T处理剂、金属树脂复合体及制备方法、壳体和电子设备技术

本申请提供了一种T处理剂，包括耦合剂和弱酸，所述耦合剂和所述弱酸的质量比为(3

【技术实现步骤摘要】
T处理剂、金属树脂复合体及制备方法、壳体和电子设备


[0001]本申请属于电子产品
，具体涉及T处理剂、金属树脂复合体及制备方法、壳体和电子设备。

技术介绍

[0002]随着电子设备的不断发展，消费者对电子设备的性能和外观的要求也越来越高。金属外壳以其优异的性能和多样化的外现受到消费者的青睐。为了防止金属外壳屏蔽天线信号，需要在金属外壳上设置天线槽并在其中填充树脂等绝缘材料，目前金属外壳与树脂之间的结合性能还有待提高。

技术实现思路

[0003]鉴于此，本申请提供了一种T处理剂、金属树脂复合体及制备方法、壳体和电子设备，用以提升金属与树脂之间的结合性能。
[0004]第一方面，本申请提供了一种T处理剂，包括耦合剂和弱酸，所述耦合剂和所述弱酸的质量比为(3
‑
19)：1，所述耦合剂包括含氮化合物、氨基磺酸、醋酸钠、分散剂、金属表面活化剂和聚乙二醇，所述含氮化合物为胺类和氨类中的至少一种，所述耦合剂中所述含氮化合物的质量含量为45％
‑
70％。
[0005]第二方面，本申请提供了一种金属树脂复合体的制备方法，包括：
[0006]将预处理后的金属基材置于T处理剂中浸泡，所述T处理剂包括耦合剂和弱酸，所述耦合剂和所述弱酸的质量比为(3
‑
19)：1，所述耦合剂包括含氮化合物、氨基磺酸、醋酸钠、分散剂、金属表面活化剂和聚乙二醇，所述含氮化合物为胺类和氨类中的至少一种，所述耦合剂中所述含氮化合物的质量含量为45％
‑/>70％；
[0007]经所述浸泡后，将所述金属基材进行水洗、烘干，得到金属基片；
[0008]将所述金属基片置于模具中，在所述金属基片的表面成型树脂层，得到金属树脂复合体。
[0009]第三方面，本申请提供了一种金属树脂复合体，通过第二方面所述的制备方法制得，所述金属树脂复合体包括所述金属基片和所述树脂层，所述金属基片的表面具有孔洞，部分所述树脂层设置在所述孔洞中。
[0010]第四方面，本申请提供了一种壳体，包括第三方面所述的金属树脂复合体。
[0011]第五方面，本申请提供了一种电子设备，包括第四方面所述的壳体以及显示装置，所述壳体与所述显示装置相连。
[0012]本申请提供了一种T处理剂，其能够用于金属树脂复合体的制备中，其中弱酸能够对金属表面进行刻蚀产生孔洞，有利于树脂与金属之间的物理嵌合作用，同时耦合剂中的含氮化合物能够附着在金属表面，耦合剂中的其他成分能够促进含氮化合物的附着，提高孔洞孔径的均一性，含氮化合物与树脂之间反应，促进树脂与金属之间的连接，提升金属与树脂之间结合的紧密性以及可靠性；本申请提供的金属树脂复合体具有优异的气密性以及
防水性能，并且在不同环境、长时间使用后仍然可以保持优异的防水性能，同时该金属树脂复合体的制备方法简单，易于操作，适用于工业化生产；具有该金属树脂复合体的壳体以及电子设备具有高的气密性和防水性能，提高产品竞争力，更能够满足用户使用需求。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本申请实施方式中的技术方案，下面将对本申请实施方式中所需要使用的附图进行说明。
[0014]图1为本申请一实施方式提供的金属树脂复合体的制备方法流程图。
[0015]图2为本申请一实施方式提供的金属基片的结构示意图。
[0016]图3为本申请另一实施方式提供的金属树脂复合体的制备方法流程图。
[0017]图4为本申请一实施方式提供的金属树脂复合体的截面示意图。
[0018]图5为图4中虚线区域的放大图。
[0019]图6为本申请一实施方式提供的电子设备的结构示意图。
[0020]图7为本申请一实施方式提供的电子设备的结构组成示意图。
[0021]图8为本申请实施例3中T处理剂处理后的铝合金片的表面电镜图，其中图8中(a)的标尺为1μm，图8中(b)的标尺为500nm。
[0022]图9为本申请对比例3中T处理剂处理后的铝合金片的表面电镜图，其中图9中(a)的标尺为1μm，图9中(b)的标尺为500nm。
[0023]图10为实施例1
‑
3和对比例1
‑
3得到的金属树脂复合体的一种结构示意图，其中，图10中(a)为金属树脂复合体的俯视图，图10中(b)为金属树脂复合体的截面图。
[0024]图11为铝合金片和PBT片分离时的两种状态，其中，图11中(a)为第一种状态，图11中(b)为第二种状态。
[0025]图12为实施例3和对比例3得到的金属树脂复合体的另一种结构示意图，其中，图12中(a)为金属树脂复合体的俯视图，图12中(b)为金属树脂复合体的截面图。
[0026]图13实施例3和对比例3得到的金属树脂复合体的气密性检测结果图。
具体实施方式
[0027]以下是本申请的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。
[0028]下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
[0029]本申请提供了一种T处理剂，包括耦合剂和弱酸，耦合剂和弱酸的质量比为(3
‑
19)：1，耦合剂包括含氮化合物、氨基磺酸、醋酸钠、分散剂、金属表面活化剂和聚乙二醇，含氮化合物为胺类和氨类中的至少一种，耦合剂中含氮化合物的质量含量为45％
‑
70％。
[0030]相关技术中，常常通过纳米注塑技术(NMT)将树脂注射至金属表面，以使树脂与金属结合，获得金属树脂件。本申请专利技术人研究发现，通过NMT获得的金属树脂件中金属表面孔洞均一性不佳，使得金属树脂件的结合紧密性欠佳，金属和树脂之间会有未结合的部位，从而降低了金属树脂件的气密性，将金属树脂件应用至电子器件中时，会降低电子器件的防水性能，同时在经过高温高湿处理后金属树脂件结合的防水性能大幅度降低，可靠性低，产品良率低。因此，本申请提供了上述的T处理剂，利用该T处理剂预先处理金属表面，在金属表面上形成孔洞，同时T处理剂中的含氮化合物会保留在孔洞中，使得金属表面的孔洞的均一性提高，随后含氮化合物会与树脂发生胺和酯放热反应，产生化学链结合同时延缓了树脂的固化，促进树脂尽可能完全填充孔洞，使得金属与树脂之间发生物理铆接，提高了结合强度以及结合的紧密性，并且提高了结合的可靠性，能够在不同环境中长时间使用后保持优异的结合性能。进一步的，本申请提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种T处理剂，其特征在于，包括耦合剂和弱酸，所述耦合剂和所述弱酸的质量比为(3
‑
19)：1，所述耦合剂包括含氮化合物、氨基磺酸、醋酸钠、分散剂、金属表面活化剂和聚乙二醇，所述含氮化合物为胺类和氨类中的至少一种，所述耦合剂中所述含氮化合物的质量含量为45％
‑
70％。2.如权利要求1所述的T处理剂，其特征在于，所述耦合剂中包括2500g/L
‑
3500g/L氨基磺酸、650g/L
‑
750g/L醋酸钠、20g/L
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30g/L分散剂、8g/L
‑
12g/L金属表面活化剂、0.2ml/L
‑
0.5ml/L聚乙二醇。3.如权利要求1所述的T处理剂，其特征在于，所述含氮化合物包括甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、乙二胺、二乙胺、乙醇胺、苯胺、脂氨酸和肼中的至少一种。4.如权利要求1所述的T处理剂，其特征在于，所述弱酸包括磷酸和草酸，所述磷酸和所述草酸的质量比为(1.5
‑
6)：1。5.一种金属树脂复合体的制备方法，其特征在于，包括：将预处理后的金属基材置于T处理剂中浸泡，所述T处理剂包括耦合剂和弱酸，所述耦合剂和所述弱酸的质量比为(3
‑
19)：1，所述耦合剂包括含氮化合物、氨基磺酸、醋酸钠、分散剂、金属表面活化剂和聚乙二醇，所述含氮化合物为胺类和氨类中的至少一种，所述耦合剂中所述含氮化合物的质量含量为45％
‑
70％；经所述浸泡后，将所述金属基材进行水洗、烘干，得到金属基片；将所述金属基片置于模具中，在所述金属基片的表面成型树脂层，得到金属树脂复合体。6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述将预处理后的金属基材置于T处理剂中浸泡，包括：将所述预处理后的所述金属基材依次置于含所述T处理剂的多个处理槽中浸泡，多个所述处理槽中的所述T处理剂中所述耦合剂和所述弱酸的质量比...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵久亮，
申请(专利权)人：OPPO广东移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：