本发明专利技术涉及采用将蚀刻分离形成于晶圆上的LED芯片以分离得到的各芯片转移到载体基板的技术、利用感光性转移树脂将转移到载体基板的各芯片中的一部分选择性地、依次或按时间间隔转移到其他载体基板及显示板的技术的感光性转移树脂、LED芯片转移方法及显示装置的制造方法。本发明专利技术的实施方式的LED芯片转移用感光性转移树脂是混合感光性树脂、混合溶剂及光活性剂粉末得到的光活性剂溶液制备的感光性转移树脂，可对所述感光性转移树脂曝光后不进行显影(Develop)工程而是加热使得膨胀以作为剥离或转移黏着在所述感光性转移树脂的LED芯片的用途。片的用途。片的用途。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】LED芯片转移用感光性转移树脂、利用该感光性转移树脂的LED芯片转移方法及利用其的显示装置的制造方法
[0001]本专利技术涉及采用将蚀刻分离形成于晶圆上的LED芯片以分离得到的各芯片转移到载体基板的技术、利用感光性转移树脂将转移到载体基板的各芯片中的一部分选择性地、依次或按时间间隔转移到其他载体基板及显示板的技术的感光性转移树脂、LED芯片转移方法及显示装置的制造方法。
技术介绍
[0002]发光二极管(Light Emitting Diode：LED)是施加电流的情况下发光的发光元件之一。发光二极管能够用低电压放出高效率的光，因此具有卓越的节能效果。
[0003]近来，发光二极管的灰度问题得到很大改善，从而应用在液晶显示装置的背光单元(Backlight Unit)、电光板、表示器、家电产品等各种设备。
[0004]微发光二极管(μ
‑
LED)的大小为1～100μm程度，非常小，得到40英寸(inch)显示装置需要约2,500万个以上的像素。
[0005]因此，通过单纯的取放(Pick&Place)方法制造40英寸显示装置的情况下具有至少需要一个月时间的问题。
[0006]现有微发光二极管(μ
‑
LED)是在蓝宝石基板上制造多个后通过作为机械转移(Transfer)方法的取放(pick&place)将微发光二极管一个个转移到玻璃或柔性基板等。
[0007]由于一个个拾取(pick
‑
up)微发光二极管进行转移，因此被称为1：1取放转移方法。
[0008]然而，制成于蓝宝石基板上的微发光二极管芯片的大小小且厚度薄，因此在一个个转移微发光二极管芯片的取放转移工程中会发生所述芯片破损、转移失败、芯片对齐(Alignment)失败或芯片倾斜(Tilt)等问题。
[0009]并且，具有转移过程耗费过长时间的问题。
[0010][现有技术文献][0011][专利文献][0012](专利文献1)韩国授权专利10
‑
0853410
技术实现思路
[0013]技术问题
[0014]本专利技术旨在提供一种可利用UV及热选择性地转移形成或配置于衬底基板的多个芯片感光性树脂的方法。
[0015]并且，本专利技术旨在提供一种能够利用预定的感光性树脂选择性地转移形成于衬底基板的多个芯片的方法。
[0016]并且，旨在提供一种能够利用感光性树脂将从晶圆转移到第一载体基板的多个芯片中的一部分转移到第二载体基板的方法。
[0017]并且，旨在提供一种可通过利用发泡体将选择性地转移到第二载体基板的芯片转移到显示板制造显示装置的方法。
[0018]并且，旨在提供一种能够制造具有各种大小且像素间具有各种间距的显示装置的方法。
[0019]并且，旨在提供一种能够利用与显示装置的分辨率无关地在限定的面积上具有数量尽可能多的RGB像素的晶圆的方法。
[0020]并且，旨在提供一种能够迅速制造显示装置的方法。
[0021]本专利技术要解决的技术问题不限于以上所述的技术问题，本专利技术所属
的普通技术人员可通过以下记载明确理解未提及的其他问题。
[0022]技术方案
[0023]本专利技术的实施方式的LED芯片转移用感光性转移树脂是混合感光性树脂、混合溶剂及光活性剂粉末得到的光活性剂溶液制备的感光性转移树脂，可以对所述感光性转移树脂曝光后不进行显影(Develop)工程而是加热使得膨胀以作为剥离或转移黏着在所述感光性转移树脂的LED芯片的用途。
[0024]其中，所述感光性转移树脂的特定区域通过掩模及照射UV被曝光形成光劣化层，能够施加预定的热量时所述光劣化层膨胀选择性地仅剥离或转移位于所述光劣化层的LED芯片。
[0025]并且，本专利技术的实施例方式的利用感光性转移树脂的LED芯片转移装置，包括：基板；以及感光性转移树脂层，形成于所述基板上，由在预定的温度膨胀的感光性树脂构成；所述感光性转移树脂层上配置LED芯片，所述感光性转移树脂层的特定区域通过掩模及照射UV被曝光形成光劣化层，施加预定的热量使所述光劣化层膨胀，能够抵消位于所述光劣化层的LED芯片的被黏着力以剥离或转移所述LED芯片。
[0026]其中，所述感光性转移树脂通过混合感光性树脂、混合溶剂及光活性剂粉末得到的光活性剂溶液制备得到，所述光活性剂粉末为4重量％以上，可对所述感光性转移树脂曝光后不进行显影(Develop)工程而是加热使得膨胀形成可转移的状态。
[0027]并且，本专利技术的实施例方式的利用感光性转移树脂的LED芯片转移方法可包括：准备基板的基板准备步骤；在所述基板上形成包含感光性树脂剂的感光性转移树脂层的感光性转移树脂层形成步骤；在所述基板的背面侧配置掩模，照射UV使得仅特定区域被曝光的光劣化层形成步骤；以及通过施加预定的热量将位于所述光劣化层上的LED芯片选择性地转移到目的基板的选择性转移步骤。
[0028]并且，本专利技术的实施例方式的显示装置的制造方法可包括：在晶圆上形成多个LED芯片及钝化多个LED芯片的保护层的LED芯片形成步骤；按所述晶圆上的各LED芯片蚀刻所述保护层的蚀刻步骤；将所述晶圆上通过蚀刻排列成行、列或矩阵的LED芯片阵列转移到形成有含感光性树脂剂的感光性转移树脂层的第一载体基板的一次转移步骤；从所述LED芯片阵列去除所述晶圆的晶圆去除步骤；将所述LED芯片阵列从所述第一载体基板转移到具有由第二发泡体与黏着液混合得到的EMC黏着层的第二载体基板的二次转移步骤；以及从所述第二载体基板向显示板转移所述LED芯片阵列的显示板转移步骤。
[0029]所述二次转移步骤可包括：在所述第一载体基板的背面侧配置掩模，照射UV对所述感光性转移树脂层的特定区域曝光的光劣化层形成步骤；以及施加预定的热量将位于所
述光劣化层上的LED芯片阵列选择性地转移到第二载体基板的选择性转移步骤。
[0030]技术效果
[0031]根据上述本专利技术的构成，具有可利用预定的UV、热及压力选择性地转移形成或配置于衬底基板的多个芯片的优点。
[0032]并且，具有能够通过蚀刻分离形成于各晶圆上的R芯片、G芯片及B芯片的技术、将分离的各芯片转移到第一载体基板的技术、将转移到第一载体基板的各芯片中的一部分选择性地转移到第二载体基板的技术，将转移到第二载体基板的各芯片依次转移到显示板的优点。
[0033]并且，本专利技术能够通过预定的感光性树脂层靶向曝光选择性地转移形成于衬底基板的多个芯片。
[0034]并且，并非一个个控制微级别的发光元件，能够一次性第将所选择的多个发光元件一次性转移到显示板，因此具有能够显著降低显示装置制造费用及时间的优点。
[0035]并且，制造大面积显示装置的情况下具有可变更位置反复执行所述转移方法迅速制造的优点。
附图说明
[0036]图1为用于说明本专利技术的实施方式的LED本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种LED芯片转移用感光性转移树脂，是混合感光性树脂、混合溶剂及光活性剂粉末得到的光活性剂溶液制备的感光性转移树脂，用途为对所述感光性转移树脂曝光后不进行显影(Develop)工程而是加热使得膨胀以剥离或转移黏着在所述感光性转移树脂的LED芯片。2.根据权利要求1所述的LED芯片转移用感光性转移树脂，所述感光性转移树脂的特定区域通过掩模及照射UV被曝光形成光劣化层，施加预定的热量时所述光劣化层膨胀选择性地仅剥离或转移位于所述光劣化层的LED芯片。3.一种利用感光性转移树脂的LED芯片转移装置，包括：基板；以及感光性转移树脂层，形成于所述基板上，由在预定的温度膨胀的感光性树脂构成；所述感光性转移树脂层上配置LED芯片，所述感光性转移树脂层的特定区域通过掩模及照射UV被曝光形成光劣化层，施加预定的热量使所述光劣化层膨胀，抵消位于所述光劣化层的LED芯片的被黏着力以剥离或转移所述LED芯片。4.根据权利要求3所述的利用感光性转移树脂的LED芯片转移装置，所述感光性转移树脂通过混合感光性树脂、混合溶剂及光活性剂粉末得到的光活性剂溶液制备得到，所述光活性剂粉末为4重量％以上，对所述感光性转移树脂曝光后不进行显影(Develop)工程而是加热使得膨胀。5.一种利用感光性转移树脂的LED芯片转移方法，包括：准备基板的基板准备步骤；在所述基板上形成包含感光性树脂剂的感光性转移树脂层的感光性转移树脂层形成步骤；在所述基板的背面侧配置掩模，照射UV使得仅特定区域被曝光的光劣化层形成步骤；以及通过施加预定的热量将位于所述光劣化层上的LED芯片选择性地转移到目的基板的选择性转移步骤。6.根据权利要求5所述的利用感光性转移树脂的LED芯片转移方法，所述感光性转移树脂通过混合感光性树脂、混...
【专利技术属性】
技术研发人员：闵在植，李在晔，朴宰奭，赵炳求，
申请(专利权)人：莱太柘晶电株式会社，
类型：发明
国别省市：
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