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本发明涉及一种多掩膜版尺寸芯片曝光方法，包括以下步骤：将大尺寸芯片划分成多个芯片区块；以及制作所有所述芯片区块各层线路所对应的掩膜版，一个线路图形只分布在一个掩膜版里，并且一个掩膜版包括多个完整的线路图形。通过该方法可以实现大尺寸芯片的高精...
该专利属于上海先方半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先方半导体有限公司授权不得商用。

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