电压调节器制造技术

一种电压调节器包括：参考电流发生器，所述参考电流发生器耦合在电源端与参考端之间并且被配置成提供与电源电压的工作范围无关的参考电流；以及调节器级，所述调节器级包括：电流端，其被配置成接收所述参考电流；NMOS晶体管，其具有耦合到所述电流端的栅极、耦合到所述电源端的漏极和耦合到输出端的源极；耦合在所述输出端与所述参考端之间的用于提供调节后的输出电压的参考电压电路，所述参考电压电路包括输出电阻器，所述输出电阻器与布置成二极管连接式配置的输出双极晶体管的导电通道串联耦合；输入双极晶体管，其具有耦合在所述电流端与所述参考端之间的导电通道，以及耦合到所述输出双极晶体管的基极端的基极端。合到所述输出双极晶体管的基极端的基极端。合到所述输出双极晶体管的基极端的基极端。

【技术实现步骤摘要】
电压调节器


[0001]本公开涉及一种电压调节器，具体地说，涉及一种用于电池管理系统的电压调节器。

技术实现思路

[0002]根据本公开的第一方面，提供一种电压调节器，所述电压调节器包括：
[0003]电源端，其被配置成接收电源电压；
[0004]参考端；
[0005]输出端，其被配置成提供调节后的输出电压；
[0006]参考电流发生器，其耦合在所述电源端与所述参考端之间，并且被配置成提供与所述电源电压的工作范围无关的参考电流；以及
[0007]调节器级，其包括：
[0008]电流端，其被配置成从所述参考电流发生器接收所述参考电流；
[0009]NMOS晶体管，其具有：
[0010]耦合到所述电流端的栅极端；
[0011]耦合到所述电源端的漏极端；和
[0012]耦合到所述输出端的源极端；
[0013]参考电压电路，其耦合在所述输出端与所述参考端之间并且被配置成提供所述调节后的输出电压，所述参考电压电路包括与输出双极晶体管的导电通道串联耦合的第一输出电阻器，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电压调节器，其特征在于，包括：电源端，其被配置成接收电源电压；参考端；输出端，其被配置成提供调节后的输出电压；参考电流发生器，其耦合在所述电源端与所述参考端之间，并且被配置成提供与所述电源电压的工作范围无关的参考电流；以及调节器级，其包括：电流端，其被配置成从所述参考电流发生器接收所述参考电流；NMOS晶体管，其具有：耦合到所述电流端的栅极端；耦合到所述电源端的漏极端；和耦合到所述输出端的源极端；参考电压电路，其耦合在所述输出端与所述参考端之间并且被配置成提供所述调节后的输出电压，所述参考电压电路包括与输出双极晶体管的导电通道串联耦合的第一输出电阻器，其中所述输出双极晶体管布置成二极管连接式配置；输入双极晶体管，其具有耦合在所述电流端与所述参考端之间的导电通道，以及耦合到所述输出双极晶体管的基极端的基极端，使得所述输入双极晶体管和所述输出双极晶体管形成双极电流镜以对通过所述参考电压电路的所述参考电流进行镜像处理。2.根据权利要求1所述的电压调节器，其特征在于：所述输入双极晶体管和所述输出双极晶体管与所述参考电流发生器的双极晶体管匹配；并且所述第一输出电阻器与所述参考电流发生器的输出电流电阻器匹配。3.根据权利要求2所述的电压调节器，其特征在于：通过每个晶体管共有相同类型、相同温度系数、相同制造工艺、相同晶片、相同制造时间和/或布局上的相同位置中的一个或多个，所述输入双极晶体管和所述输出双极晶体管与所述参考电流发生器的所述双极晶体管匹配；并且通过每个电阻器共有相同类型、相同温度系数、相同制造工艺、相同晶片、相同制造时间和/或布局上的相同位置中的一个或多个，所述第一输出电阻器与所述参考电流发生器的所述输出电流电阻器匹配。4.根据在前的任一项权利要求所述的电压调节器，其特征在于，所述参考电压电路包括与所述第一输出电阻器和所述输出双极晶体管串联耦合在所述输出端与所述参考端之间的一个或多个另外的参考电压块，每个另外的参考电压块包括：另一输出电阻器；以及另一双极晶体管，其被布置成具有与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：