电阻式随机存取存储器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。电阻式随机存取存储器包括堆叠结构以及位线结构。堆叠结构设置于衬底上。堆叠结构包括下部电极、上部电极以及可变电阻层。下部电极设置于衬底上。上部电极设置于下部电极上。可变电阻层设置于下部电极与上部电极之间。位线结构覆盖堆叠结构的顶面且覆盖至堆叠结构的侧壁的一部份。位线结构与堆叠结构电性连接。连接。连接。

【技术实现步骤摘要】
电阻式随机存取存储器及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种非易失性存储器及其制造方法，尤其涉及一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。

技术介绍

[0002]电阻式随机存取存储器(resistive random access memory,RRAM)具有结构简单、面积小、操作电压小、操作速度快、存储时间长、多状态存储、及耗功率低等优点，因此已逐渐成为一种趋势。
[0003]一般而言，在电阻式随机存取存储器内所存在的任何结构都会对其电阻值及电性效能造成影响。因此，如何设计出一种电阻式随机存取存储器，使其在操作时能获得较佳的电性效能将变成相当重要的一门课题。

技术实现思路

[0004]本专利技术是针对一种电阻式随机存取存储器及其制造方法，其可以在操作时获得较佳的电性效能且能符合微型化的趋势。
[0005]根据本专利技术的实施例，一种电阻式随机存取存储器，包括堆叠结构以及位线结构。堆叠结构设置于衬底上。堆叠结构包括下部电极、上部电极以及可变电阻层。下部电极设置于衬底上。上部电极设置于下部电极上。可变电阻层设置于下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电阻式随机存取存储器，其特征在于，包括：堆叠结构，设置于衬底上，其中所述堆叠结构包括：下部电极，设置于所述衬底上；上部电极，设置于所述下部电极上；以及可变电阻层，设置于所述下部电极与所述上部电极之间；以及位线结构，覆盖所述堆叠结构的顶面且覆盖至所述堆叠结构的侧壁的一部份，其中所述位线结构与所述堆叠结构电性连接。2.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述位线结构为覆盖至所述上部电极的侧壁的一部份，且所述位线结构与所述上部电极直接接触。3.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述位线结构与所述上部电极之间不具有通孔。4.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述位线结构的底面高于所述上部电极的底面。5.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，还包括包覆层，设置于所述堆叠结构的所述侧壁，其中所述包覆层夹于所述位线结构与所述衬底之间，且所述包覆层覆盖所述堆叠结构的所述侧壁的另一部份，且所述堆叠结构还包括氧交换层，设置于所述可变电阻层与所述上部电极之间。6.根据权利要求5所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述衬底包括第一区与位于所述第一区两侧的第二区，所述包覆层仅位于所述第一区上。7.一种电阻式随机存取存储器的制造方法，其特征在于，包括：形成堆叠结构于衬底上，其中所述堆叠结构包括依序形成的下部电极、可变电阻层与上部电极；形成绝缘层于所述衬底上，且所述绝缘层具有开口；形成介电材料于所述开口中；移除部分所述绝缘层与所述介电材料，以于所述堆叠结构上形成沟渠，其中所述沟渠暴露出所述堆叠结构的顶面与所述堆叠结构的侧壁的一部份；以及形成位线结构于所述沟渠内，其中所述位线结构与所述堆...

【专利技术属性】
技术研发人员：许博砚，蔡世宁，吴伯伦，郭泽绵，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：