【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储元件以及具有该存储元件的半导体装置。技术背景近年来，具有集成在绝缘表面上的多个电路并具有各种功能的半导体装 置己被开发出来。此外，对于将设置在半导体装置上的天线所接收的电波转 换为电能且利用该电能进行数据收发的半导体装置的开发也正在进行。这种半导体装置被称为无线芯片(也称为ID标签、IC标签、IC芯片、RF (射频) 标签、无线标签、电子标签、或者RFID (射频识别))，并且已被引入一部 分市场。这些已被实用化的半导体装置中的多数包括使用如硅等半导体衬底的 电路(也称为IC (集成电路)芯片)和天线。并且，该IC芯片由存储电路(也 称为存储器)、控制电路等构成。特别地，通过设置能够存储许多数据的存 储电路，就可提供具有更高功能且高附加值的半导体装置。然而，虽然硅衬 底昂贵，但是这些半导体装置被要求以低成本来制造。这是因为像无线芯片 那样的小型半导体装置被期待着与一次性商品差不多的需要的缘故。因此， 近年来，将有机化合物用于控制电路和存储电路等的有机薄膜晶体管(以下， 也称为有机TFT)、有机存储器等已被积极地开发出来(例如，参照专利文 件...
【技术保护点】
一种存储装置，包括： 第一导电层； 第二导电层；以及 夹在所述第一导电层和所述第二导电层之间的存储层， 其中，所述存储层具有第一部分和第二部分，这些部分分别至少包含具有导电材料且被有机薄膜覆盖的纳米粒子， 并且，所述第一导电层通过所述第一部分电连接到所述第二导电层， 并且，所述第一部分接触于所述第一导电层以及所述第二导电层， 并且，所述第一部分的侧面被所述第二部分围绕。
【技术特征摘要】
JP 2007-2-2 2007-024862;JP 2007-2-2 2007-0248601.一种存储装置，包括第一导电层；第二导电层；以及夹在所述第一导电层和所述第二导电层之间的存储层，其中，所述存储层具有第一部分和第二部分，这些部分分别至少包含具有导电材料且被有机薄膜覆盖的纳米粒子，并且，所述第一导电层通过所述第一部分电连接到所述第二导电层，并且，所述第一部分接触于所述第一导电层以及所述第二导电层，并且，所述第一部分的侧面被所述第二部分围绕。2. 根据权利要求l所述的存储装置，其中所述纳米粒子的粒径为lnm以 上且200nm以下。3. 根据权利要求l所述的存储装置，其中所述有机薄膜具有表面活性剂 或与所述导电材料形成配位键的物质。4. 根据权利要求l所述的存储装置，其中所述有机薄膜具有表面活性 剂或与所述导电材料形成配位键的物质；以及还原剂、粘合剂或增塑剂。5. 根据权利要求l所述的存储装置，其中所述第一部分的形状为柱状或 锥状。6. 根据权利要求l所述的存储装置，其中所述第一部分接触于所述第二 部分。7. 根据权利要求l所述的存储装置，其中所述第一部分不接触于所述第 二部分。8. 根据权利要求l所述的存储装置，还包括层，其中该层夹在所述存储 层与所述第一导电层或所述第二导电层之间，并且所述层是绝缘层或半导体 层。9. 一种存储装置，包括第一导电层； 第二导电层；夹在所述第一导电层和所述第二导电层之间的存储层；以及晶体管，该晶体管电连接到具有所述第一导电层、所述第二导电层以及所述存储层的存储元件，其中，所述存储层具有第一部分和第二部分，这些部分分别至少包含具有导电材料且被有机薄膜覆盖的纳米粒子，并且，所述第一导电层通过所述第一部分电连接到所述第二导电层， 并且，所述第一部分接触于所述第一导电层以及所述第二导电层， 并且，所述第一部分的侧面被所述第二部分围绕。10. 根据权利要求9所述的存储装置，其中所述纳米粒子的粒径为lnm 以上且200nm以下。11. 根据权利要求9所述的存储装置，其中所述有机薄膜具有表面活性 剂或与所述导电材料形成配位键的物质。12. 根据权利要求9所述的存储装置，其中所述有机薄膜具有表面活 性剂或与所述导电材料形成配位键的物质；以及还原剂、粘合剂或增塑剂。13. 根据权利要求9所述的存储装置，其中所述第一部分的形状为柱状 或锥状。14. 根据权利要求9所述的存储装置，其中所述第一部分接触于所述第 二部分。15. 根据权利要求9所述的存储装置，其中所述第一部分不接触于所述 第二部分。16. 根据权利要求9所述的存储装置，还包括层，其中该层夹在...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉住健辅，针马典子，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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