电光装置、电子设备、及电光装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供即使在将使栅绝缘层部分地变薄了的部分用作存储电容器的电介质层的情况下，仍能够抑制存储电容器的电容量的偏差、存储电容器的耐电压下降的电光装置、电子设备、及电光装置的制造方法。当构成液晶装置的存储电容器时，在形成了栅绝缘层（４）的厚的下层侧栅绝缘层（４ａ）之后，通过干蚀刻将与下电极（３ｃ）相重叠的部分的下层侧栅绝缘层（４ａ）去除。其次，形成薄的上层侧栅绝缘膜（４ｂ），并将该上层侧栅绝缘膜（４ｂ）用作存储电容器（１ｈ）的电介质层（４ｃ）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术，涉及在元件基板上具有薄膜晶体管及存储电容器的电光装置，电子设备，及该电光装置的制造方法。
技术介绍
各种电光装置之中，在有源矩阵型的液晶装置中，例如，在示于图14(a)、(b)中的元件基板10和对向基板(未进行图示)之间保持着液晶。在元件基板10中，在对应于栅线3a(扫描线)和源线6a(数据线)的交叉处的多个像素区域1e的各处，形成了像素开关用的薄膜晶体管1c、及电连接于该薄膜晶体管1c的漏区域的像素电极2a，由从源线6a通过薄膜晶体管1c施加于像素电极2a的图像信号对液晶1f的取向按每一像素进行控制。并且，在像素区域1e中，形成以对液晶1f进行驱动时的漏电极6b的延伸部分作为上电极6c的存储电容器1h，在存储电容器1h中，大多将薄膜晶体管1c的栅绝缘层4用作电介质层4c。在此，若能提高存储电容器1h的每单位面积的电容值，则电荷的保持特性提高。并且，若能提高存储电容器1h的每单位面积的电容值，则能够缩小占有面积，并提高像素开口率。于是，提出了以下构成当形成从下层侧按顺序叠层了栅电极、栅绝缘层、及半导体层的底栅结构的薄膜晶体管时，在形成了栅绝缘层之后，在栅绝缘层的上层将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电光装置，其在元件基板上的多个像素区域的各个像素区域中具有：叠层了栅电极、栅绝缘层及半导体层的薄膜晶体管；电连接于该薄膜晶体管的漏区域的像素电极；和具有夹持着所述栅绝缘层彼此相对向的下电极及上电极的存储电容器；其特征在于：在所述 薄膜晶体管中，从下层侧起按顺序叠层有所述栅电极、所述栅绝缘层及所述半导体层；所述栅绝缘层，具有由１层或多层绝缘膜构成的下层侧栅绝缘层，和由１层或多层绝缘膜构成的上层侧栅绝缘层；所述下层侧栅绝缘层，形成为使所述薄膜晶体管的寄生 电容变小的厚度，并且在与所述下电极及所述上电极相重叠的部分被去除。

【技术特征摘要】
JP 2006-4-26 121641/20061.一种电光装置，其在元件基板上的多个像素区域的各个像素区域中具有叠层了栅电极、栅绝缘层及半导体层的薄膜晶体管；电连接于该薄膜晶体管的漏区域的像素电极；和具有夹持着所述栅绝缘层彼此相对向的下电极及上电极的存储电容器；其特征在于在所述薄膜晶体管中，从下层侧起按顺序叠层有所述栅电极、所述栅绝缘层及所述半导体层；所述栅绝缘层，具有由1层或多层绝缘膜构成的下层侧栅绝缘层，和由1层或多层绝缘膜构成的上层侧栅绝缘层；所述下层侧栅绝缘层，形成为使所述薄膜晶体管的寄生电容变小的厚度，并且在与所述下电极及所述上电极相重叠的部分被去除。2.按照权利要求1所述的电光装置，其特征在于所述上层侧栅绝缘膜形成得比所述下层侧栅绝缘膜薄。3.按照权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于所述下层侧栅绝缘层由1层绝缘膜构成，所述上层侧栅绝缘层由1层绝缘膜构成。4.按照权利要求1～3中的任何一项所述的电光装置，其特征在于所述半导体层由非晶硅膜构成。5.按照权利要求1～4中的任何一项所述的电光装置，其特征在于所述上层侧栅绝缘层由氮化硅膜构成。6.按照权利要求1～5中的任何一项所述的电光装置，其特征在于所述上电极，为从所述薄膜晶体管的漏电极到与所述下电极相对向的区域延伸的部分。7.按照权利要求1～...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤尚，森田聪，
申请(专利权)人：爱普生映像元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]