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本发明涉及具有分段延伸区的晶体管，涉及场效应晶体管的结构以及形成场效应晶体管的结构的方法。在衬底的沟道区上方形成栅极结构。在与该栅极结构的第一侧壁相邻的该衬底中定位第一源极/漏极区，在与该栅极结构的第二侧壁相邻的该衬底中定位第二源极/漏极区...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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