【技术实现步骤摘要】
一种晶圆级芯片封装结构及封装方法
[0001]本专利技术涉及芯片
,具体涉及一种晶圆级芯片封装结构及封装方法。
技术介绍
[0002]对表面需要形成有空腔结构的MEMS芯片、滤波器芯片等表面需要无接触封装芯片的封装工艺,现有技术较为具有代表性的有以下两种方式:
[0003]1.先分别制成包含MEMS芯片的底层部分和预留有空间的盖层部分,再将盖层部分通过键合的方式扣合至包含芯片的底层部分上,在芯片附近通过盖层预留的空间形成空腔。这种方法能上下两部分需共同设计,尺寸一致,且成本较高。
[0004]2.MEMS芯片贴在基板上,基板上开洞露出芯片正面,再将该贴装有芯片的基板贴装在另一预留有空槽的基板上。这种方式的封装尺寸较大,且需要制作两个基板,工艺较复杂。
[0005]两种方法共同的缺点在于,均需分别制作两部分再行组合,工艺较为复杂,封装尺寸较大,厚度也较高,且封装结构的气密性存在一定风险。
技术实现思路
[0006]因此,本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中表面需要形成有空腔 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆级芯片封装结构,其特征在于,包含:一基板;一芯片;所述芯片倒置贴装于所述基板表面,所述芯片的功能面与所述基板之间有一封闭的空腔。2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构,其特征在于,还包含第一金属柱,所述第一金属柱连接所述基板和所述芯片的功能面,封闭所述基板和所述芯片的功能面之间的空隙,形成所述空腔。3.根据权利要求1或2所述的晶圆级芯片封装结构,其特征在于,包含:一承载板,所述承载板的一面形成有隔离层;一第一导电层,形成于所述隔离层的表面;一第一绝缘层,形成于所述隔离层的表面并覆盖所述第一导电层,所述第一绝缘层表面具有开口,使所述第一导电层局部露出;所述承载板、所述第一导电层和所述第一绝缘层构成所述基板;所述第一金属柱设置于所述第一绝缘层表面,电性连接所述第一导电层;第二金属柱,设置于所述第一绝缘层表面靠近所述承载板边缘的位置,电性连接所述第一导电层;支撑块,设置于所述第一绝缘层表面,位于所述第二金属柱和所述第一金属柱之间;一第二绝缘层,所述第二绝缘层包覆所述芯片、所述第二金属柱、所述第一金属柱和所述支撑块,且所述芯片的背面和所述第二金属柱的顶面露出所述第二绝缘层;一第三绝缘层,形成于所述第二绝缘层表面,所述第三绝缘层在所述第二金属柱的顶面位置和所述芯片的背面的局部位置形成有开口;一第二导电层,形成于所述第三绝缘层表面,所述第二导电层在所述第三绝缘层表面的开口处与所述芯片的背面、所述第二金属柱的顶面电性接触;一第四绝缘层,所述第四绝缘层形成于所述第三绝缘层表面,包覆所述第二导电层,且所述第二导电层局部露出所述第四绝缘层表面;焊球下金属层,形成于露出所述第四绝缘层表面的第二导电层层上;焊球,形成于所述焊球下金属层表面。4.根据权利要求1-3中任一项所述的晶圆级芯片封装结构,其特征在于,所述第一绝缘层还具有使所述隔离层局部露出的开口;。5.根据权利要求4所述的晶圆级芯片封装结构,其特征在于,所述承载板对应所述芯片的正面的位置形成有开口或图形或孔洞,使所述芯片的局部向外暴露。6.一种晶圆级芯片封装方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一基板;在所述基板上倒置贴装一芯片,所述芯片的功能面与所述基板之间形成一封...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈峰,姚大平,
申请(专利权)人:江苏中科智芯集成科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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