹配为目标，确定所述环状盲孔的宽度。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：绝缘层，所述绝缘层位于在所述导通结构和所述环状盲孔的环壁之间。4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，还包括：阻挡层，所述阻挡层位于在所述导通结构和所述绝缘层之间。5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述阻挡层的材质包括：钛或氮化钛。6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵利芳，杨云春，郭鹏飞，陆原，
申请(专利权)人：赛莱克斯微系统科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：