本发明专利技术提供一种有源矩阵基板及显示装置，所述有源矩阵基板是连接了有源元件的漏极引出配线和保持电容上电极的有源矩阵基板，所述漏极引出配线具有２个以上的路径。本发明专利技术的有源矩阵基板不设置多个ＴＦＴ（薄膜晶体管）元件、ＭＩＭ（金属－绝缘层－金属）元件、ＭＯＳ晶体管元件、二极管、电阻器等有源元件，而可以防止漏极引出配线的断线，适用于大型液晶电视等具有大型的液晶显示画面的液晶显示装置。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示装置、EL (电致发光)显示装置等显示装置中所 使用的有源矩阵基板。更具体来说，涉及适用于大型液晶电视等具有大型 的液晶显示器画面的液晶显示装置中的有源矩阵基板。
技术介绍
有源矩阵基板被广泛用于液晶显示装置、EL (电致发光)显示装置等 有源矩阵驱动型显示装置中。在此种有源矩阵驱动型显示装置中，在各自 独立的象素电极上矩阵状地配置有源元件，以利用该有源元件选择驱动象 素电极的有源矩阵驱动方式来进行画面显示。作为选择驱动象素电极的有 源元件， 一般使用TFT (薄膜晶体管)元件、MIM (金属一绝缘层一金属) 元件、MOS晶体管元件、二极管、电阻器等，通过将施加在象素电极和 与之相面对的对置电极之间的电压用有源元件开关，而对两电极间的液晶 层、EL发光层或等离子体发光体等显示介质进行光学的变频，从而进行 画面显示。此种有源矩阵驱动方式可以实现高对比度的显示，已经在液晶 电视、个人电脑的终端显示装置等中被实用化。作为使用了此种有源矩阵驱动方式的以往的液晶显示装置的有源矩 阵基板，公布有将TFT元件的漏极借助漏极引出配线及接触孔与象素电极 连接的方案(例如参照特开平10—20298号公报。)。该以往的液晶显示装 置中，有源矩阵基板上的漏极引出配线仅被制成l条配线，当该l条配线 断线时，则该象素的显示无法正常地进行，产生被称作象素缺陷的点灯不 良，液晶显示装置的成品率降低。如果使用附图对其进行说明，则在如图 13 — 1所示的以往的液晶显示装置的有源矩阵基板中，如图13—2所示， 由于1条漏极引出配线2的断线22，从源极母线5经过漏极1及漏极引出 配线2而传向透过用象素电极的数据信号21就被阻碍。这样，就产生象 素缺陷，使液晶显示装置的显示质量降低，降低成品率。而且，作为漏极引出配线的断线的原因，可以举出配线图案的形成时的光刻胶的图案缺 陷、在利用溅射等将成为漏极引出配线的层成膜时的成膜缺陷等。针对于此，作为抑制象素缺陷的产生的技术，公开有在l个象素上设置了多个薄膜晶体管的液晶显示装置(例如参照特开平7—199221号公报、 特开2002 — 350901号公报。)。但是，在每个象素上设置了多个薄膜晶体 管的情况下，就会导致开口率的降低、制造成本的增加，在这一点上有改 善的余地。另外，公开有如下的液晶显示装置等(例如参照特开平2—135320号 公报、特开平8 — 328035号公报。)，g卩，在相邻的象素电极间设置连接线 (桥线)，在产生了象素缺陷的情况下，通过使用该连接线，将缺陷象素 的电极与相邻的正常象素的电极连接，就可以修复缺陷象素。但是，根据 该技术，由于连接线被跨越栅极配线而设置，因此由于耦合电容的增加而 使灰度特性变差等，在这一点上还有改善的余地。近年来，液晶电视等液晶显示器画面的大型化不断发展，象素数增加， 随之象素缺陷也有增加的倾向。另外，伴随着画面的大型化，由于象素的 尺寸也逐渐变大，因此在制造程序中发现亮点时，即使像以往那样，将亮 点修正为黑点，黑点也会与亮点一样，作为象素缺陷而容易被使用者识认。 所以，期望有通过有效地抑制象素缺陷的产生来提高显示质量、提高成品 率的新技术。
技术实现思路
本专利技术是鉴于所述问题而完成的，其目的在于，提供在抑制开口率的 降低及制造成本的上升的同时，防止了有源元件的漏极引出配线的断线的 有源矩阵基板及使用它的显示装置。本专利技术人等在对能够防止有源元件的漏极引出配线的断线的有源矩 阵基板进行了各种研究后发现，通过在漏极引出配线上设置2个以上的路 径，就不会导致开口率的降低及制造成本的上升，而可以充分地降低因漏 极引出配线的局部的断线导致有源元件和保持电容上电极被绝缘的可能 性，从而形成了本专利技术。艮P，本专利技术是将有源元件的漏极引出配线和保持电容上电极连接的有源矩阵基板，是所述漏极引出配线具有2个以上的路径的有源矩阵基板。 而且，本申请的说明书的「以上」、「以下」包括该数值。附图说明图l一l是表示本专利技术的有源矩阵基板的分支结构的一个例子的俯视 示意图。图l一2是表示图l一l的有源矩阵基板的漏极断线22的样子的俯视 示意图。图2是表示将图l一l的有源矩阵基板以线段A-A'切断后的截面的截 面示意图。图3是表示MVA方式的本专利技术的有源矩阵基板的分支结构的一个例 子的俯视示意图。图4是表示将图3的有源矩阵基板以线段B-B'切断后的截面的截面示意图。图5 — 1是表示本专利技术的有源矩阵基板的分支结构的一个例子的俯视 示意图。图5—2是表示图5 — 1的有源矩阵基板的漏极断线22的结果的俯视 示意图。图6—1是表示设置了 3个漏极1的本专利技术的有源矩阵基板的分支结 构的一个例子的俯视示意图。图6—2是表示图6—1的有源矩阵基板的漏极断线22的结果的俯视 示意图。图7—1是表示采用了伪TFT元件20的本专利技术的有源矩阵基板的分支 结构的一个例子的俯视示意图。图7 — 2是表示图7—1的有源矩阵基板的漏极断线22的结果的俯视 示意图。图8是表示在设于象素电极上的狭缝的下方配置了漏极引出配线2的 本专利技术的有源矩阵基板的分支结构的一个例子的俯视示意图。图9是表示在与设于滤色片基板的对置电极上的狭缝相面对的位置上 配置了漏极引出配线2的本专利技术的有源矩阵基板的分支结构的一个例子的俯视示意图。图10 (a) (f)是表示本专利技术的有源矩阵基板的分支结构的一个例 子的俯视示意图。图ll一l是表示本专利技术的象素分割结构的有源矩阵基板的分支结构的 一个例子的俯视示意图。图11一2 (a)是表示施加在亮的子象素上的信号波形的示意图，图 11一2 (b)是表示施加在暗的子象素上的信号波形的示意图，图11一2 (c) 是表示漏极/漏极连接后的双方的子象素上所施加的信号波形的示意图。而 且，图中的CSI、 CS2及CS: DC表示施加在亮的子象素、暗的子象素及 合成子象素上的Cs信号的波形，Drainl、 Drain2及Drain3表示施加在亮 的子象素、暗的子象素及合成象素上的漏极信号的波形，Gate表示栅极信 号的波形。图11 一3是表示漏极/漏极连接前及漏极/漏极连接后的各子象素的V 一T特性的图。图11一4 (a)是图ll一l的有源矩阵基板的通常的灰度影像图，图11 一4 (b)是将第2行第2列及第3行第2列的子象素漏极/漏极连接时的灰 度影像图。图12 — 1是表示本专利技术的象素分割结构的有源矩阵基板的分支结构的 一个例子的俯视示意图。图12—2 (a)是图12—1的有源矩阵基板的通常的灰度影像图，图 12—2 (b)是表示将第2列的子象素漏极/漏极连接时的灰度影像图。图13 — 1是表示构成以往的液晶显示装置的有源矩阵基板的漏极引出 配线2的结构的一个例子的俯视示意图。图13—2是表示图13_1的有源矩阵基板的漏极断线22的结果的俯 视示意图。图中1:漏极，2:漏极引出配线，3: TFT元件，4:栅极母线，5: 源极母线，6:保持电容上电极，7: CS母线，8:接触孔，9:黑矩阵(遮 光膜)，10:活性半导体层(i层)，11:非晶态硅层(n+层)，12:层间绝 缘膜，13:栅极绝缘膜，14:透过用象素电极，15:液晶层，16:玻璃基 板，17:色膜，18:对置电极，1本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有源矩阵基板，其包含有源元件、漏极引出配线、以及保持电容上电极，该有源矩阵基板的特征是，所述有源元件的漏极经由所述漏极引出配线与所述保持电容上电极连接，所述漏极引出配线与各个保持电容上电极具有２条以上的彼此独立连接的路径。
【技术特征摘要】
JP 2004-1-28 2004-020489;JP 2004-12-1 2004-3490311.一种有源矩阵基板，其包含有源元件、漏极引出配线、以及保持电容上电极，该有源矩阵基板...
【专利技术属性】
技术研发人员：栗原龙司，久田祐子，津幡俊英，武内正典，大坪友和，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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