具有分段延伸区的晶体管制造技术

本发明专利技术涉及具有分段延伸区的晶体管，涉及场效应晶体管的结构以及形成场效应晶体管的结构的方法。在衬底的沟道区上方形成栅极结构。在与该栅极结构的第一侧壁相邻的该衬底中定位第一源极/漏极区，在与该栅极结构的第二侧壁相邻的该衬底中定位第二源极/漏极区，以及在该衬底中定位延伸区。该延伸区包括分别与该第一源极/漏极区叠置的第一及第二区段。该延伸区的该第一与第二区段沿该栅极结构的纵轴隔开。在该延伸区的该第一与第二区段之间沿该栅极结构的该纵轴定位该沟道区的部分。该栅极结构的该纵轴定位该沟道区的部分。该栅极结构的该纵轴定位该沟道区的部分。

【技术实现步骤摘要】
具有分段延伸区的晶体管


[0001]本专利技术涉及半导体装置制造及集成电路，尤其涉及场效应晶体管的结构以及形成场效应晶体管的结构的方法。

技术介绍

[0002]可使用互补金属氧化物半导体(complementary
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metal
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oxide
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semiconductor；CMOS)制程来建立p型与n型场效应晶体管的组合，将该p型与n型场效应晶体管用作装置，以构建例如逻辑单元(logic cell)。场效应晶体管通常包括源极、漏极、在该源极与漏极之间提供沟道区的本体、以及与该沟道区叠置的栅极电极。当向该栅极电极施加超过特征阈值电压的控制电压时，在该源极与漏极之间的该沟道区中发生载流子流(carrier flow)，从而产生装置输出电流。
[0003]随着装置尺寸增加，该装置处于“关”时的电容(也就是，Coff)增加，且该装置处于“开”时的电阻(也就是，Ron)减小，但Coff与Ron的乘积(也就是，品质因数)保持不变。提高品质因数的历史方法包括为获得较高载流子迁移率的应变工程、栅极氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管的结构，该结构包括：衬底，包括沟道区；栅极结构，位于该沟道区上方，该栅极结构具有纵轴、第一侧壁、以及与该第一侧壁相对的第二侧壁；第一源极/漏极区，位于与该栅极结构的该第一侧壁相邻的该衬底中；第二源极/漏极区，位于与该栅极结构的该第二侧壁相邻的该衬底中；以及第一延伸区，位于该衬底中，该第一延伸区包括分别与该第一源极/漏极区叠置的第一区段及第二区段，且该第一延伸区的该第一区段与该第二区段沿该栅极结构的该纵轴隔开，其中，该沟道区包括在该第一延伸区的该第一区段与该第二区段之间沿该栅极结构的该纵轴定位的部分。2.如权利要求1所述的结构，其中，该沟道区的该部分与该第一源极/漏极区共同延伸。3.如权利要求1所述的结构，其中，该沟道区的该部分将该第一延伸区的该第一区段与该第一延伸区的该第二区段完全隔开。4.如权利要求1所述的结构，其中，该第一延伸区具有第一导电类型，且该沟道区具有与该第一导电类型相反的第二导电类型。5.如权利要求1所述的结构，还包括：第二延伸区，位于该衬底中，该第二延伸区包括分别与该第二源极/漏极区叠置的第一区段及第二区段，该第二延伸区的该第一区段与该第二区段沿该栅极结构的该纵轴隔开。6.如权利要求5所述的结构，其中，该沟道区包括在该第二延伸区的该第一区段与该第二区段之间沿该栅极结构的该纵轴定位的第二部分。7.如权利要求5所述的结构，其中，该沟道区包括在该第一延伸区的该第一区段与该第二延伸区的该第一区段之间横切于该栅极结构的该纵轴定位的第二部分，且该沟道区包括在该第一延伸区的该第二区段与该第二延伸区的该第二区段之间横切于该栅极结构的该纵轴定位的第三部分。8.如权利要求1所述的结构，还包括：第一环状区，位于该衬底中，该第一环状区包括分别与该第一延伸区叠置的第一区段及第二区段，且该第一环状区的该第一区段与该第二区段沿该栅极结构的该纵轴隔开。9.如权利要求8所述的结构，其中，该沟道区包括在该第一环状区的该第一区段与该第二区段之间沿该栅极结构的该纵轴定位的第二部分。10.如权利要求8所述的结构，还包括：第二延伸区，位于该衬底中，该第二延伸区包括分别与该第二源极/漏极区叠置的第一区段及第二区段，且该第二延伸区的该第一区段与该第二区段沿该栅极结构的该纵轴隔开。11.如权利要求10所述的结构，还包括：第二环状区，位于该衬底中，该第二环状区包括分别与该第二延伸区叠置的第一区段及第二区段，且该第二环状区的该第一区段与该第二区段沿该栅极结构的该纵轴隔开。12.如权利要求11所述的结构，其中，该沟道区包括在该第二环状区的该...

【专利技术属性】
技术研发人员：亨利，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：