一种双氧化组分铝蚀刻液、其制备方法与应用技术

本发明专利技术提供一种双氧化组分铝蚀刻液、其制备方法与应用。该双氧化组分铝蚀刻液包括第一氧化组分和第二氧化组分，其中，第一氧化组分和第二氧化组分质量比为1～2:3～5；第一氧化组分各组分及各组分含量为硝酸10～30wt％、醋酸盐缓冲溶液10～20wt％以及去离子水；第二氧化组分各组分以及各组分含量为双氧水10～30wt％、醋酸盐缓冲溶液10～20wt％、磷酸20～50wt％、阳离子表面活性剂10～20wt％以及去离子水。本申请提供的一种双氧化组分铝蚀刻液，能够快速蚀刻铝基金属，蚀刻速率约为并且添加的醋酸盐缓冲溶液能够控制蚀刻角度，蚀刻角度可控制在20～50

【技术实现步骤摘要】
一种双氧化组分铝蚀刻液、其制备方法与应用


[0001]本申请涉及一种双氧化组分铝蚀刻液，特别涉及一种双氧化组分铝蚀刻液、以及制备方法与其在铝基半导体装置中的应用。

技术介绍

[0002]铝金属因为具有低电阻、易于沉积及蚀刻的优点，成为半导体制成中最主要的导线材料，而且铝的导电性仅次于银和铜，居于第三位，可用于制造各种导线。
[0003]铝蚀刻液为无色透明液体，略带有酸性气味，现有技术中主要由磷酸和硝酸组成的水溶液作为铝蚀刻液，制备方法是将磷酸和硝酸按照一定比例搅拌均匀后蚀刻半导体基板、玻璃基板的表面形成配线、电极等。但是该方法制得的蚀刻液在蚀刻铝金属时蚀刻速度慢、往往还难以控制蚀刻角度和蚀刻量，影响产品的良率和蚀刻速率。
[0004]因此，如何提供一种刻速度快、控制蚀刻角度和蚀刻量制得较高性能的铝基半导体装置是一个亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种双氧化组分铝蚀刻液、其制备方法与应用，以克服现有技术中蚀刻液在蚀刻铝金属时蚀刻速度慢、往往还难以控制蚀刻角度和蚀刻量，影响产品的良率和蚀刻速率的不足。
[0006]为实现前述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案包括：
[0007]所述一种双氧化组分铝蚀刻液，包括第一氧化组分和第二氧化组分，其中，第一氧化组分和第二氧化组分质量比为1～2:3～5；
[0008]第一氧化组分各组分及各组分含量为硝酸10～30wt％、醋酸盐缓冲溶液10～20wt％以及去离子水；
[0009]第二氧化组分各组分以及各组分含量为双氧水10～30wt％、醋酸盐缓冲溶液10～20wt％、磷酸20～50wt％、阳离子表面活性剂10～20wt％以及去离子水。
[0010]可选地，所述第一氧化组分和第二氧化组分质量比为1:3。
[0011]可选地，所述第一氧化组分和第二氧化组分质量比为1:4。
[0012]可选地，所述第一氧化组分和第二氧化组分质量比为1:5。
[0013]可选地，所述第一氧化组分和第二氧化组分质量比为2:3。
[0014]可选地，所述第一氧化组分和第二氧化组分质量比为1:2。
[0015]可选地，所述第一氧化组分和第二氧化组分质量比为2:5。
[0016]可选地，所述硝酸的质量分数上限选自15wt％、20wt％、25wt％、30wt％；所述硝酸的质量分数下限选自10wt％、15wt％、20wt％、25wt％。
[0017]可选地，所述第一氧化组分中醋酸盐缓冲溶液的质量分数上限选自12wt％、14wt％、16wt％、18wt％、20wt％；所述第一氧化组分中醋酸盐缓冲溶液的质量分数下限选自10wt％、12wt％、14wt％、16wt％、18wt％。
[0018]可选地，所述双氧水的质量分数上限选自12wt％、15wt％、20wt％、22wt％、25wt％、28wt％、30wt％；所述双氧水的质量分数下限选自10wt％、12wt％、15wt％、20wt％、22wt％、25wt％、28wt％。
[0019]可选地，所述第二氧化组分中醋酸盐缓冲溶液的质量分数上限选自11wt％、12wt％、13wt％、14wt％、15wt％、16wt％、17wt％、18wt％、19wt％、20wt％；所述第二氧化组分中醋酸盐缓冲溶液的质量分数下限选自10wt％、11wt％、12wt％、13wt％、14wt％、15wt％、16wt％、17wt％、18wt％、19wt％。
[0020]可选地，所述磷酸的质量分数上限选自20wt％、25wt％、30wt％、35wt％、40wt％、45wt％、50wt％。
[0021]可选地，所述阳离子表面活性剂的质量分数上限选自11wt％、12wt％、13wt％、14wt％、15wt％、16wt％、17wt％、18wt％、19wt％、20wt％；所述阳离子表面活性剂的质量分数下限选自10wt％、11wt％、12wt％、13wt％、14wt％、15wt％、16wt％、17wt％、18wt％、19wt％。
[0022]可选地，所述硝酸纯度为95％～99％。
[0023]可选地，所述硝酸纯度为96％。
[0024]可选地，所述硝酸纯度为97％。
[0025]可选地，所述硝酸纯度为98％。
[0026]可选地，所述醋酸盐缓冲溶液的pH为3.0～4.0。
[0027]可选地，所述醋酸盐缓冲溶液的pH上限选自3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6、3.7、3.8、3.9、4.0；所述醋酸盐缓冲溶液的pH下限选自3.0、3.1、3.2、3.3、3.4、3.5、3.6、3.7、3.8、3.9。
[0028]可选地，所述醋酸盐缓冲溶液配置方法为将醋酸铵溶于去离子水中，之后加入盐酸溶液，之后用氨水调节pH，制得。
[0029]可选地，所述氨水的浓度为0.1～1.0mol/L。
[0030]可选地，所述氨水的浓度上限选自0.2mol/L、0.3mol/L、0.4mol/L、0.5mol/L、0.6mol/L、0.7mol/L、0.8mol/L、0.9mol/L、1.0mol/L；所述氨水的浓度下限选自0.1mol/L、0.2mol/L、0.3mol/L、0.4mol/L、0.5mol/L、0.6mol/L、0.7mol/L、0.8mol/L、0.9mol/L。
[0031]可选地，所述双氧水的质量分数为5wt％～20wt％。
[0032]可选地，所述双氧水的质量分数为10wt％。
[0033]可选地，所述双氧水的质量分数为15wt％。
[0034]可选地，所述磷酸的质量分数为95％～98％。
[0035]可选地，所述磷酸的质量分数为96％。
[0036]可选地，所述磷酸的质量分数为97％。
[0037]可选地，所述阳离子表面活性剂选自伯胺盐表面活性剂、仲胺盐和叔胺盐表面活性剂中的至少一种。
[0038]所述一种双氧化组分铝蚀刻液的制备方法，包括以下步骤：
[0039](1)第一氧化组分：将硝酸滴加到去离子水中之后溶于醋酸盐缓冲溶液，并在室温下搅拌至混合均匀制得第一氧化组分；
[0040](2)第二氧化组分：将双氧水溶于去离子水，之后在搅拌条件下加入磷酸，搅拌1～
3h后，再滴加阳离子表面活性剂，最后滴加醋酸盐缓冲溶液并在20～30℃条件下搅拌3～5h，制得所述第二氧化组分；
[0041](3)将第一氧化组分按照一定比例与第二氧化组分混合，制得所述一种双氧化组分铝蚀刻液。
[0042]所述一种双氧化组分铝蚀刻液于铝基装置中的应用。
[0043]所述一种双氧化组分铝蚀刻液于铝基半导体原件中的应用。
[0044]与现有技术相比，本专利技术的优点包括：本申请提供的一种双氧化组分铝蚀刻液，能够快速蚀刻铝基金属，蚀刻速率约为并且添加的醋酸盐缓冲溶液能够控制蚀刻角度，蚀刻角度可控制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双氧化组分铝蚀刻液，其特征在于，包括第一氧化组分和第二氧化组分，其中，第一氧化组分和第二氧化组分质量比为1～2:3～5；第一氧化组分各组分及各组分含量为硝酸10～30wt％、醋酸盐缓冲溶液10～20wt％以及去离子水；第二氧化组分各组分以及各组分含量为双氧水10～30wt％、醋酸盐缓冲溶液10～20wt％、磷酸20～50wt％、阳离子表面活性剂10～20wt％以及去离子水。2.根据权利要求1所述的一种双氧化组分铝蚀刻液，其特征在于，所述硝酸纯度为95％～99％。3.根据权利要求1所述的一种双氧化组分铝蚀刻液，其特征在于，所述醋酸盐缓冲溶液的pH为3.0～4.0；优选地，所述醋酸盐缓冲溶液配置方法为将醋酸铵溶于去离子水中，之后加入盐酸溶液，之后用氨水调节pH，制得；优选地，所述氨水的浓度为0.1～1.0mol/L。4.根据权利要求1所述的一种双氧化组分铝蚀刻液，其特征在于，所述双氧水的质量分数为5wt％～20wt％；优选地，所述磷酸的质量分数为95％～98％。5.根据权利要求1所述的一种双氧化组分铝蚀刻液，其特征在于，所述阳离子表面活性剂选自伯胺盐表面活性剂、仲胺盐和叔胺盐表面活性剂中的至少一种。6.一种制备权利要求1
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5中任一项所述的一种双氧化组分铝蚀刻液，其特征在于，包括以下步骤：(1)第一氧化组分：将硝酸滴加到去离子水中之...

【专利技术属性】
技术研发人员：童晨，吴海燕，韩成强，孙元，陈桂红，
申请(专利权)人：昆山晶科微电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：