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本发明涉及有机图案化层及使用了该有机图案化层的金属图案化方法。一种有机图案化层，配置于有机半导体元件中的透明电极的外侧，其特征在于，构成所述有机图案化层的有机化合物具有以下的特性；a.制膜时的相对于1μL纯水的静态接触角(温湿度：23℃、5...
该专利属于保土谷化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过保土谷化学工业株式会社授权不得商用。

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