用于制备钌络合物的方法技术

本发明专利技术公开了一种用于制备式(I)的络合物的方法：所述方法包括使式(II)的络合物或式RuX3·

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制备钌络合物的方法


[0001]本专利技术涉及制备包含含氮杂环二齿配位体的均配型钌络合物。

技术介绍

[0002]均配型Ru(bipy)3I2(bipy＝2,2
’‑
联吡啶)通过将RuCl3·
3H2O和25％过量的2,2
‑
联吡啶(即比率Ru:NN＝1:3.75)的95％EtOH溶液在回流下加热72小时，之后过滤、蒸发、在苯中萃取，并且从KI的水溶液中沉淀获得(Palmer等人，Inorg.Chem.,1966,5(5),864)。
[0003]Goss等人报道了通过首先在LiCl存在下，在DMF中在回流下，使RuCl3·
3H2O与phen
‑
二酮以Ru:NN＝1:2的比率反应来生成Ru(phen
‑
二酮)2Cl2，之后在回流下添加1.2当量的phen
‑
二酮在EtOH/H2O的50/50混合物中的溶液，以逐步程序合成均配型[Ru(phen
‑
二酮)3](PF6)2·
2H2O(phen
‑
二酮＝1,10
‑
菲咯啉
‑
5,6
‑
二酮)。用NH4PF6的饱和水溶液沉淀PF6络合物。(Inorg.Chem.,1985,24(25),4263)。
[0004]虽然Palmer等人和Goss等人描述的方法可用于制备克规模量的均配型Ru(bipy)3I2和[Ru(phen
‑
二酮)3](PF6)2·
2H2O，但这些方法不适用于大规模制造。这些方法使用RuCl3·
3H2O作为原料，其可用性取决于地理位置。此外，这些方法在回流下使用有机易燃溶剂，以及毒性溶剂如苯和DMF，所有这些在工业规模上均是不安全的。另外，这些方法表明，在钌上添加三种含氮杂环二齿配位体的容易性之间存在差异，因此需要多步合成程序。为了分离钌络合物，还需要各种处理步骤(例如，蒸发溶剂、重结晶、纯化)。需要找到一步方法，所述方法可实现具有三种含氮杂环二齿配位体的均配型钌络合物的合成，该方法适用于工业规模。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了用于制备具有含氮杂环二齿配位体的均配型钌络合物的改善的方法。该方法适用于大规模制造。在一些实施方案中，该方法获得高收率。在一些实施方案中，该方法获得包含少量杂质的产物，诸如[Ru(bpy)3]Cl2·
6H2O或[Ru(bpy)3][PF6]2。在一些实施方案中，获得纯的产物，如通过NMR和/或元素分析所分析的。
[0006]在一个方面，本专利技术提供了一种用于制备式(I)的络合物的方法：
[0007][0008]其中R1、R2、R3和R4独立地选自H、卤离子、未取代的支链或直链C1‑
20
‑
烷基、取代的支链或直链C1‑
20
‑
烷基、未取代的C3‑
20
‑
环烷基、取代的C3‑
20
‑
环烷基、未取代的C6‑
20
‑
芳基、取代的C6‑
20
‑
芳基、未取代的C1‑
20
‑
烷氧基、取代的C1‑
20
‑
烷氧基、未取代的C1‑
20
‑
二烷基氨基、取代的C1‑
20
‑
二烷基氨基、未取代的C1‑
20
‑
杂烷基、取代的C1‑
20
‑
杂烷基、未取代的C2‑
20
‑
杂环烷基、取代的C2‑
20
‑
杂环烷基、未取代的C4‑
20
‑
杂芳基和取代的C4‑
20
‑
杂芳基；
[0009]A选自：
‑
CR
a
R
b
‑
、
‑
NR
a
‑
、O、S、
‑
CR
a
＝CR
b
‑
、
‑
CR
a
＝N
‑
；
[0010]B选自：
‑
CR
c
R
d
‑
、
‑
NR
c
‑
、O、S、
‑
CR
c
＝CR
d
‑
、
‑
CR
c
＝N
‑
；
[0011]R
a
、R
b
、R
c
和R
d
独立地选自H、卤离子、未取代的支链或直链C1‑
20
‑
烷基、取代的支链或直链C1‑
20
‑
烷基、未取代的C3‑
20
‑
环烷基、取代的C3‑
20
‑
环烷基、未取代的C6‑
20
‑
芳基、取代的C6‑
20
‑
芳基、未取代的C1‑
20
‑
烷氧基、取代的C1‑
20
‑
烷氧基、未取代的C1‑
20
‑
二烷基氨基、取代的C1‑
20
‑
二烷基氨基、未取代的C1‑
20
‑
杂烷基、取代的C1‑
20
‑
杂烷基、未取代的C2‑
20
‑
杂环烷基、取代的C2‑
20
‑
杂环烷基、未取代的C4‑
20
‑
杂芳基和取代的C4‑
20
‑
杂芳基；
[0012]或者R
a
与R
c
和R
d
中的一者或者R
b
与R
c
和R
d
中的一者连同它们所键合到的原子一起形成环；并且
[0013]X为卤离子；
[0014]该方法包括使式(II)的络合物与式(III)的二齿配位体反应的步骤
[0015][0016]其中R5、R6、R7、R8、R9和R
10
独立地选自H、卤离子、未取代的支链或直链C1‑
20
‑
烷基、取
代的支链或直链C1‑
20
‑
烷基、未取代的C3‑
20
‑
环烷基、取代的C3‑
20
‑
环烷基、未取代的C6‑
20
‑
芳基、取代的C6‑
20
‑
芳基；X如上文所定义本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于制备式(I)的络合物的方法：其中R1、R2、R3和R4独立地选自H、卤离子、未取代的支链或直链C1‑
20
‑
烷基、取代的支链或直链C1‑
20
‑
烷基、未取代的C3‑
20
‑
环烷基、取代的C3‑
20
‑
环烷基、未取代的C6‑
20
‑
芳基、取代的C6‑
20
‑
芳基、未取代的C1‑
20
‑
烷氧基、取代的C1‑
20
‑
烷氧基、未取代的C1‑
20
‑
二烷基氨基、取代的C1‑
20
‑
二烷基氨基、未取代的C1‑
20
‑
杂烷基、取代的C1‑
20
‑
杂烷基、未取代的C2‑
20
‑
杂环烷基、取代的C2‑
20
‑
杂环烷基、未取代的C4‑
20
‑
杂芳基和取代的C4‑
20
‑
杂芳基；A选自：
‑
CR
a
R
b
‑
、
‑
NR
a
‑
、O、S、
‑
CR
a
＝CR
b
‑
、
‑
CR
a
＝N
‑
；B选自：
‑
CR
c
R
d
‑
、
‑
NR
c
‑
、O、S、
‑
CR
c
＝CR
d
‑
、
‑
CR
c
＝N
‑
；R
a
、R
b
、R
c
和R
d
独立地选自H、卤离子、未取代的支链或直链C1‑
20
‑
烷基、取代的支链或直链C1‑
20
‑
烷基、未取代的C3‑
20
‑
环烷基、取代的C3‑
20
‑
环烷基、未取代的C6‑
20
‑
芳基、取代的C6‑
20
‑
芳基、未取代的C1‑
20
‑
烷氧基、取代的C1‑
20
‑
烷氧基、未取代的C1‑
20
‑
二烷基氨基、取代的C1‑
20
‑
二烷基氨基、未取代的C1‑
20
‑
杂烷基、取代的C1‑
20
‑
杂烷基、未取代的C2‑
20
‑
杂环烷基、取代的C2‑
20
‑
杂环烷基、未取代的C4‑
20
‑
杂芳基和取代的C4‑
20
‑
杂芳基；或者R
a
与R
c
和R
d
中的一者或者R
b
与R
c
和R
d
中的一者连同它们所键合到的原子一起形成环；并且X为卤离子；所述方法包括使式(II)的络合物或式RuX3.H2O(IV)的络合物与式(III)的二齿配位体反应的步骤
其中R5、R6、R7、R8、R9和R
10
独立地选自H、卤离子、未取代的支链或直链C1‑
20
‑
烷基、取代的支链或直链C1‑
20
‑
烷基、未取代的C3‑
20
‑
环烷基、取代的C3‑
20
‑
环烷基、未取代的C6‑
20
‑
芳基、取代的C6‑
20
‑
芳基；X如上文所定义；其中R1、R2、R3和R4、A和B如上文所定义；其中所述式(II)的络合物:所述式(III)的二齿配位体的摩尔比为约1:6至约1:8或者所述式(IV)的络合物:所述式(III)的二齿配位体的摩尔比为约1:3至约1:4；其特征在于所述方法在...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：庄信万丰股份有限公司，
类型：发明
国别省市：