【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于分流式紧密联接催化剂的阀门装置
[0001]本公开涉及通常用于与内燃发动机一起使用的后处理系统。
[0002]背景
[0003]排气后处理系统用于处理由内燃机产生的排气。排气后处理系统通常包括选择性催化还原系统,该选择性催化还原系统被配制为在存在催化剂和还原剂的情况下还原排气中的氮氧化物。排气后处理系统还可以包括一个或多个过滤器,以从排气中去除碎屑和其他颗粒。通过使用排气后处理系统处理排气,排气后处理系统降低了排气中有害排放物的水平,这些有害排放物原本会排放到大气中。然而,当今的排气后处理系统由于其构造和操作方式而具有局限性。
[0004]概述
[0005]根据本公开的一些方面,公开了一种后处理系统。该后处理系统包括第一排气路径、第二排气路径和选择器阀,该选择器阀被配置为基于排气的温度在第一排气路径和第二排气路径之间使排气转向(divert)。后处理系统还包括控制器,该控制器被编程为控制选择器阀,使得当排气的温度等于或小于预定温度阈值时,选择器阀将排气中的至少一部分转向到第一排气路径,并且当排气的温度大于预定温度阈值时,选择器阀将排气转向到第二排气路径。第一排气路径包括加热器,该加热器被配置为加热在第一排气路径中接收的排气。
[0006]根据本公开的一些其他方面,公开了一种方法。该方法包括由与后处理系统相关联的控制器确定排气的温度,由控制器将排气的温度与预定温度阈值进行比较,并且当排气的温度等于或小于预定温度阈值时,将选择器阀调节到第一位置,以便将排气中的至少一部分转向到第一排气路径,以及 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种后处理系统,包括:第一排气路径;第二排气路径;选择器阀,其被配置为基于排气的温度在所述第一排气路径和所述第二排气路径之间使排气转向;和控制器,其被编程为控制所述选择器阀,使得:当所述排气的温度等于或小于预定温度阈值时,所述选择器阀将排气中的至少一部分转向到所述第一排气路径;和当所述排气的温度大于所述预定温度阈值时,所述选择器阀将排气转向到所述第二排气路径,其中所述第一排气路径包括加热器,所述加热器被配置为加热在所述第一排气路径中接收的排气。2.根据权利要求1所述的后处理系统,其中所述第一排气路径还包括第一分解室,所述第一分解室被配置为接收(i)还原剂,和(ii)已经被所述选择器阀转向到所述第一排气路径并被所述加热器加热的排气。3.根据权利要求2所述的后处理系统,其中所述第二排气路径包括第二分解室,所述第二分解室被配置为接收(i)还原剂,和(ii)已经被所述选择器阀转向到所述第二排气路径的排气。4.根据权利要求3所述的后处理系统,还包括:组合排气路径,所述组合排气路径位于所述第一分解室和所述第二分解室的下游,其中所述组合排气路径被配置为接收(i)来自所述第一分解室的还原剂和加热的排气,和/或接收(ii)来自所述第二分解室的还原剂和排气。5.根据权利要求4所述的后处理系统,其中所述组合排气路径包括选择性催化还原催化剂。6.根据权利要求5所述的后处理系统,其中所述组合排气路径还包括氨逃逸催化剂,所述氨逃逸催化剂位于所述选择性催化还原催化剂的下游。7.根据权利要求2所述的后处理系统,还包括还原剂蒸发器,所述还原剂蒸发器被配置为将蒸发的还原剂注入到所述第一分解室中。8.根据权利要求2所述的后处理系统,其中:所述第一排气路径还包括第一选择性催化还原催化剂,所述第一选择性催化还原催化剂位于所述第一分解室的下游,并且所述第一选择性催化还原催化剂被配置为接收(i)还原剂,和(ii)来自所述第一分解室的加热的排气。9.根据权利要求8所述的后处理系统,其中所述第一选择性催化还原催化剂包括铜基催化剂、铁基催化剂或钒基催化剂。10.根据权利要求8所述的后处理系统,其中所述第一排气路径还包括氨逃逸催化剂,所述氨逃逸催化剂位于所述第一选择性催化还原催化剂的下游。11.根据权利要求8所述的后处理系统,其中所述第二排气路径包括第二分解室,所述第二分解室被配置为接收(i)还原剂,和(ii)已经被所述选择器阀转向到所述第二排气路
径的排气。12.根据权利要求11所述的后处理系统,其中:所述第二排气路径还包括第二选择性催化还原催化剂,所述第二选择性催化还原催化剂位于所述第二分解室的下游,并且所述第二选择性催化还原催化剂被配置为接收(i)还原剂,和(ii)来自所述第二分解室的排气。13.根据权利要求12所述的后处理系统,其中,所述第二排气路径还包括氨逃逸催化剂,所述氨逃逸催化剂位于所述第二选择性催化还原催化剂的下游。14.根据权利要求12所述的后处理系统,还包括液体还原剂定量给料器,所述液体还原剂定量给料器被配置为将液体还原剂注入到所述第二分解室中。15.根据权利要求12所述的后处理系统,其中:所述第一排气路径包括第一氨逃逸催化剂,所述第一氨逃逸催化剂位于所述第一选择性催化还原催化剂的下游,并且所述第二排气路径包括第二氨逃逸催化剂,所述第二氨逃逸催化剂位于所述第二选择性催化还原催化剂的下游。16.根据权利要求12所述的后处理系统,其中所述第一排气路径的所述第一选择性催化还原催化剂的尺寸小于所述第二排气路径的所述第二选择性催化还原催化剂的尺寸。17.根据权利要求12所述的后处理系统,其中所...
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