半导体封装制造技术

一种半导体封装包括：前重分布结构，具有第一表面和与所述第一表面相对的的第二表面；天线基板，包括介电层和介电层中的多个天线构件；半导体芯片，具有连接到多个天线构件的连接焊盘；导电核心结构，具有容纳天线基板的第一通孔和容纳半导体芯片的第二通孔；以及后重分布结构，包括暴露天线基板的上部并覆盖半导体芯片的上部的导电覆盖层和将导电覆盖层连接到导电核心结构的导电过孔。接到导电核心结构的导电过孔。接到导电核心结构的导电过孔。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年6月22日向韩国知识产权局递交的韩国专利 申请No.10
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2020
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0075577的优先权和权益，其专利技术构思通过引用并入 本文。


[0003]本公开的专利技术构思涉及一种半导体封装。

技术介绍

[0004]在毫米波(mmWave)通信(包括5G通信)中，有必要开发集 成了5G通信所需的天线和其他电子组件(例如，射频集成电路 (RFIC)、电力管理集成电路(PMIC)、无源组件等)的模块封装。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思的一个方面提供了一种半导体封装，该半导体封装包 括用于发送和容纳射频(RF)信号的天线，但是具有最小化的尺寸以 及优异的电磁干扰(EMI)屏蔽和散热性能。
[0006]此外，根据本专利技术构思的另一方面，提供一种半导体封装，其中 减少了天线与半导体芯片之间的信号损耗并且改善了信号完整性(SI) 和功率完整性(PI)。
[0007]根据本公开的一个方面，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：前重分布结构，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述前重分布结构包括重分布层；天线基板，设置在所述前重分布结构的第一表面上，所述天线基板包括介电层、设置在所述介电层中的多个天线构件、以及将所述多个天线构件分别连接到所述重分布层的多个贯穿过孔；半导体芯片，设置在所述前重分布结构的第一表面上，所述半导体芯片具有连接焊盘，所述连接焊盘通过所述重分布层电连接到所述多个天线构件；导电核心结构，设置在所述前重分布结构的第一表面上，所述导电核心结构具有其中设置有所述天线基板的第一通孔和其中设置有所述半导体芯片的第二通孔；密封物，密封所述天线基板、所述半导体芯片和所述导电核心结构中的每一个的至少一部分；后重分布结构，配置为暴露所述天线基板并覆盖所述半导体芯片的上部，所述后重分布结构包括：导电覆盖层，在所述半导体芯片的上部上方设置在所述密封物上；以及导电过孔，所述导电过孔穿过所述密封物并将所述导电覆盖层连接到所述导电核心结构；绝缘覆盖层，设置为覆盖所述密封物和所述后重分布结构；以及多个连接凸块，设置在所述前重分布结构的第二表面上，并电连接到所述重分布层。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一通孔和所述第二通孔具有分别连续地围绕所述天线基板和所述半导体芯片的侧壁。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述导电覆盖层的最大宽度大于所述第二通孔的最大宽度。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述天线基板的高度等于所述半导体芯片的高度，以及所述导电核心结构的高度等于或大于所述天线基板的高度和所述半导体芯片的高度。5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述天线基板的高度为800μm或更小。6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述导电覆盖层具有在垂直于所述前重分布结构的第一表面的方向上与所述第二通孔完全重叠的板的形式。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述导电覆盖层具有在垂直于所述前重分布结构的第一表面的方向上与所述第二通孔的一部分重叠的多条迹线的形式。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述导电核心结构具有彼此间隔开的多个柱的形式或一体地延伸的壁的形式。9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述导电过孔具有连续围绕所述第二通孔的沟槽的形式。10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述导电过孔具有不连续地围绕所述第二通孔的岛的形式。11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述天线基板的介电层和所述密封物包括不同的材料，以及所述天线基板的介电层包括玻璃、陶瓷或硅中的至少一种。12.一种半导体封装，包括：
前重分布结构，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述前重分布结构包括重分布层；天线基板，设置在所述前重分布结构的第一表面上，所述天线基板包括介电层和所述介电层中的多个天线构...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜明杉，李相奎，李用军，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：