【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于电路连接的激光处理,具体地,有关于一种利用激 光射束的激光系统与方法以及基片的定位系统,其定位系统合并一种 操作镜,以补偿平台定位(stage positioning)的误差并且加强连接发分
技术介绍
集成电路(IC)装置制造处理过程中的成品通常会招致因次表面 层(subsurface layers)或图案(patterns)的对准偏差(alignment variations) 或者微粒状污染物所造成的缺陷。附图说明图1、 2A以及2B显示IC装置或工 件12重复的电子电路10,其典型地以行与列来制作,以便包含冗余电 路组件14的多重重复,诸如备用的存储器单元20的行16以及列18。 参照图l、 2A以及2B,电路10同样也设计用以包含电气接点24之间 特定的激光可分割电路连接22,而能够将之移除,以将有缺陷的存储 器单元20断开,并且用冗余单元26来替代,例如,在存储器中,如 DRAM、 SRAM、以及嵌入式存储器。相类似的技术同样也用来分割连 接,以程序化逻辑产品、门阵行、或者ASIC。连接22设计有一种大约2.5微米左右的传统连接宽度28、连接长 度30、以及距相邻电路结构或组件大约8微米的组件34,例如连接结 构36,的组件至组件间距(中心至中心的间隔)32。尽管最普及的连接 材料为多晶硅以及相似的成分,然而存储器的制造商最近已经采取各 种更具导电性的金属连接材料,其可以包含但并不受限于铝、铜、金、 镍、钛、鸨、铂、以及其它的金属,诸如镍铬的金属合金、诸如氮化钛或氮化钽的金属氮化物、诸如硅化钨的金属硅化物、或者其它类金 属的材料 ...
【技术保护点】
一种用于增加激光系统处理能力的方法,所述激光系统用于处理基片上的电路连接,所述电路连接被安排在至少第一和第二平行行中,所述方法包括: 生成激光输出以沿贯穿所述基片的激光射束轴传播; 沿第一行进轴产生所述激光射束轴与所述基片之间的相对移动,所述第一行进轴与所述第一行电路连接平行; 在沿所述第一行进轴的第一飞击通过期间,利用激光输出处理所述第一行中的至少第一电路连接;和 对所述激光射束轴产生偏移,所述偏移处于横向于所述行进轴的方向,以在所述第一飞击通过期间,利用激光输出处理所述第二行中的至少第二电路连接。
【技术特征摘要】
US 2001-2-16 60/269,6461.一种用于增加激光系统处理能力的方法,所述激光系统用于处理基片上的电路连接,所述电路连接被安排在至少第一和第二平行行中,所述方法包括生成激光输出以沿贯穿所述基片的激光射束轴传播;沿第一行进轴产生所述激光射束轴与所述基片之间的相对移动,所述第一行进轴与所述第一行电路连接平行;在沿所述第一行进轴的第一飞击通过期间,利用激光输出处理所述第一行中的至少第一电路连接;和对所述激光射束轴产生偏移,所述偏移处于横向于所述行进轴的方向,以在所述第一飞击通过期间,利用激光输出处理所述第二行中的至少第二电路连接。2. 根据权利要求1一38中任一权利要求所述的方法,其中所述 激光射束轴与所述基片之间沿第一行进轴的所述相对移动由移动平台 产生。3. 根据权利要求1一38中任一权利要求所述的方法,其中所述 激光射束轴与所述基片之间的沿第一行进轴的所述相对移动由分轴定 位器系统产生。4. 根据权利要求1—38中任一权利要求所述的方法,其中所述 激光射束轴与所述基片之间的沿第一行进轴的所述相对移动由堆叠平 台定位器系统产生。5. 根据权利要求1一38中任一权利要求所述的方法,其中所述 激光射束轴与所述基片之间的沿第一行进轴的所述相对移动由平面定 位器系统产生。6. 根据权利要求1—38中任一权利要求所述的方法,其中所述 第一和第二行相邻。7.根据权利要求1一38中任一权利要求所述的方法,其中至少 第三电路连接被安排在不同于所述第一和第二行的第三平行行中,所 述方法进一步包括对所述激光射束轴在横向于所述行进轴的方向上产生另一偏移, 以在所述第一飞击通过期间,利用激光输出处理所述第三行中的至少 第三电路连接。8.根据权利要求1一38中任一权利要求所述的方法,其中所述 第一和第二行中的电路连接以列的方式排列,其包括第一和第二相邻 列,并且其中被处理的所述第一和第二电路连接位于所述第一和第二 相邻列中。9. 根据权利要求7所述的方法,其中所述第一、第二和第三连 接行中的电路连接大致以列的方式排列,其包括第一列、与所述第一 列相邻的第二和第三列、以及至少一个不与所述第一列相邻的第四列, 并且其中所述第一和第三电路连接分别位于所述第一和第四列中。10. 根据权利要求1一38中任一权利要求所述的方法,其中产生 所述激光射束轴与所述基片之间沿第一行进轴的所述相对移动的步骤 在非处理周期期间以行进速度发生,而在连接处理事件期间,则以处 理速度发生,所述处理速度比所述行进速度慢。11. 根据权利要求10所述的方法,其中处于所述处理速度的移 动部分包括多重连接处理事件。12. 根据权利要求10所述的方法,其中处于所述处理速度的移 动部分包括不同行中的连接处理事件。13. 根据权利要求10所述的方法,其中处于所述处理速度的移 动部分包括在同一行中处理相邻连接。14. 根据权利要求10所述的方法,其中处于所述处理速度的移 动部分包括在不同行中处理相邻连接。15. 根据权利要求10所述的方法,其中处于所述处理速度的移动部分包括在同一行中处理非相邻连接。16. 根据权利要求10所述的方法,其中对所述激光射束轴产生偏移的步骤在移动部分期间以所述处理速度发生。17. 根据权利要求1一38中任一项所述的方法,其中将被处理的所有电路连接被包含于一总数的行中,所述方法进一步包括相对于所述基片引导所述激光射束轴的一总数的飞击通过,其中 在每个飞击通过期间处理至少一个电路连接,并且所述通过总数少于 具有将被处理的电路连接的行的总数。18. 根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中对所述激光射 束轴的所述偏移由高速射束操作装置产生。19. 根据权利要求18所述的方法,其中所述高速射束操作装置 采用压电驱动装置。20. 根据权利要求18所述的方法,其中所述高速射束操作装置 采用电致伸缩驱动装置。21. 根据权利要求18所述的方法,其中所述高速射束操作装置 采用音圈驱动装置。22. 根据权利要求18所述的方法,其中所述高速射束操作装置 包括快速操作镜。23. 根据权利要求18所述的方法,其中所述高速射束操作装置 在所述基片处具有ioo微米的最大射束偏转范围。24. 根据权利要求18所述的方法,其中所述高速操作系统在所 述基片处具有50微米的最大射束偏转范围。25. 根据权利要求18所述的方法,其中所述高速射束操作装置 在所述基片处具有20微米的最大射束偏转范围。26. 根据权利要求18所述的方法,其中所述高速射束操作装置 包括两轴操作装置。27. 根据权利要求26所述的方法,其中所述聚焦透镜具有进入 光瞳,并且所述高速射束操作装置位于所述进入光瞳...
【专利技术属性】
技术研发人员:M温拉斯,K布吕朗,HW罗,S斯瓦伦戈,
申请(专利权)人:电子科学工业公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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