温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种制造半导体器件的方法，该方法包括：形成衬底；由对蚀刻工艺不敏感的第一类型的材料形成支撑层；支撑层具有与半导体器件的所需厚度相关的预定厚度；在支撑层上形成器件；在器件上形成至少一层包覆材料；在层中形成至少向下延伸至所述衬底的多个沟槽；在包...
该专利属于先进微晶圆私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微晶圆私人有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。