一种多掩膜版尺寸芯片曝光方法技术

本发明专利技术涉及一种多掩膜版尺寸芯片曝光方法，包括以下步骤：将大尺寸芯片划分成多个芯片区块；以及制作所有所述芯片区块各层线路所对应的掩膜版，一个线路图形只分布在一个掩膜版里，并且一个掩膜版包括多个完整的线路图形。通过该方法可以实现大尺寸芯片的高精度曝光，有效避免了传统拼接曝光造成的同一线路的粗细不一致和线路开路问题。粗细不一致和线路开路问题。粗细不一致和线路开路问题。

【技术实现步骤摘要】
一种多掩膜版尺寸芯片曝光方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种多掩膜版尺寸芯片曝光方法。

技术介绍

[0002]光刻是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将掩膜版上的图形转移到所在衬底上。曝光是利用光照将掩膜版上的图形经过光学系统后投影到光刻胶上，实现图形从掩膜版到芯片晶圆的转移，是光刻工艺的重要工序之一。照明光源发出的光线经汇聚透镜照射在掩膜版上，透过掩膜版产生衍射光束，这些衍射光束携带了掩膜版上的图形信息，光束经过投影透镜聚焦到晶圆表面，在晶圆表面形成掩膜版图形的像。晶圆表面涂有光刻胶，掩膜版上的图形被投影到光刻胶上之后，会激发化学反应，从而将图形固定保存下来，经过烘烤和显影后会形成光刻胶图形。
[0003]随着2.5D和3D技术和系统集成封装技术的发展，需求封装的芯片的尺寸越来越大，光刻线路精度的要求越来越高。对于大尺寸芯片的曝光通常采用对准曝光模式。对于光刻线路精度要求高的大尺寸芯片，而对准曝光模式无法满足精度要求时，采用步进式曝光，多掩本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多掩膜版尺寸芯片曝光方法，其特征在于，包括以下步骤：将大尺寸芯片划分成多个芯片区块；以及制作所有所述芯片区块各层线路所对应的掩膜版，一个线路图形只分布在一个掩膜版里，并且一个掩膜版包括多个完整的线路图形。2.根据权利要求1所述的一种多掩膜版尺寸芯片曝光方法，其特征在于，还包括：将多个所述掩膜版按照芯片的尺寸拼接；将所述掩膜版和晶圆准确定位；对所有芯片区块的第一层线路进行曝光；以及对所述晶圆进行显影。3.根据权利要求1所述的一种多掩膜版尺寸芯片曝光方法，其特征在于，所述芯片区块的最大尺寸不超过最大掩膜版的尺寸。4.根据权利要求2所述的一种多掩膜版尺寸芯片曝光方法，其特征在于，对所有芯片区块的第一层线路进行曝光包括：对第一块芯片区块的第一层掩...

【专利技术属性】
技术研发人员：张春艳，孙鹏，
申请(专利权)人：上海先方半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：