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一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供基底,基底包括无效区和有效区,无效区上具有第一鳍部结构,有效区上具有第二鳍部结构;在无效区上形成横跨第一鳍部结构的第一伪栅极结构,且第一伪栅极结构位于第一鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面;在基底...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:提供基底,基底包括无效区和有效区,无效区上具有第一鳍部结构,有效区上具有第二鳍部结构;在无效区上形成横跨第一鳍部结构的第一伪栅极结构,且第一伪栅极结构位于第一鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面;在基底...