半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底包括无效区和有效区，无效区上具有第一鳍部结构，有效区上具有第二鳍部结构；在无效区上形成横跨第一鳍部结构的第一伪栅极结构，且第一伪栅极结构位于第一鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面；在基底上形成覆盖第一鳍部结构和第二鳍部结构表面的介质层，且介质层暴露出第一伪栅极结构顶部表面；去除第一伪栅极结构，在无效区上的介质层内形成第一开口，第一开口底部暴露出第一鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面；去除所述第一开口底部暴露出的第一鳍部结构，在所述第一鳍部结构内形成第二开口，且所述第二开口暴露出基底表面。所述方法形成的半导体结构的性能较好。所述方法形成的半导体结构的性能较好。所述方法形成的半导体结构的性能较好。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着信息技术的发展，存储信息量急剧增加。存储信息量的增加促进了存储器的飞速发展，同时也对存储器的稳定性提出了更高的要求。
[0003]基本的静态存储器(Static Random Access Memory，SRAM)依赖于六个晶体管，这六个晶体管构成两个交叉耦合的反相器。每个反相器包括：一个上拉晶体管、一个下拉晶体管和一个存取晶体管。
[0004]为了获得更强的抗干扰能力和更高的读取稳定性，用于形成存储器的晶体管可以为沟道栅极环绕(Gate-All-Around，简称GAA)结构晶体管。其中，对于给定的沟道长度以及栅氧厚度，GAA器件能表现出最佳的亚阈值特性以及对于短沟道效应的控制作用。另外，沟道栅极环绕结构晶体管用于作为沟道区的体积增加，可以进一步增大沟道栅极环绕结构晶体管的工作电流，使得沟道栅极环绕结构晶体管在存储器中的应用可以提高存储器的数据存储稳定性和集成度。
[0005]然而，现有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括无效区和有效区，所述无效区上具有第一鳍部结构，所述有效区上具有第二鳍部结构；位于所述基底上覆盖所述第一鳍部结构和第二鳍部结构的介质层，所述无效区上的介质层内具有第一开口，且所述第一开口暴露出所述第一鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面；位于所述第一鳍部结构内的第二开口，所述第二开口位于部分所述第一开口底部，且所述第二开口底部暴露出基底表面。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述有效区上介质层内的第三开口，且所述第三开口暴露出所述第二鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二鳍部结构包括沿基底表面法线方向排列的若干层沟道层，且第三开口暴露出的相邻沟道层之间具有第四开口。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于第一开口侧壁表面的第一侧墙，且所述介质层覆盖所述第一侧墙的侧壁表面。5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第三开口侧壁表面的第二侧墙，且所述介质层覆盖所述第二侧墙的侧壁表面。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于第一开口和第二开口内的第一栅极结构。7.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第三开口和第四开口内的第二栅极结构，且所述第二栅极结构环绕各沟道层。8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于第二栅极结构两侧的第二鳍部结构内的源漏掺杂层，所述源漏掺杂层位于介质层底部，且所述源漏掺杂层覆盖所述第二鳍部结构层侧壁表面。9.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于第二开口侧壁表面的第一隔离层，且所述第一隔离层的侧壁齐平于所述无效区上第一侧墙的侧壁。10.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第四开口侧壁表面的第二隔离层，且所述第二隔离层的侧壁齐平于所述有效区上第二侧墙的侧壁。11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于基底表面的隔离结构，所述介质层位于所述隔离结构表面，且所述隔离结构的顶部表面低于所述第一鳍部结构和第二鳍部结构的顶部表面。12.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括无效区和有效区，所述无效区上具有第一鳍部结构，所述有效区上具有第二鳍部结构；在所述无效区上形成横跨所述第一鳍部结构的第一伪栅极结构，且所述第一伪栅极结构位于所述第一鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面；在所述基底上形成覆盖所述第一鳍部结构和第二鳍部结构表面的介质层，且所述介质层暴露出所述第一伪栅极结构顶部表面；去除所述第一伪栅极结构，在所述无效区上的介质层内形成第一开口，所述第一开口底部暴露出所述第一鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面；
去除所述第一开口底部暴露出的第一鳍部结构，在所述第一鳍部结构内形成第二开口，且所述第二开口暴露出基底表面。13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部结构和第二鳍部结构的形成方法包括：在所述基底上形成初始鳍部结构，所述初始鳍部结构包括若干沿基底表面法线方向重叠的沟道层和位于沟道层表面的牺牲层；去除所述无效区上的沟道层，在无效区上相邻牺牲层之间、以及最底层的牺牲层和基底之间形成凹槽，位于所述有效区上的沟道层和牺牲层形成所述第二鳍部结构；在所述凹槽内形成填充层，位于无效区上的填充层和牺牲层形成所述第一鳍部结构。14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述无效区上的沟道层的方法包括：在所述初始鳍部结构上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出无效区上的初始鳍部结构表面；以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀无效区上的沟道层，在无效区上的相邻牺牲层之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：王楠，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：