有机图案化层及使用了该有机图案化层的金属图案化方法技术

本发明专利技术涉及有机图案化层及使用了该有机图案化层的金属图案化方法。一种有机图案化层，配置于有机半导体元件中的透明电极的外侧，其特征在于，构成所述有机图案化层的有机化合物具有以下的特性；a.制膜时的相对于1μL纯水的静态接触角(温湿度：23℃、50％)为85

【技术实现步骤摘要】
有机图案化层及使用了该有机图案化层的金属图案化方法


[0001]本专利技术涉及在制作有机半导体元件中的金属图案时使用的有机图案化层及使用了该有机图案化层的金属图案化方法。

技术介绍

[0002]随着近年的便携型信息终端等的普及，对搭载于这些终端的显示器、传感器等强烈要求节能、薄型化及轻质化。随之，具有轻质、优异的成型加工性、柔软性、分子设计的容易性等优点的有机半导体受到注目。迄今为止，为了实现有机半导体元件的实用化而作出多种改良，通过具有功能分离的有机半导体薄膜的层叠结构，飞跃性地提高元件特性。
[0003]作为有机半导体元件的典型例的有机电致发光元件(以下简称为有机EL元件。)是利用了有机化合物的场致发光的发光元件。在基板上依次设有阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极的有机EL元件通过从底部提取光并发光的底部发光结构的发光元件来达成高效率和耐久性(例如参照非专利文献1)。
[0004]进而，近年来，使用将作为透明电极的由银
·
镁合金等形成的金属薄膜用作阴极、并且从上部发光的顶部发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机图案化层，配置于有机半导体元件中的透明电极的外侧，其特征在于，构成所述有机图案化层的有机化合物具有以下的特性：a.在温湿度：23℃、50％的条件下制膜时的相对于1μL纯水的静态接触角为85
°
以上，b.玻璃化转变温度(Tg)为100℃以下，c.分子量为1000以下。2.根据权利要求1所述的有机图案化层，其中，所述有机化合物为包含至少一个由下述式(1)或下述式(2)表示的含氮杂环的化合物，【化1】【化2】式(1)或式(2)中，X为单键、S、O、Si、CR9R
10
、SiR
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R
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或NR
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，R1～R
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彼此相同或不同，并且表示氢原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、能够具有取代基的碳原子数1至8的直链状或支链状的烷基、能够具有取代基的碳原子数5至10的环烷基、能够具有取代基的碳原子数2至6的直链状或支链状的烯基、能够具有取代基的碳原子数1至8的直链...

【专利技术属性】
技术研发人员：望月俊二，桦泽直朗，富樫和法，北原秀良，筱田美香，三枝优太，
申请(专利权)人：保土谷化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：