【技术实现步骤摘要】
近年来在超大规模半导体集成(ULSI)电路中使用的电 子器件的尺寸连续缩小已经导致增加后段制程(BEOL)金属化的电 阻，而没有相伴地减小互连电容。经常，互连甚至缩放到更高的纵横 比(高宽比典型地大于3:1)以緩和电阻增加，导致增加的电容。该 组合作用增加ULSI电子器件中的信号延迟。应当注意，在上述实施方案的任何一个中，可以在与形 成包含电介质的衬底时使用的相同或不同，优选地相同的反应器或工 具中执行处理步骤。处理后的表面层22通过使用等离子、光化辐射和电子束 辐射的至少一种接触先前沉积的电介质盖层20A的表面而形成。0068当在本专利技术中使用光化辐射时，优选地，但不一定总 是，在与沉积电介质盖层20A时使用的相同工具中执行光化处理。 光化辐射包括，但不局限于波长在大约10nm至大约1000nm范围内 的UV光，以及X射线辐射。下面的条件也可以用于本专利技术的该方面大约10秒至大约30分钟的辐射时间，室温至大约500°C的温 度，以及包括真空或者气体例如惰性气体、N2、 H2、 02、 NH3、碳氢 化合物、SiKU等的环境。当使用电子束处理时，典型地使用下面的条件大约0.1 至大约10,000 eV的电子束能量，大约10秒至大约30分钟的辐射时 间，以及室温至大约500°C的温度。该处理步骤可以在或可以不在与 形成电介质盖层20A时使用的相同工具中执行。使用He等离子处理SiCNH电介质盖层长达10秒钟。在 表面处理之后，多孑LSiCOH电介质(k大约为3.2)通过旋涂而涂覆 在表面处理后的盖层上。晶片在400°C下在1\2下UV硫化长达5分 ...
【技术保护点】
一种提高两个不同层之间粘附强度的方法，包括： 使用光化辐射、等离子和电子束辐射的至少一种来处理包含电介质的衬底的表面，以便在衬底中形成与所述衬底物理和化学上不同的处理后表面层； 在所述处理后表面层上形成介电常数小于４．０的低ｋ电介质层。
【技术特征摘要】
US 2007-1-24 11/626,5501.一种提高两个不同层之间粘附强度的方法，包括使用光化辐射、等离子和电子束辐射的至少一种来处理包含电介质的衬底的表面，以便在衬底中形成与所述衬底物理和化学上不同的处理后表面层；在所述处理后表面层上形成介电常数小于4.0的低k电介质层。2. 根据权利要求1的方法，其中所述处理包括光化辐射，所述 光化辐射包括波长在大约10至大约1000nm范围内的UV光，或X 射线辐射。3. 根据权利要求1的方法，其中所述处理包括等离子，所述等 离子包括选自由惰性气体、H2、 02、 NH3、 SiH4及它们的混合物构 成的组中的表面预处理气体。4. 根据权利要求1的方法，其中所述处理包括电子束辐射，所 述电子束辐射在大约0.1至大约IO，OOO eV的电子束能量，大约10秒 至大约30分钟的辐射时间以及室温至大约500°C的温度下执行。5. 根据权利要求1的方法，其中所述包含电介质的村底包括与 所述低k电介质具有不同组成的电介质盖层。6. 根据权利要求5的方法，其中所述电介质盖层选自由氧化 硅、氮化硅、氮氧化珪、SiC、 Si4NH3、 SiCH、掺杂碳的氧化物、掺 杂氮和氢的碳化硅SiC(N，H)及它们的多层构成的组中。7. 根据权利要求1的方法，其中所述低k电介质选自由倍半硅 氧烷，包含Si、 C、 O和H原子的掺杂C的氧化物(即有机硅)， 热固聚芳醚，SiC， SiCH， SiCN, SiCHN及它们的多层构成的组 中。8. 根据权利要求1的方法，其中所述衬底由PECVD或旋涂形成。9. 根据权利要求1的方法，其中所述形成低k电介质包括沉积 步骤，其后是可选的硫化步骤。10. —种形成互连结构的方法，包括提供具有嵌入于电介质材料中的至少一个导电特征的互连级；在所述互连级的顶面上形成电介质盖层；以及使用光化辐射、等离子和电子束辐射的至少一种来处理电介质盖 层，以便在电介质盖层中形成与所述电介质盖层物理和化学上不同的 处理后表面层。11. 根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：林庆煌，特里A斯普纳，达山D甘迪，克里斯蒂S蒂伯格，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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