本发明专利技术的实施例提供了一种防凝露控温方法、系统及电路控制板，涉及电子设备防护领域。在本发明专利技术中，首先，处理芯片通过获取硬盘的温度及硬盘的环境温度；处理芯片再根据硬盘的环境温度确定参考温度；最后，处理芯片根据硬盘的温度与参考温度的温度差值，调整半导体制冷片的工作功率。通过上述方法，可以使硬盘的温度处于预设范围，避免了硬盘运行过程中产生的热量没有被及时散失导致的温度升高，降低了控温过程中出现凝露的风险，提高了硬盘运行的可靠性。靠性。靠性。
【技术实现步骤摘要】
防凝露控温方法、系统及电路控制板
[0001]本专利技术涉及电子设备防护领域，具体而言，涉及一种防凝露控温方法、系统及电路控制板。
技术介绍
[0002]对于硬盘这种电子设备，温度的高低都直接影响它的运行速度和运行能力，温度越高运行速度越慢，在硬盘长时间工作时，如果不能很好的散热，就会导致硬盘因高温损坏。因此，为了硬盘的温度不会因运行过程中产生的热量而升高，就必须采取有效的方式对硬盘进行散热和控制温度。
[0003]目前，对硬盘进行散热及控温的方式主要有风冷、水冷和半导体制冷器件制冷等。风冷主要是通过导热介质吸收设备产生的热量，再由风扇对导热介质强制制冷，使热量散失在环境中，该散热方式效果一般，且散热过程中会产生较大的噪音，影响用户的使用体验。水冷的一种实现方式是水循环散热器，但对安装环境具有较高的要求，且存在漏水的风险。
[0004]采用半导体制冷器件制冷的方式对硬盘进行散热和控温，这种方式虽然具有散热效果好且不会产生噪声和震动等优点，但是其强制冷效果使得硬盘表面易发生凝露现象，凝露产生的水珠会使组成硬盘的元器件的引脚间发生短路，酿成事故。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于提供了一种防凝露控温方法、系统及电路控制板，以克服现有技术的不足。
[0006]本专利技术实施例采用的技术方案如下：
[0007]第一方面，本专利技术实施例提供的一种防凝露控温方法，应用于一种防凝露控温系统，所述防凝露控温系统包括硬盘、电路控制板、半导体制冷片、导热金属板和热敏电阻，所述半导体制冷片包括冷面和热面，所述导热金属板通过导热介质分别与所述半导体制冷片的冷面和所述硬盘的外表面接触，所述热敏电阻固定在所述导热金属板上，所述电路控制板包括处理芯片和温湿度传感器，所述处理芯片分别与所述温湿度传感器、所述热敏电阻和所述半导体制冷片电连接，所述方法包括：
[0008]所述处理芯片获取所述硬盘的温度及所述硬盘的环境温度；
[0009]所述处理芯片根据所述硬盘的环境温度，确定参考温度，其中，所述参考温度是用于表征所述硬盘出现凝露的临界温度；
[0010]所述处理芯片根据所述硬盘的温度与所述参考温度的温度差值，调整所述半导体制冷片的工作功率，以使所述硬盘的温度处于预设范围、且所述硬盘不出现凝露。
[0011]在一种可能的实现方式中，所述处理芯片根据所述硬盘的环境温度，确定参考温度的步骤：
[0012]所述温湿度传感器采集所述硬盘的环境温度；
[0013]所述处理芯片从所述温湿度传感器获取所述硬盘的环境温度；
[0014]所述处理芯片将所述环境温度作为所述参考温度。
[0015]在一种可能的实现方式中，所述处理芯片根据所述硬盘的环境温度，确定参考温度的步骤还包括：
[0016]所述温湿度传感器采集所述硬盘的环境湿度；
[0017]所述处理芯片从所述温湿度传感器获取所述硬盘的环境湿度；
[0018]所述处理芯片根据所述硬盘的环境温度和环境湿度，确定露点温度；
[0019]所述处理芯片将所述露点温度作为所述参考温度。
[0020]在一种可能的实现方式中，所述处理芯片根据所述硬盘的温度与所述参考温度的温度差值，调整所述半导体制冷片的工作功率的步骤包括：
[0021]所述处理芯片判断所述硬盘的温度是否大于所述参考温度；
[0022]若所述硬盘的温度大于所述参考温度，所述处理芯片根据所述温度差值调整所述半导体制冷片的工作功率；
[0023]若所述硬盘的温度不大于所述参考温度，所述处理芯片关闭所述半导体制冷片。
[0024]在一种可能的实现方式中，所述处理芯片根据所述温度差值调整所述半导体制冷片的工作功率的步骤包括：
[0025]若所述温度差值大于预设值，所述处理芯片将所述半导体制冷片的工作功率调整为预设的第一功率。
[0026]在一种可能的实现方式中，所述处理芯片根据所述温度差值调整所述半导体制冷片的工作功率的步骤还包括：
[0027]若所述温度差值不大于所述预设值，所述处理芯片则根据预设函数计算所述温度差值对应的第二功率，所述预设函数是根据所述硬盘的测试温度和所述半导体制冷片的测试功率之间的关系拟合而成；
[0028]所述处理芯片将所述半导体制冷片的工作功率调整为所述第二功率。
[0029]在一种可能的实现方式中，所述预设函数为分段函数。
[0030]在所述处理芯片根据所述硬盘的温度与所述参考温度的温度差值，调整所述半导体制冷片的工作功率的步骤之后，所述方法还包括：
[0031]所述处理芯片获取每一预设周期的所述硬盘的温度及所述硬盘的环境温度，并根据每一所述预设周期的所述硬盘的环境温度，确定每一所述预设周期的参考温度；
[0032]所述处理芯片根据每一所述预设周期的所述硬盘的温度与所述参考温度的温度差值，调整每一所述预设周期内所述半导体制冷片的工作功率。
[0033]第二方面，本专利技术实施例提供一种电路控制板，应用于防凝露控温系统，所述防凝露控温系统还包括硬盘、半导体制冷片、导热金属板和热敏电阻，所述半导体制冷片包括冷面和热面，所述导热金属板通过导热介质分别与所述半导体制冷片的冷面和所述硬盘的外表面接触，所述热敏电阻固定在所述导热金属板上，所述电路控制板包括处理芯片和温湿度传感器，所述处理芯片分别与所述温湿度传感器、所述热敏电阻和所述半导体制冷片电连接；
[0034]所述处理芯片，用于获取所述硬盘的温度及所述硬盘的环境温度；
[0035]所述处理芯片，还用于根据所述硬盘的环境温度，确定参考温度，其中，所述参考
温度是用于表征所述硬盘出现凝露的临界温度；
[0036]所述处理芯片，还用于根据所述硬盘的温度与所述参考温度的温度差值，调整所述半导体制冷片的工作功率，以使所述硬盘的温度处于预设范围、且所述硬盘不出现凝露。
[0037]第三方面，本专利技术实施例提供一种防凝露控温系统，所述防凝露控温系统包括硬盘、电路控制板、半导体制冷片、导热金属板和热敏电阻，所述半导体制冷片包括冷面和热面，所述导热金属板通过导热介质分别与所述半导体制冷片的冷面和所述硬盘的外表面接触，所述热敏电阻固定在所述导热金属板上，所述电路控制板包括处理芯片和温湿度传感器，所述处理芯片分别与所述温湿度传感器、所述热敏电阻和所述半导体制冷片电连接；
[0038]所述处理芯片，用于获取所述硬盘的温度及所述硬盘的环境温度；
[0039]所述处理芯片，还用于根据所述硬盘的环境温度，确定参考温度，其中，所述参考温度是用于表征所述硬盘出现凝露的临界温度；
[0040]所述处理芯片，还用于根据所述硬盘的温度与所述参考温度的温度差值，调整所述半导体制冷片的工作功率，以使所述硬盘的温度处于预设范围、且所述硬盘不出现凝露。
[0041]相对现有技术，本专利技术实施例提供的一种防凝露控温方法、系统及电路控制板，所述方法包括：首先，处理芯片获取硬本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种防凝露控温方法，其特征在于，应用于一种防凝露控温系统，所述防凝露控温系统包括硬盘、电路控制板、半导体制冷片、导热金属板和热敏电阻，所述半导体制冷片包括冷面和热面，所述导热金属板通过导热介质分别与所述半导体制冷片的冷面和所述硬盘的外表面接触，所述热敏电阻固定在所述导热金属板上，所述电路控制板包括处理芯片和温湿度传感器，所述处理芯片分别与所述温湿度传感器、所述热敏电阻和所述半导体制冷片电连接，所述方法包括：所述处理芯片获取所述硬盘的温度及所述硬盘的环境温度；所述处理芯片根据所述硬盘的环境温度，确定参考温度，其中，所述参考温度是用于表征所述硬盘出现凝露的临界温度；所述处理芯片根据所述硬盘的温度与所述参考温度的温度差值，调整所述半导体制冷片的工作功率，以使所述硬盘的温度处于预设范围、且所述硬盘不出现凝露。2.根据权利要求1所述的防凝露控温方法，其特征在于，所述处理芯片根据所述硬盘的环境温度，确定参考温度的步骤，包括：所述温湿度传感器采集所述硬盘的环境温度；所述处理芯片从所述温湿度传感器获取所述硬盘的环境温度；所述处理芯片将所述环境温度作为所述参考温度。3.根据权利要求1所述的防凝露控温方法，其特征在于，所述处理芯片根据所述硬盘的环境温度，确定参考温度的步骤，还包括：所述温湿度传感器采集所述硬盘的环境湿度；所述处理芯片从所述温湿度传感器获取所述硬盘的环境湿度；所述处理芯片根据所述硬盘的环境温度和环境湿度，确定露点温度；所述处理芯片将所述露点温度作为所述参考温度。4.根据权利要求1所述的防凝露控温方法，其特征在于，所述处理芯片根据所述硬盘的温度与所述参考温度的温度差值，调整所述半导体制冷片的工作功率的步骤，包括：所述处理芯片判断所述硬盘的温度是否大于所述参考温度；若所述硬盘的温度大于所述参考温度，所述处理芯片根据所述温度差值调整所述半导体制冷片的工作功率；若所述硬盘的温度不大于所述参考温度，所述处理芯片关闭所述半导体制冷片。5.根据权利要求4所述的防凝露控温方法，其特征在于，所述处理芯片根据所述温度差值调整所述半导体制冷片的工作功率的步骤，包括：若所述温度差值大于预设值，所述处理芯片将所述半导体制冷片的工作功率调整为预设的第一功率。6.根据权利要求5所述的防凝露控温方法，其特征在于，所述处理芯片根据所述温度差值调整所述半导体制冷片的工作功率的步骤还包括：若所述温度差值不大于所述预设值，所述处理芯片根据预设函数计算所述温度差值对应的第二功率，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑奇，叶裕明，李运彬，俞富成，
申请(专利权)人：重庆紫光华山智安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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