一种超薄集成芯片及其制造方法技术

一种制造半导体器件的方法，该方法包括：形成衬底；由对蚀刻工艺不敏感的第一类型的材料形成支撑层；支撑层具有与半导体器件的所需厚度相关的预定厚度；在支撑层上形成器件；在器件上形成至少一层包覆材料；在层中形成至少向下延伸至所述衬底的多个沟槽；在包覆材料上施加膜；使用蚀刻工艺至少部分地移除所述衬底以使器件与晶片上的其它器件分离。以使器件与晶片上的其它器件分离。以使器件与晶片上的其它器件分离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种超薄集成芯片及其制造方法


[0001]本专利技术涉及超薄集成芯片及其制造方法，尤其但不排他地涉及一种超薄集成光子芯片。

技术介绍

[0002]在所有领域或集成电路中，芯片或半导体器件变得越来越小。随着尺寸减小，存在与实现制造薄和超薄芯片的可靠方法相关联的更多问题。这对于使用光而不是电的所谓的光子芯片而言是特别的问题。光子芯片具有许多用途，并且被认为对将它们用作探针等的分子环境特别有用。
[0003]目前，标准光子芯片具有约750μm的厚度。这些总体上是使用如以下更详细讨论的当前技术可靠地制造的。近来的需求是寻找厚度小于50μm的光子芯片。当前技术没有给出可靠的产量，并且通常整个晶片可能被本方法的必要技术破坏。
[0004]存在多种提议。目前，在光子器件制造之后的晶片背面研磨是用于制造的优选方式。然而，该背面研磨工序仅当该目标厚度大于100μm时才可靠。
[0005]对于小于50μm的目标厚度，控制背面研磨厚度是极其困难的，因为简而言之它对于现有方法而言太薄，尤其是对于具有晶片拓扑结构和厚度不均匀的经处理的光子晶片。从本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件，其特征在于，包括支撑层，该支撑层由不易受蚀刻工艺影响的材料形成，且该支撑层可以在制造中沉积至预定厚度，从而精确地控制所述器件所需的厚度。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述支撑层包括缓冲层。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲层包括SiO2、SiON、SiN。4.根据任何前述权利要求所述的半导体器件，其特征在于，还包括附加的蚀刻停止层。5.根据任何前述权利要求所述的半导体器件，其特征在于，所述支撑层为几十μm数量级。6.根据任何前述权利要求所述的半导体器件，其特征在于，所述器件是光子芯片。7.根据任何前述权利要求所述的半导体器件，其中所述器件是超薄器件。8.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括：形成衬底；由不易受蚀刻工艺影响的第一类型材料形成支撑层，所述支撑层具有与所述半导体器件的所需厚度相关的预定厚度；在所述支撑层上形成器件；在所述器件上形成至少一层包覆材料；在所述层中形成至少向下延伸至所...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗贤树，卢国强，
申请(专利权)人：先进微晶圆私人有限公司，
类型：发明
国别省市：