鳍部形貌优化的鳍式晶体管及制作方法技术

本发明专利技术提供一种鳍部形貌优化的鳍式晶体管，鳍部包括位于衬底上的第一子鳍部和位于所述第一子鳍部上的第二子鳍部；氧化层，位于所述衬底上，且覆盖所述第一子鳍部和第二子鳍部的侧壁和顶面；其中：沿垂直于所述衬底表面的第一方向，所述第二子鳍部的剖面自上而下具有相连的顶圆弧段、位于所述顶圆弧段两侧的侧圆弧段和底圆弧段。通过氧化层和外延层的厚度控制第二交界宽度，而第一子鳍部宽度和第一交界宽度保持不变，实现提高器件饱和电流的同时，不造成漏电流的增大，从而有效提升器件性能I

【技术实现步骤摘要】
鳍部形貌优化的鳍式晶体管及制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种鳍部形貌优化的鳍式晶体管及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，传统的平面式的MOS晶体管对沟道电流的控制能力变弱，造成严重的漏电流。而鳍式场效应晶体管(Fin FET)是一种新兴的多栅器件，一般包括凸出于半导体衬底表面的鳍部，覆盖部分所述鳍部的顶部表面和侧壁表面的栅极结构，位于栅极结构一侧的鳍部内的源区和位于栅极结构另一侧的鳍部内的漏区。
[0003]鳍部宽度对器件性能有很大的影响，通过器件仿真可知，鳍部宽度的加大可以显著提高饱和电流；然而，鳍部变宽的同时也会使源/漏极的外延尺寸变大，导致漏电流增大，从而触发短沟道效应。
[0004]通过仿真的电流密度分布图和电流
‑
电压(Id/Vg)曲线可知，饱和电流大部分来自于鳍部的上半部分，漏电流则来自鳍部的下半部分。这样，如何通过鳍部形貌的优化来实现器件性能优化就显得格外重要。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于克服现有技术存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种鳍部形貌优化的鳍式晶体管，其特征在于，包括：衬底；鳍部，包括位于所述衬底上的第一子鳍部和位于所述第一子鳍部上的第二子鳍部；氧化层，位于所述衬底上，且覆盖所述第一子鳍部的侧壁和第二子鳍部的侧壁和顶面；其中：沿垂直于所述衬底表面的第一方向，所述第二子鳍部的剖面自上而下具有相连的顶圆弧段、位于所述顶圆弧段两侧的侧圆弧段和底圆弧段。2.如权利要求1所述的鳍部形貌优化的鳍式晶体管，其特征在于，所述顶圆弧段、所述侧圆弧段、所述底圆弧段自所述第二子鳍部向外凸出。3.如权利要求1所述的鳍部形貌优化的鳍式晶体管，其特征在于，沿垂直于所述第一方向的第二方向，所述第二子鳍部具有第二子鳍部宽度；沿所述第二子鳍部的延伸方向，所述第二子鳍部宽度逐渐减小。4.如权利要求3所述的鳍部形貌优化的鳍式晶体管，其特征在于，所述第一子鳍部具有第一子鳍部宽度；沿所述第二子鳍部的延伸方向，所述第一子鳍部宽度逐渐减小。5.如权利要求3所述的鳍部形貌优化的鳍式晶体管，其特征在于，所述第一子鳍部和所述第二子鳍部相交于第一交界面，所述第一交界面具有第一交界宽度；所述侧圆弧段和底圆弧段相交于第二交界面，所述第二交界面具有第二交界宽度；所述第二交界宽度大于所述第一交界宽度。6.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁宇，朱建军，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：